
LED驅動的3-5W方案中使用13003的BJT耐壓問題
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@scwangpan
請不吝賜教!
請看以下解釋:
1. 三極管有兩個PN結,C-B之間有一個PN結,B-E之間有一個PN結。
2. 請認真查看晶體管的規格書和特性:
VCBO的電壓是在IB=0時達成。
C為集電極,B為基極,O為C、B以外的電極Open的意思,
VCBO---基極接地,發射極對地開路,集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
下面分別說明一下三極管各個電壓的測量方法:
Vcbo----C-B結之間的電壓,O表示在測VCBO時將發射極懸空,測C-B在規定漏電流時的電壓;
Vceo----C-E之間的電壓,測量時將基極懸空;
Vces----C-E之間的電壓,S表示Short的意思,測VCES時是將基極與發射極短接,測C-B在規定漏電流時的電壓;由于這時B-E結沒有電壓,而PN結導通需要有一個電壓才能導通,所以這時B-E結沒有導通,發射極E上就沒有電流。等效于C-B結的耐壓(VCBO)。因此理論上VCES≈VCBO是說得通的。另外實際測試的結果也是這樣。
3. 結合以上情況,
因iwatt的IC內部有一個Mosfet(M1)
在TOFF瞬間時,M1導通短路,那么晶體管的B,E結就會短路
而根據晶體管的特性,
當VBE=0時,我們使用的是VCES而非VCEO,此時VCES≈VCBO
這種情況不能等效成兩個穩壓管并聯。
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@iwatt-szl
請看以下解釋:[圖片] 1.三極管有兩個PN結,C-B之間有一個PN結,B-E之間有一個PN結。2.請認真查看晶體管的規格書和特性:[圖片] VCBO的電壓是在IB=0時達成。C為集電極,B為基極,O為C、B以外的電極Open的意思,VCBO---基極接地,發射極對地開路,集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓下面分別說明一下三極管各個電壓的測量方法:Vcbo----C-B結之間的電壓,O表示在測VCBO時將發射極懸空,測C-B在規定漏電流時的電壓;Vceo----C-E之間的電壓,測量時將基極懸空;Vces----C-E之間的電壓,S表示Short的意思,測VCES時是將基極與發射極短接,測C-B在規定漏電流時的電壓;由于這時B-E結沒有電壓,而PN結導通需要有一個電壓才能導通,所以這時B-E結沒有導通,發射極E上就沒有電流。等效于C-B結的耐壓(VCBO)。因此理論上VCES≈VCBO是說得通的。另外實際測試的結果也是這樣。3.結合以上情況, [圖片] 因iwatt的IC內部有一個Mosfet(M1)在TOFF瞬間時,M1導通短路,那么晶體管的B,E結就會短路而根據晶體管的特性,當VBE=0時,我們使用的是VCES而非VCEO,此時VCES≈VCBO這種情況不能等效成兩個穩壓管并聯。
非常感謝iwatt-szl的耐心講解。使我受益匪淺。謝謝了!
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@iwatt-szl
請看以下解釋:[圖片] 1.三極管有兩個PN結,C-B之間有一個PN結,B-E之間有一個PN結。2.請認真查看晶體管的規格書和特性:[圖片] VCBO的電壓是在IB=0時達成。C為集電極,B為基極,O為C、B以外的電極Open的意思,VCBO---基極接地,發射極對地開路,集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓下面分別說明一下三極管各個電壓的測量方法:Vcbo----C-B結之間的電壓,O表示在測VCBO時將發射極懸空,測C-B在規定漏電流時的電壓;Vceo----C-E之間的電壓,測量時將基極懸空;Vces----C-E之間的電壓,S表示Short的意思,測VCES時是將基極與發射極短接,測C-B在規定漏電流時的電壓;由于這時B-E結沒有電壓,而PN結導通需要有一個電壓才能導通,所以這時B-E結沒有導通,發射極E上就沒有電流。等效于C-B結的耐壓(VCBO)。因此理論上VCES≈VCBO是說得通的。另外實際測試的結果也是這樣。3.結合以上情況, [圖片] 因iwatt的IC內部有一個Mosfet(M1)在TOFF瞬間時,M1導通短路,那么晶體管的B,E結就會短路而根據晶體管的特性,當VBE=0時,我們使用的是VCES而非VCEO,此時VCES≈VCBO這種情況不能等效成兩個穩壓管并聯。
感謝iwatt-szl的解釋,我終于明白了開關電源中可以用13003的道理了。
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@iwatt-szl
請看以下解釋:[圖片] 1.三極管有兩個PN結,C-B之間有一個PN結,B-E之間有一個PN結。2.請認真查看晶體管的規格書和特性:[圖片] VCBO的電壓是在IB=0時達成。C為集電極,B為基極,O為C、B以外的電極Open的意思,VCBO---基極接地,發射極對地開路,集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓下面分別說明一下三極管各個電壓的測量方法:Vcbo----C-B結之間的電壓,O表示在測VCBO時將發射極懸空,測C-B在規定漏電流時的電壓;Vceo----C-E之間的電壓,測量時將基極懸空;Vces----C-E之間的電壓,S表示Short的意思,測VCES時是將基極與發射極短接,測C-B在規定漏電流時的電壓;由于這時B-E結沒有電壓,而PN結導通需要有一個電壓才能導通,所以這時B-E結沒有導通,發射極E上就沒有電流。等效于C-B結的耐壓(VCBO)。因此理論上VCES≈VCBO是說得通的。另外實際測試的結果也是這樣。3.結合以上情況, [圖片] 因iwatt的IC內部有一個Mosfet(M1)在TOFF瞬間時,M1導通短路,那么晶體管的B,E結就會短路而根據晶體管的特性,當VBE=0時,我們使用的是VCES而非VCEO,此時VCES≈VCBO這種情況不能等效成兩個穩壓管并聯。
bq 人才
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@iwatt-szl
請看以下解釋:[圖片] 1.三極管有兩個PN結,C-B之間有一個PN結,B-E之間有一個PN結。2.請認真查看晶體管的規格書和特性:[圖片] VCBO的電壓是在IB=0時達成。C為集電極,B為基極,O為C、B以外的電極Open的意思,VCBO---基極接地,發射極對地開路,集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓下面分別說明一下三極管各個電壓的測量方法:Vcbo----C-B結之間的電壓,O表示在測VCBO時將發射極懸空,測C-B在規定漏電流時的電壓;Vceo----C-E之間的電壓,測量時將基極懸空;Vces----C-E之間的電壓,S表示Short的意思,測VCES時是將基極與發射極短接,測C-B在規定漏電流時的電壓;由于這時B-E結沒有電壓,而PN結導通需要有一個電壓才能導通,所以這時B-E結沒有導通,發射極E上就沒有電流。等效于C-B結的耐壓(VCBO)。因此理論上VCES≈VCBO是說得通的。另外實際測試的結果也是這樣。3.結合以上情況, [圖片] 因iwatt的IC內部有一個Mosfet(M1)在TOFF瞬間時,M1導通短路,那么晶體管的B,E結就會短路而根據晶體管的特性,當VBE=0時,我們使用的是VCES而非VCEO,此時VCES≈VCBO這種情況不能等效成兩個穩壓管并聯。
回復很詳細。
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