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MOSFET驅(qū)動電路應(yīng)用實例

HOMSEMI POWER MOSFET驅(qū)動電路應(yīng)用實例
1.主要參數(shù)及特性
MOSFET是由電壓控制型器件，輸入柵極電壓VG控制著漏極電流ID，即一定條件下，漏極電流ID取決于柵極電壓VG。極限參數(shù)有：最大漏源電壓VDS、最大柵源電壓VGS、最大漏極電流ID，最大功耗PD。在使用中不能超過極限值，否則會損壞器件。主要電特性有：開啟電壓VGS(Th)；柵極電壓為零時的IDSS電流；在一定的VGS條件下的導(dǎo)通電阻RDS(ON)。
2.基于開關(guān)電源IC3843驅(qū)動電路
 

HS70N06 VGS一般3.1V就可以完全開啟,也有很低的導(dǎo)通電阻RDS(ON),像3843這類內(nèi)部帶圖騰柱驅(qū)動電路的IC一般都可以很輕松的驅(qū)動它.柵極電阻的選擇范圍也比較大,一般可以從幾歐到幾百歐.
3.基于MCU圖騰驅(qū)動電路
 

MCU的工作電壓都比較低(一般都在5.5V以下),不能直接驅(qū)動HS80N75或者說驅(qū)動能力很差.所以我們一般選擇增加外部圖騰驅(qū)動電路.
4.基于逆變器輸出驅(qū)動電路
 

5.基于HID安定器全橋驅(qū)動電路
 

6.基于DCBL馬達驅(qū)動電路
 

在這種通電方式里,每瞬間均有三只MOSFET通電.每60o換相一次,每次有一個MOSFET換相,每個MOSFET通電180o.  
全部回復(fù)(11)
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2011-11-09 16:56
支持支持，值得細看
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HOMSEMI
LV.1
3
2011-11-16 09:24
@qq89514022
支持支持，值得細看
謝謝支持,給了我一如既往做下去的動力
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HOMSEMI
LV.1
4
2011-11-17 09:30
@qq89514022
支持支持，值得細看
謝謝捧場,HOMSEMI會繼續(xù)在電源網(wǎng)與大家一起分享我們的經(jīng)驗.也希望我可以拋磚引玉,得到各位同仁的指點不足
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2011-11-18 09:42
@HOMSEMI
謝謝捧場,HOMSEMI會繼續(xù)在電源網(wǎng)與大家一起分享我們的經(jīng)驗.也希望我可以拋磚引玉,得到各位同仁的指點不足
頂下，我想請教下，用MCU驅(qū)動的大功率MOS管（VGS為3—10V），上面的MCU驅(qū)動電路3有問題沒？
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HOMSEMI
LV.1
6
2011-11-18 14:03
@海里游著的貓
頂下，我想請教下，用MCU驅(qū)動的大功率MOS管（VGS為3—10V），上面的MCU驅(qū)動電路3有問題沒？
用MCU加圖騰驅(qū)動POWER MOSFET肯定是沒有問題.還要更正下的是,通常的大功率MOS管 VGS都是+-30V的
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luyonfe
LV.2
7
2011-11-23 10:23
@HOMSEMI
用MCU加圖騰驅(qū)動POWERMOSFET肯定是沒有問題.還要更正下的是,通常的大功率MOS管VGS都是+-30V的

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cheng111
LV.11
8
2011-11-23 19:33
@HOMSEMI
用MCU加圖騰驅(qū)動POWERMOSFET肯定是沒有問題.還要更正下的是,通常的大功率MOS管VGS都是+-30V的
這個電壓也不能太高，太高驅(qū)動損耗大。
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2011-11-23 20:14
跟你學(xué)習(xí)了
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HOMSEMI
LV.1
10
2011-11-29 22:00
@cheng111
這個電壓也不能太高，太高驅(qū)動損耗大。
是的 cheng111 說的不錯,所以在一些更高電壓的場合我們會在GS之間再加一個12V或是15V的穩(wěn)壓管.=-30V是GS的極限電壓,實際應(yīng)用中12V的電壓就可以很地驅(qū)動了
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ctx1211
LV.7
11
2011-11-30 07:39
@HOMSEMI
謝謝捧場,HOMSEMI會繼續(xù)在電源網(wǎng)與大家一起分享我們的經(jīng)驗.也希望我可以拋磚引玉,得到各位同仁的指點不足
LZ繼續(xù)更新
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cheng111
LV.11
12
2011-11-30 23:05
@HOMSEMI
是的cheng111說的不錯,所以在一些更高電壓的場合我們會在GS之間再加一個12V或是15V的穩(wěn)壓管.=-30V是GS的極限電壓,實際應(yīng)用中12V的電壓就可以很地驅(qū)動了
期待LZ繼續(xù)更新。
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