請(qǐng)教:用MOS管來(lái)做一個(gè)RCC電路,G-GND的電壓該如何設(shè)置?
現(xiàn)在有一個(gè)用MOS管做的RCC電路,MOS管選的G-S耐壓30V的,現(xiàn)在測(cè)試發(fā)現(xiàn)G-GND的電壓最高到了21V,并且發(fā)現(xiàn)MOS管經(jīng)常被擊穿,有人說(shuō)30V的MOS管最高的柵極電壓不要超過(guò)18V,請(qǐng)問(wèn)是這樣的嗎?
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