MOS管損耗哪個(gè)比較大

DC/DC的BOOST電路。在同等輸入，輸出功率一樣的情況下！MOS管的損耗在DCM和CCM兩種模式下，請問哪個(gè)要大些！望大蝦們指點(diǎn)！先謝過了！

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qinttao

LV.1

2011-10-27 23:51

當(dāng)然是DCM大,在DCM狀態(tài)下，MOS關(guān)斷后由于電感的原因會有衰減振蕩，也就意味著會有大U,I重疊，也就是有大的截止損耗

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cheng111

LV.11

2011-10-28 10:33

我認(rèn)為CCM模式下的損耗大一些。

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笨小孩1114

LV.10

2011-10-28 13:03

@cheng111

我認(rèn)為CCM模式下的損耗大一些。

旅長，我也認(rèn)為是CCM模式下MOS管的損耗大一些。看了精通開關(guān)電源設(shè)計(jì)上面的講解還是很含糊，請旅長詳解啊。

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cheng111

LV.11

2011-10-28 14:15

@笨小孩1114

旅長，我也認(rèn)為是CCM模式下MOS管的損耗大一些。看了精通開關(guān)電源設(shè)計(jì)上面的講解還是很含糊，請旅長詳解啊。

最近正在做這個(gè)總結(jié)，正在測試電壓和電流波形分析中啊...

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latenxie

LV.2

2011-10-29 09:41

@cheng111

[圖片]最近正在做這個(gè)總結(jié)，正在測試電壓和電流波形分析中啊...

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renkong

LV.3

2011-10-29 15:27

如何降低mosfet的功耗看看這個(gè)附件吧，是中文的喲！！！

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lgsps

LV.5

2011-12-09 11:24

@笨小孩1114

旅長，我也認(rèn)為是CCM模式下MOS管的損耗大一些。看了精通開關(guān)電源設(shè)計(jì)上面的講解還是很含糊，請旅長詳解啊。

占空比減小，MOS管的溫升明顯降低，CCM的時(shí)候電感的平均直流分量也小喲！

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cheng111

LV.11

2011-12-11 10:15

@lgsps

占空比減小，MOS管的溫升明顯降低，CCM的時(shí)候電感的平均直流分量也小喲！

同樣功率輸出時(shí)，CCM的銷量一般都比較高一點(diǎn)。

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lgsps

LV.5

2011-12-12 12:48

@cheng111

同樣功率輸出時(shí)，CCM的銷量一般都比較高一點(diǎn)。

這個(gè)現(xiàn)象應(yīng)該是一個(gè)成本與電性能最終權(quán)衡，而出現(xiàn)DCM的銷量略高些！

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cheng111

LV.11

2011-12-12 20:36

@lgsps

這個(gè)現(xiàn)象應(yīng)該是一個(gè)成本與電性能最終權(quán)衡，而出現(xiàn)DCM的銷量略高些！[圖片]

DCM模式的電源動態(tài)性好，

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zq2007

LV.11

2011-12-12 21:15

@renkong

[圖片]如何降低mosfet的功耗看看這個(gè)附件吧，是中文的喲！！！

MOS損耗與開關(guān)頻率的高低有多大關(guān)系呢？

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cheng111

LV.11

2011-12-12 21:20

@zq2007

MOS損耗與開關(guān)頻率的高低有多大關(guān)系呢？

MOS管的開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗與頻率是成正比的。MOS管的其他損耗就沒有多少變化了。

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dayfighter

LV.1

2011-12-12 22:06

取決于使用的二極管特性如何吧。如果二極管反向恢復(fù)特性比較好（例如sic 高壓SBD）應(yīng)該是CCM效率高。畢竟導(dǎo)通rms電流小很多；相反如果選用特性較差的二極管，可能DCM更合適，特別是小功率應(yīng)用場合。

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zq2007

LV.11

2011-12-13 08:26

@cheng111

MOS管的開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗與頻率是成正比的。MOS管的其他損耗就沒有多少變化了。

頻率與導(dǎo)通損耗也成正比，所以功率管發(fā)熱時(shí)，首先要想想是不是頻率選擇的有點(diǎn)高。想辦法降低頻率吧！不過要注意，當(dāng)頻率降低時(shí)，為了得到相同的負(fù)載能力，峰值電流必然要變大或者電感也變大，這都有可能導(dǎo)致電感進(jìn)入飽和區(qū)域。如果電感飽和電流夠大，可以考慮將CCM（連續(xù)電流模式）改變成DCM（非連續(xù)電流模式）

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destiny

LV.6

2011-12-13 09:54

@zq2007

如何判斷電源工作在哪個(gè)模式？測開關(guān)電源哪里波形可以判斷？請教

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mengzhaohe

LV.3

2011-12-13 10:12

@笨小孩1114

旅長，我也認(rèn)為是CCM模式下MOS管的損耗大一些。看了精通開關(guān)電源設(shè)計(jì)上面的講解還是很含糊，請旅長詳解啊。

我覺得不能簡單的認(rèn)為哪個(gè)損耗大，要看工作頻率高低。頻率高時(shí)，開關(guān)損耗大，DCM模式下，mos開通時(shí)刻近似于軟開通，而ccm模式開通時(shí)電流非0，開通損耗大。

但頻率低時(shí)，開關(guān)損耗比較低，可能還是CCM損耗小

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lgsps

LV.5

2011-12-13 13:06

@cheng111

DCM模式的電源動態(tài)性好，

師長，你好！這個(gè)DCM模式的穩(wěn)定性好于CCM，跟其傳遞函數(shù)的零點(diǎn)和極點(diǎn)有關(guān)系是吧？

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lgsps

LV.5

2011-12-13 13:10

@destiny

如何判斷電源工作在哪個(gè)模式？測開關(guān)電源哪里波形可以判斷？請教

電感的電流波形！

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lgsps

LV.5

2011-12-13 13:12

@dayfighter

取決于使用的二極管特性如何吧。如果二極管反向恢復(fù)特性比較好（例如sic高壓SBD）應(yīng)該是CCM效率高。畢竟導(dǎo)通rms電流小很多；相反如果選用特性較差的二極管，可能DCM更合適，特別是小功率應(yīng)用場合。

對。CCM模式下，輸出的二極管用肖特基，或者超快管！這個(gè)管子的選用會影響你的效率，當(dāng)然還有EMI

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xyx11

LV.6

2011-12-13 16:09

在電流平均值固定時(shí)，

電流波形變化越劇烈，其有效值（發(fā)熱等效）也越大，損耗也越大。

故：DCM 時(shí)，損耗大。

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cheng111

LV.11

2011-12-13 20:34

@destiny

如何判斷電源工作在哪個(gè)模式？測開關(guān)電源哪里波形可以判斷？請教

反激式的也可以測試開關(guān)管DS之間的電壓波形。

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cheng111

LV.11

2011-12-13 20:35

@xyx11

在電流平均值固定時(shí)，電流波形變化越劇烈，其有效值（發(fā)熱等效）也越大，損耗也越大。故：DCM時(shí)，損耗大。

磁損耗也大。

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lgsps

LV.5

2011-12-13 22:32

@xyx11

在電流平均值固定時(shí)，電流波形變化越劇烈，其有效值（發(fā)熱等效）也越大，損耗也越大。故：DCM時(shí)，損耗大。

在占空比不變的前提下，MOS管中的電流有效值越大，損耗就大。這個(gè)損耗指的是導(dǎo)通損耗吧？

這樣理解，在CCM模式下面，導(dǎo)通時(shí)候，MOS管中的RMS相對要小，所以損耗小！

在輸入輸出不變的前提下，工作頻率恒定的狀態(tài)下，開通損耗與關(guān)斷損耗呢？CCM大還是DCM大

大俠!請賜教！

謝謝1

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lgsps

LV.5

2011-12-13 22:38

@mengzhaohe

我覺得不能簡單的認(rèn)為哪個(gè)損耗大，要看工作頻率高低。頻率高時(shí)，開關(guān)損耗大，DCM模式下，mos開通時(shí)刻近似于軟開通，而ccm模式開通時(shí)電流非0，開通損耗大。但頻率低時(shí)，開關(guān)損耗比較低，可能還是CCM損耗小

DCM模式下，mos開通時(shí)刻近似于軟開通?大俠，此句可否詳解？ZVS開通?還是QR的軟開關(guān)？

CCM模式開通時(shí)電流非0？？MOS開通的時(shí)候，MOS管的電流為零這個(gè)怎么做到呢？

常見的QR，ZVS，ZCS的定義如下‘

QR---MOS管開通前，原邊電感與分布電容，COSS諧振時(shí)，在諧振到谷底時(shí)候，開通MOS，

ZVS---MOS開通前，MOS的VDS降到零，也就是電流滯后電壓

ZCS---MOS關(guān)斷前，MOS的IDS降到零，也就是電壓滯后電流

請賜教

小弟先謝過了！

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lgsps

LV.5

2011-12-13 22:45

@cheng111

反激式的也可以測試開關(guān)管DS之間的電壓波形。

呵呵，大師言之有理！

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xyx11

LV.6

2011-12-14 06:35

@lgsps

在占空比不變的前提下，MOS管中的電流有效值越大，損耗就大。這個(gè)損耗指的是導(dǎo)通損耗吧？這樣理解，在CCM模式下面，導(dǎo)通時(shí)候，MOS管中的RMS相對要小，所以損耗小！在輸入輸出不變的前提下，工作頻率恒定的狀態(tài)下，開通損耗與關(guān)斷損耗呢？CCM大還是DCM大大俠!請賜教！謝謝1

應(yīng)該這樣說：不管占空比如何，流過MOS管中的電流有效值越大，則導(dǎo)通損耗就越大。

（算有效值已經(jīng)包含了占空比的因素了）

開關(guān)損耗：

在電流平均值和開關(guān)頻率不變的情況下，開通和關(guān)斷所產(chǎn)生的損耗，也是電流的變化幅度越大，其損耗也越大。

即：DCM的損耗大

任何事物，不管是自然現(xiàn)象，還是社會現(xiàn)象，都是越平穩(wěn)，越好。

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zq2007

LV.11

2011-12-14 07:54

@xyx11

應(yīng)該這樣說：不管占空比如何，流過MOS管中的電流有效值越大，則導(dǎo)通損耗就越大。（算有效值已經(jīng)包含了占空比的因素了）開關(guān)損耗：在電流平均值和開關(guān)頻率不變的情況下，開通和關(guān)斷所產(chǎn)生的損耗，也是電流的變化幅度越大，其損耗也越大。即：DCM的損耗大任何事物，不管是自然現(xiàn)象，還是社會現(xiàn)象，都是越平穩(wěn)，越好。

MOS管的損耗還與驅(qū)動有一定的關(guān)系，驅(qū)動影響開關(guān)速度。

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