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ding

4007是普通二極管,結(jié)電容大,當(dāng)然R熱,R的功率也太小了.取2W的.
FR107是快恢復(fù)二極管,高頻性能好,減小C后當(dāng)然就不熱了,吸收性能差一些.
參數(shù)需要試驗(yàn)確定.

電阻的功率和你選的電容,開關(guān)頻率有關(guān),電容大,頻率高,電阻上的損耗就大

那我可不可以去掉330的那個(gè)電阻?

沒錯(cuò),電容用473/400V有沒有問題?

我試過了去了330 暫時(shí)沒什么問題!

請(qǐng)問R9熱特別嚴(yán)重,超過115度,是怎么回事,有解決辦法?謝謝大家

你的輸出功率是多少W的都不說,

不好意思,電路為反激
輸入90V至130V
輸出22V/3A  ＝66W  max
C3 1n
R3  2個(gè)33K/2W并聯(lián)
R9  220 /2W
變壓器40/10

把C1改成10nF

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謝謝,晚上會(huì)試一下
有個(gè)問題,這樣是不是會(huì)影響效率,EMI或者輻射?

不會(huì),我的電源大部份都是用103的

加大C并沒有改善
我試過減小R9,減至10 溫度可以降到100度,但對(duì)Vds波形影響較大(振蕩)
增大R3,溫度也有明顯的下降,不怎么影響Vds波形
不過得等看對(duì)EMI的影響

頂上去
是不是功率電阻溫度在120度也沒關(guān)系?

關(guān)于rcd鉗位電路的計(jì)算方法有嗎?

把1N4007用在RCD吸收這里的人很多,懂原理的卻不多.并不是什么1N4007的結(jié)電容大,1N4007和快恢復(fù)的結(jié)電容都基本上是在35PF左右.只是由于4007的恢復(fù)時(shí)間的原因,4007的恢復(fù)時(shí)間估計(jì)在2uS左右.還是講一講這個(gè)電路原理吧!MOS關(guān)斷時(shí),漏感的能量產(chǎn)生的尖峰和反射電壓疊加,4007導(dǎo)通,4007串的電阻將承認(rèn)幾十V的電壓,并對(duì)吸收電容沖電.浪涌過后,由于電容電壓比線圈反射電壓高,此時(shí)4007將承受一個(gè)反壓,此時(shí)4007的恢復(fù)時(shí)間較長,所以將有一個(gè)較大的恢電流流過初級(jí)線圈.此時(shí)正是反激過程,所產(chǎn)恢復(fù)電流流過線圈產(chǎn)生的能量,將被反射到次級(jí)提供給負(fù)載.所以用1N4007作吸有一定的能量回饋?zhàn)饔?電路的振鈴也會(huì)明顯減小很大.EMI相對(duì)也會(huì)好些.最后吸收電容上的電壓放到基本同線圈電相同.所以設(shè)計(jì)這個(gè)電路時(shí),吸收電容并的電阻太小并沒有什么明顯效果.功耗最大的元件是4007串的電阻,和4007.功率較大時(shí)4007千萬不可不串電阻,我見到很多人不串電阻使用的,4007會(huì)損耗太大,長時(shí)間工作會(huì)過熱損壞的.有機(jī)會(huì)貼幾個(gè)波形圖上來給大家看看.不知大家是否明白.

沒有去研究這個(gè),原理都差不多的,磁復(fù)位就行了.

我用的是BYV26C,反向恢復(fù)時(shí)間是35ns,所以是不是由于這個(gè)原因造成所串的電阻發(fā)熱過大,我今天將C所并電阻從2個(gè)33K改為2個(gè)100K,那個(gè)電阻從125度降到了110度

你好!用4007恢復(fù)時(shí)間是否太長.用FR107不是更合理嗎?

說得很對(duì),恢復(fù)時(shí)間是有些長,一般使用在100KHZ以下頻率效果較好.

你好，請(qǐng)問90-130VAC輸入的變壓器是怎樣設(shè)計(jì)的，謝謝