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求助，12V3A效率84% 發熱高

最近做了一款12V3A，板子尺寸為70*45mm，現在板邊測試效率為84.2%  90VAC    85.3   250VAC，老化24小時OK，但是認證時變壓器溫升為125度，高了15度，輸入輸出線溫度高了12度（要求70度）。MOS（5N60   仕蘭微）管溫度為120度。外殼暫時沒有辦法改大，只有想辦法提升效率了。但是現在該想的辦法已經想得差不多了。請高手們指點下，該從哪里下手。變壓器用的是EE28 ，600UH 初級-交級-反饋  41- 6- 9（見附件），IC為CR 6853  肖特基用的是20100。

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xmytq
LV.5
2
2011-09-08 11:48
  
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2011-09-08 13:44
@xmytq
[圖片] [圖片] 

你的電流密度取多少？取8嗎？
   你將次級的線徑用0.4*5的試試，

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2011-09-08 13:49
請問你的輸入電容用多大的，12V3A至少要82uF/400V,MOSFET還可以加大比如用8N60，這樣MOSFTE的導通電阻要小些，溫度就會降低。效率自然也會升高，輸出的20100也要加入散熱器。還有你輸出的線用0.4x3還有點細了,電流密度應該取4-6比較好。按你的變壓器參數推算出你的△B值為0.26T,能不能改變器來來減小△B。我來給一個△B=0.2T 的變壓器參數：54（0.25x2）：8(0.5x3)：10(0.15) Lp=600uH。
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roc19850
LV.5
5
2011-09-08 14:20
適配器么？主要是內部溫度太高了，溫升也就高了。效率要上去就得花成本了。要么就從散熱著手了。上下加銅片散熱。。。MOS搞個8N60，一個個點去降下去。變壓器線徑應該問題不大，感量可以調大點。有熱敏的話線把熱敏拿掉看下溫度。溫度是難點啊。
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mko145
LV.8
6
2011-09-08 18:55
@xmytq
[圖片] [圖片] 
外殼小了點 ~ 
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xmytq
LV.5
7
2011-09-08 20:13
@天空skydai
請問你的輸入電容用多大的，12V3A至少要82uF/400V,MOSFET還可以加大比如用8N60，這樣MOSFTE的導通電阻要小些，溫度就會降低。效率自然也會升高，輸出的20100也要加入散熱器。還有你輸出的線用0.4x3還有點細了,電流密度應該取4-6比較好。按你的變壓器參數推算出你的△B值為0.26T,能不能改變器來來減小△B。我來給一個△B=0.2T的變壓器參數：54（0.25x2）：8(0.5x3)：10(0.15)Lp=600uH。
輸入電容是82的，好的，我試下你的變壓器參數。
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xmytq
LV.5
8
2011-09-08 20:14
@yqjwy_2008
你的電流密度取多少？取8嗎？  你將次級的線徑用0.4*5的試試，
當時沒有嚴格的計算。就是不知道EE28能不能挺得住。
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xmytq
LV.5
9
2011-09-08 20:17
@roc19850
適配器么？主要是內部溫度太高了，溫升也就高了。效率要上去就得花成本了。要么就從散熱著手了。上下加銅片散熱。。。MOS搞個8N60，一個個點去降下去。變壓器線徑應該問題不大，感量可以調大點。有熱敏的話線把熱敏拿掉看下溫度。溫度是難點啊。
這個IC推8N的可能會更燙，IC規格書說的是40W以下。主要是現在客戶急著做隨機認證。麻煩啊，一下子還搞不定
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xmytq
LV.5
10
2011-09-08 20:19
@mko145
外殼小了點~ 

確實啊，外殼較小，因為外殼現成的只有這么大。放個ER28都沒有辦法。

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xmytq
LV.5
11
2011-09-08 20:21
@roc19850
適配器么？主要是內部溫度太高了，溫升也就高了。效率要上去就得花成本了。要么就從散熱著手了。上下加銅片散熱。。。MOS搞個8N60，一個個點去降下去。變壓器線徑應該問題不大，感量可以調大點。有熱敏的話線把熱敏拿掉看下溫度。溫度是難點啊。
這個只有上部分加了鋁片散熱，底部怕安規及刺破，暫沒有加。認證是ITS的，相當嚴格，變壓器初次級間要求打8道瑪拉膠帶，說是穿透距離不夠，這樣，生產就麻煩了哦。
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xmytq
LV.5
12
2011-09-08 20:28
@xmytq
[圖片] [圖片] 

真不知道這位正正兄的91%是怎么做出來的，佩服啊。

http://bbs.dianyuan.com/topic/591710?t=187#last_post

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mko145
LV.8
13
2011-09-08 21:31

PCB 布局不太理想。 MOS管靠變壓器太近。兩個火爐靠在一起，不熱才怪。輸出的整流管沒有散熱片，這樣肯定不行。PCB 一定要改 ~ 重新畫過。 效率提高的空間有限，只能靠把內部的熱量搞均勻來降低局部溫度


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xmytq
LV.5
14
2011-09-09 17:24
@mko145
PCB布局不太理想。MOS管靠變壓器太近。兩個火爐靠在一起，不熱才怪。輸出的整流管沒有散熱片，這樣肯定不行。PCB一定要改~重新畫過。效率提高的空間有限，只能靠把內部的熱量搞均勻來降低局部溫度
嗯，謝謝提醒，要花段時間了
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Wxgshou
LV.5
15
2011-09-09 22:21
@xmytq
嗯，謝謝提醒，要花段時間了
關注
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LV.1
16
2011-09-11 11:02
@Wxgshou
關注

殼子太小.主要還是要提高電源的效率或者外殼加散熱孔.

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獵人38
LV.3
17
2011-09-11 11:06
希望問題早解決
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xmytq
LV.5
18
2011-09-14 19:58
@xmytq
[圖片] [圖片] 
最近申請了個AOP的 4N60 RDS小于2.2R，以前用的是UTC 4N60 RDS為小于2.5R，還申請了一個DIODES的30100，比VF值比現在用的20100小0.15V左右，這樣算下來，應該可以提高1個百分點，材料來了再試下
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冰上鴨子
LV.10
19
2011-09-15 08:28
@mko145
PCB布局不太理想。MOS管靠變壓器太近。兩個火爐靠在一起，不熱才怪。輸出的整流管沒有散熱片，這樣肯定不行。PCB一定要改~重新畫過。效率提高的空間有限，只能靠把內部的熱量搞均勻來降低局部溫度
比較贊同,
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xmytq
LV.5
20
2011-09-17 17:25
@獵人38
希望問題早解決
今天MOS管樣品和肖特基樣品到了，換上AOP 4N60 功耗比仕蘭薇的小了0.4W（很驚訝），換上芯薇的30100功耗又小了0.3W左右，低壓的效率差不多提高了2個點。晚上再老化試試。現在在板底增加了3mm厚的導熱硅膠，50*40mm，單價為1.1。
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xmytq
LV.5
21
2011-09-17 17:28
@xmytq
今天MOS管樣品和肖特基樣品到了，換上AOP4N60功耗比仕蘭薇的小了0.4W（很驚訝），換上芯薇的30100功耗又小了0.3W左右，低壓的效率差不多提高了2個點。晚上再老化試試。現在在板底增加了3mm厚的導熱硅膠，50*40mm，單價為1.1。
MOS管比原來的貴0.4元，肖特基比20100貴0.8元，總的造價比以前差不多貴了2.2元錢，提高了2個百分點。不知道量產的時候客戶能不能接受這個價格了。
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xmytq
LV.5
22
2011-09-17 17:30
@xmytq
MOS管比原來的貴0.4元，肖特基比20100貴0.8元，總的造價比以前差不多貴了2.2元錢，提高了2個百分點。不知道量產的時候客戶能不能接受這個價格了。
現在客戶已經降低要求，現在按12V2.5A的規格送樣測試，應該沒有什么問題了。出口澳洲。
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xmytq
LV.5
23
2011-09-17 17:35
@xmytq
今天MOS管樣品和肖特基樣品到了，換上AOP4N60功耗比仕蘭薇的小了0.4W（很驚訝），換上芯薇的30100功耗又小了0.3W左右，低壓的效率差不多提高了2個點。晚上再老化試試。現在在板底增加了3mm厚的導熱硅膠，50*40mm，單價為1.1。
記得是UTC的4N60，怎么今天拆下來是仕蘭薇的4N60,看來是記錯了。
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xmytq
LV.5
24
2011-09-17 17:39
@xmytq
記得是UTC的4N60，怎么今天拆下來是仕蘭薇的4N60,看來是記錯了。
今天拆下來看見82UF的電容外皮已經破了，這個應該是和這個外皮 的材質有關，不知道有沒有耐溫高的外皮材質，以前好像有聽說PET材質的會好點
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xmytq
LV.5
25
2011-09-20 22:57
@xmytq
今天拆下來看見82UF的電容外皮已經破了，這個應該是和這個外皮的材質有關，不知道有沒有耐溫高的外皮材質，以前好像有聽說PET材質的會好點

在我們這邊測試的最終結果：初級大電解:89.6度，磁芯84.3 ，線包89.8 ，外殼58.4 。溫度降下來的比較重要的幾個步驟：1、好的肖特基和MOS管，2、在變壓器上和板底有加導熱硅膠，盡快讓熱量散外電源外部。明天寄去測試，我想應該是沒有什么問題了。

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jepsun
LV.9
26
2011-09-21 10:11
@xmytq
最近申請了個AOP的4N60RDS小于2.2R，以前用的是UTC4N60RDS為小于2.5R，還申請了一個DIODES的30100，比VF值比現在用的20100小0.15V左右，這樣算下來，應該可以提高1個百分點，材料來了再試下
有外殼的產品，管子還是用好些的，這樣損耗會小不少。UTC 的4N60的R DS太大了。可以考慮用6N60的。DIODES的肖特基不錯，可以測試的看看。
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jepsun
LV.9
27
2011-09-21 10:14
@xmytq
在我們這邊測試的最終結果：初級大電解:89.6度，磁芯84.3，線包89.8 ，外殼58.4 。溫度降下來的比較重要的幾個步驟：1、好的肖特基和MOS管，2、在變壓器上和板底有加導熱硅膠，盡快讓熱量散外電源外部。明天寄去測試，我想應該是沒有什么問題了。

目前的效率大概多少呢?能告訴我殼子的尺寸么？應該也是塑料殼吧。

前陣子也做了個12V/2.5A的適配器，溫度確實難搞。一點一點扣下來。

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xmytq
LV.5
28
2011-09-21 11:54
@jepsun
目前的效率大概多少呢?能告訴我殼子的尺寸么？應該也是塑料殼吧。前陣子也做了個12V/2.5A的適配器，溫度確實難搞。一點一點扣下來。

等下上傳記錄的數據

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jepsun
LV.9
29
2011-09-21 12:27
@xmytq
等下上傳記錄的數據

還有你大電解外皮破損的原因找到了嗎？

我不認為是溫度的關系，如果溫度到了讓外皮破損的地步，你的大電解防爆閥應該要鼓起來了，或者已經漏液了。

看看是不是安裝上、配合上導致的？機械部分的原因可能性會更大些。一般105度的電解，都應該是沒問題的。

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Kanevo.Fan
LV.3
30
2011-09-21 14:08
@jepsun
還有你大電解外皮破損的原因找到了嗎？我不認為是溫度的關系，如果溫度到了讓外皮破損的地步，你的大電解防爆閥應該要鼓起來了，或者已經漏液了。看看是不是安裝上、配合上導致的？機械部分的原因可能性會更大些。一般105度的電解，都應該是沒問題的。

我過個類似的72*40  我用的EF25做的12V3A  90V效率84.8   220V   85.9     跟你用的一樣的IC   CR6853    （這顆IC我還做過120W 的  嘻嘻）15V  8A 

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xmytq
LV.5
31
2011-09-21 15:20
@jepsun
目前的效率大概多少呢?能告訴我殼子的尺寸么？應該也是塑料殼吧。前陣子也做了個12V/2.5A的適配器，溫度確實難搞。一點一點扣下來。
 
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立
即
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