同步整流MOS管發熱很大
最近做了一個100W電源，輸入AC100-AC240V,輸出18V5.5A,由于外殼為塑料殼且空間有限，輸出采用同步整流。用了銳駿的MOS管，RU80N15R,內阻才30mR，為何MOS管很燙。散熱片的尺寸為110mmX25mmXT3。搞了好久一直沒弄明白。換了RU190N15R,內阻才15mR,可是發熱還是很大，不知道是啥原因。
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@grace.don
那個是參考地的問題。VGS電壓是12V，今天在同步整流MOS管上并了個肖特基，MOS管還是那么熱，肖特基不怎么發熱。會不會是我的散熱不夠，同步整流的MOS峰值電流較大，來不及散熱導致內阻加大，從而越來越熱？
你這個SR1的驅動輸出口是什么結構？ 4腳是地嗎？ S和GND內部是連著的嗎？ 還是隔離的？ 我不知道這是什么芯片，不好說。 不過 從你的現象來看 我覺得是驅動電壓不夠，導致MOS工作在線性區，MOS開關不完全，才會這么熱的！ 估計你用導通電壓較低的二極管整都沒這么燙，因為你的電流不算大。 你是怎么測試Q7驅動波形的？ 探頭地線是夾在Q7的S？
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@NATE007
[圖片] 你這個SR1的驅動輸出口是什么結構？ 4腳是地嗎？S和GND內部是連著的嗎？還是隔離的？ 我不知道這是什么芯片，不好說。 不過從你的現象來看 我覺得是驅動電壓不夠，導致MOS工作在線性區，MOS開關不完全，才會這么熱的！ 估計你用導通電壓較低的二極管整都沒這么燙，因為你的電流不算大。 你是怎么測試Q7驅動波形的？探頭地線是夾在Q7的S？
那個就是同步整流的部分電路，板面畫不上了，只好畫一小板。探頭接的是輸出地上。如果接在S腳上，輸出是12V。我那MOS管接的是高壓側，有另外一個繞組供電。由于滿載時電壓較高，所以才加一三極管穩壓電路。
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@NATE007
[圖片] 你這個SR1的驅動輸出口是什么結構？ 4腳是地嗎？S和GND內部是連著的嗎？還是隔離的？ 我不知道這是什么芯片，不好說。 不過從你的現象來看 我覺得是驅動電壓不夠，導致MOS工作在線性區，MOS開關不完全，才會這么熱的！ 估計你用導通電壓較低的二極管整都沒這么燙，因為你的電流不算大。 你是怎么測試Q7驅動波形的？探頭地線是夾在Q7的S？
肖特基的會更燙，耐壓在100V以上的管子，一般管壓降會在0.65V左右。單這個就要耗掉3W了，還有反壓的損耗，那個溫度會上110度。殼子是塑料的，不敢這么搞啊。目前變壓器及PFC的電感溫度降下來了，85度。但是PFC之后的那個電容、原邊MOS及PFC的MOS以及同步整流MOS還是比較燙
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@NATE007
[圖片] 你這個SR1的驅動輸出口是什么結構？ 4腳是地嗎？S和GND內部是連著的嗎？還是隔離的？ 我不知道這是什么芯片，不好說。 不過從你的現象來看 我覺得是驅動電壓不夠，導致MOS工作在線性區，MOS開關不完全，才會這么熱的！ 估計你用導通電壓較低的二極管整都沒這么燙，因為你的電流不算大。 你是怎么測試Q7驅動波形的？探頭地線是夾在Q7的S？
對了，一般來說，你設計的變壓器反射電壓VOR會設計在幾伏？我一般是設計在100－120V，設計得高了MOS耐壓經常會頂不住；可是設計得低了，MOS的電流就大，發熱也大，變壓器也燙。真的不是很好做啊
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@grtang
有可能是兩個探頭的地線相互干擾。把通道1去掉，單獨測試通道2，看看還有沒有雜訊。另外可以測試次級繞組的電壓波形，也可以判斷時序同步。此時兩個探頭的地線是連接在一起的。最好是測MOSFET的Id和Vgs，精確觀察時序的同步問題。
確實是探頭引入的干擾，我把通信2的地線也接到S腳波形就基本正常了。從波形來看，同步整流DRIVER確實關斷的早了，開啟倒是正常的。
從上圖可以看出同步整流的DRIVER腳輸出提前關斷了1.5uS
上圖是我關斷時下拉電阻加大到47歐的后到MOS管G腳的VGS波形，雖然減緩了關斷時間，由于MOS管G腳的電壓下降了，可能損耗還是會比較大。
上圖是與原邊VDS比較的波形，只能說工作是比較正常了，不過還是比較燙。
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