單端反激~~

波形的趨勢就是這樣的沒錯。但是從你的波形可以看出，此RCD電路的損耗過高，R取值太小了，

關斷時有電壓尖峰，被rcd電路的小電容吸收，開關管漏極在短時間內升高（這段時間就是圖中波形尖峰的上升沿，很陡，時間很短）

在關斷時間，漏極的電壓本應該是反射電壓加上直流Vdc的和（Vm），由于漏感的存在，實際電壓會遠高于這個值，所以要增加RCD吸收。

但是由于你的R取得太小，rc回路放電速度過快，很短的時間（開關管未導通之前），電容放電使得漏極電壓達到Vm，接著，二極管D導通，放電電阻上被施加等于反射電壓值的壓降，一直到開關管下次導通，這段時間R都在消耗電源的功率。

如果R取得適當的話，在開關管導通時，rc放電使得漏極的電壓值在Vm附近，則在此段時間內，只有之前吸收漏感能量的電容為R提供功率。

從波形看：突然來個尖峰后并沒有被rcd吸收掉（估計是吸收電容太小了），到是之后電容先放會兒電，10微秒后持續放電，直到下個尖峰的到來。說明電阻一直在消耗功率，證明放電的時間太長（R選的有點兒大）。

這個尖峰是沒被完全吸收掉，但是沒關系啊 ，只要漏極電壓低于開關管電壓應力就行了。

不知道你的RCD吸收電路是什么樣子的額？電阻在消耗多余功率的時候，應該是續流二極管已經導通，說明是rc放電太快，應該是電阻太小了的原因吧。

我所謂的RCD吸收電路是一個電阻與電容并聯之后 再與二極管串聯。

感謝您的回答，分析的很詳細，謝謝。

我也看了下書，準備再調整下參數~~

再次感謝

什么是反射電壓啊？求指導啊菜鳥各種不懂啊。

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