各位大師好，現在有個問題想各位請教。我使用IR2110，電路如下圖所示，這是三相逆變的一個半橋。

電路中有兩個mosfet管子，和兩個IGBT，主要是這兩種不同管子的封裝不一樣，這樣以后調試的時候換管子方便一點。使用的時候，只用了兩個小管子IGBT，仙童的FGA25N120，沒有用mosfet管。

電路采用R，C，二極管，構成硬件死區，如前IR2110的兩個輸入端子。其中R=4.7K歐，C=1n，二極管為IN4148，這樣形成的死區時間在4us左右，很大了。IR2110的VDD電源為+5V，VCC電源為+15V。由于實驗室的線性電源最高輸出電壓僅為32V，我對該電源不做任何處理，直接接到GND，和POWER端。上電正常，可以穩定的工作。

接下來問題出來了，將市電220V通過整流橋整流以后，經過電容濾波，輸出POWER電源。電路如圖所示。

將這個電源接到IR2110驅動的IGBT上。上電過程是這樣的，我們先對弱電信號上電，弱電信號提供IR2110工作電壓，SPWM波，系統正常。問題來了，接上市電220v，限流電阻馬上燒毀。斷開市電，檢查電路，IR2110，IGBT管FGA25N120完好，改接32v線性電源，電路可以正常工作。

這里提出來，希望有高手可以幫忙指正錯誤.