看來(lái)是碰到行家了，是3862.明天我試試吧印制板割斷接到輸出端看看。

還有個(gè)問(wèn)題：輸入電壓在25V以下時(shí)，紋波波形正常，25V以上開始振了，漏極波形類似與“打嗝”。是不是因?yàn)檩斎肱c輸出電業(yè)接近造成的？有沒(méi)有什么號(hào)的辦法解決？

3782是2相的，但不是交錯(cuò)的，

3862沒(méi)整過(guò)

按常理信號(hào)地應(yīng)該是在輸入地吧？我也有點(diǎn)迷惘，信號(hào)地到底應(yīng)該接在哪里

我明天先試試接到輸出端看看

我一般都是接輸入地

今天試了改變信號(hào)地接地點(diǎn)，沒(méi)什么變化，還是接到輸入地了。 

漏極波形不穩(wěn)倒是不影響紋波，但是輸入電壓升高到26V時(shí)，漏極波形出現(xiàn)類似“打嗝”現(xiàn)象，紋波也出現(xiàn)振蕩。

是不是輸入接近輸出造成的？有什么辦法解決？

下面是正常時(shí)候的波形：

展開：

大家?guī)兔υ\斷診斷啊

既然你設(shè)計(jì)的是4層板，如果只是將TOP層、BOT層斷開接到輸出地，那內(nèi)層的地還是沒(méi)有改變地線的位置啊，這樣改動(dòng)只會(huì)造成接地的混亂，一般的說(shuō)，無(wú)論是BOOST還是BUCK電路，輸出肯定經(jīng)過(guò)整流濾波，同時(shí)，為了達(dá)到濾波的效果，都會(huì)有較輸入濾波大得多的電容平滑紋波，而且我們測(cè)量紋波的時(shí)候也是同時(shí)夾到輸出的2端的，沒(méi)有任何測(cè)量紋波范例是將參考地接到輸入地與輸出+端的（如果輸入端還有共模濾波呢，那地是接到共模的入端還是出端？），所以輸出的地應(yīng)該是作為參考地的。

輸入輸出相差1V的BOOST，我沒(méi)有做過(guò)，應(yīng)該是很難的，如果除去整流管的壓降，只有0.5V左右，按輸出精度+-1%，都有0.27V了，0.5-0.27=0.23V，還怎么穩(wěn)壓？DC-DC不是LDO呀。

最后的辦法，請(qǐng)LT的技術(shù)支持幫你。

把你電路圖弄出來(lái)大家分析分析呀！之前我們也遇到過(guò)這種情況，是在驅(qū)動(dòng)一塊參數(shù)有問(wèn)題。

 我斷開地線的時(shí)候中間層是斷開的，量過(guò)了

原理圖如下：

問(wèn)題解決了。

ttkx365是對(duì)的。我把輸出采樣的地接到輸入地了，剛才改到輸出地上，問(wèn)題解決了。雖然還是有一點(diǎn)點(diǎn)，但是已經(jīng)不影響我的指標(biāo)了。

附上兩者對(duì)比圖片：

采樣地接到輸入端：

接到輸出地：

整流管是STPS30H60，30A/60V的，D2PAK封裝，昨天加電滿載工作一小時(shí)，沒(méi)有任何額外散熱措施，二極管是有點(diǎn)燙手，不過(guò)還能接受。但是密閉環(huán)境中肯定不行了，所以后面還得想辦法加強(qiáng)散熱。

倒是MOS和電流采樣電阻在低壓輸入的時(shí)候發(fā)熱嚴(yán)重，時(shí)間一長(zhǎng)手就不敢摸了，不能長(zhǎng)時(shí)間工作。目前用的MOS管RDS是17毫歐，準(zhǔn)備換為7毫歐的再試試。電流采樣電阻5毫歐，恐怕不能再小了。現(xiàn)在正在考慮怎么額外增加散熱呢。

你有什么好的辦法嗎？你的散熱器是怎么貼的？我實(shí)際的板子可能會(huì)比目前的大一點(diǎn)

我板子的頂層（還得調(diào)整，散熱面積還得加大）：

MOSFET最熱的情況是在25V輸入的時(shí)候還是15V的時(shí)候還是全都這么熱？理論上，BOOST電路損耗最大的應(yīng)該是整流管，開關(guān)管上的損耗是很少的，而且SI7852的封裝散熱應(yīng)該很好的，3862沒(méi)有接觸過(guò)，不知道驅(qū)動(dòng)電壓是不是5V的，如果是5V的，SI7852的驅(qū)動(dòng)就有點(diǎn)不匹配，換個(gè)5V驅(qū)動(dòng)的MOSFET試一試，而且用這么好的MOSFET，1只就足夠應(yīng)付了，不需要2只并聯(lián)的，并聯(lián)后不單增加了排版的復(fù)雜性，分布電容也同時(shí)增大，反而會(huì)降低性能。你可以去掉1只試驗(yàn)一下。

我的散熱辦法是用3M的導(dǎo)熱雙面膠粘貼鋁散熱器15（長(zhǎng)）*10*10到整流管旁邊，協(xié)助散熱，但即使這樣，也需要有良好的散熱通道才行，在封閉的情況下（滿負(fù)荷運(yùn)行），時(shí)間長(zhǎng)了還是會(huì)燒。

采樣電阻我用威世的3W合金金屬箔電阻，1只搞定，溫度都在75~80度（25度環(huán)境下），不怕它損壞，嘿嘿。

1.低壓輸入的時(shí)候熱，應(yīng)該是因?yàn)檩斎腚娏鞔螅琈OS和電阻上損耗增大，二極管溫度倒還可以

2.3862出來(lái)的驅(qū)動(dòng)我測(cè)過(guò)，是10V的，并聯(lián)主要是想盡量減小RDS，而且兩個(gè)MOS分擔(dān)一下也踏實(shí)點(diǎn)

3.至于散熱，照你說(shuō)的先試試

下來(lái)準(zhǔn)備換成這個(gè)管子，RDS更小，只有7毫歐

如果只是低壓輸入的時(shí)候MOSFET較熱那還是可以理解的。

只是PCB上怎么多的焊盤（看上去應(yīng)該不是過(guò)孔吧？當(dāng)然焊盤一定程度也是一樣的）是什么作用？過(guò)到其它層幫助散熱？

是的，充分利用其它層。

另外，有一部分是焊盤，原來(lái)打算用立式骨架繞電感，后來(lái)直接用鐵硅鋁磁環(huán)了，那些焊盤沒(méi)用了

這個(gè)值得研究，是否必須使用4層板或者是6層板呢