上面的原理圖,下面的PCB Layout:
圖中:F1用的常用的玻璃易斷型1A/250VAC的保險管,VR2是10D471K!
現在客戶要求按照EN61000-4-5(差模:500VAC,共模1KVAC)做浪涌測試,結果不行,測不過,客戶又急著要方案,以前沒有做相關的案子,請給位高手指點指點! 謝謝了!希望各位多多給力!
0.5KV 差模,1KV共模這個指標其實已經是很低很低的了,我們之前做的電源都要求差模3KV,共模6KV,所以說,你這個指標應該是很好過的,下面我們來分析一下失效的原因及改善措施。
1)所謂差模,就是在L,N之間疊加一個浪涌電壓,當這個浪涌電壓產生后,就會被疊加到整流后的電解上面,當然,由于電容的特性,疊加在電解之上的電壓峰值也許并沒有浪涌峰值這么高,(另外,雖然壓敏電阻可以幫助你吸收掉一部分浪涌電壓,但是由于壓敏電阻的反應時間比較慢,有可能會不起作用,而且,就算起作用,他也只會把浪涌電壓抑制在一個合理范圍內,在整流以后的電容上還是會疊加),這個峰值電壓連同漏感電壓和次級的反射電壓共同加到MOS的DS上,使MOS耐壓承受不住,導致擊穿,同時,這個電壓被變壓器按砸比傳輸到次級,使次級整流管過壓擊穿。這就是你兩個器件失效的原因,當然,打共模浪涌也會使這兩個功率器件失效,但是失效的機理是不一樣的
2)改善對策,首先,我們在電源正常工作的情況下要要保證這兩個功率器件要有余量,如果用600V的MOS,我們可以通過,控制漏感,調整反射電壓,來讓VDS電壓控制在520V左右,通過調節扎比和選用高耐壓的整流管,控制次級整流管的余量,最好有15%--20%,當然調節初次級的吸收回路,也可以把漏感尖峰給控制下來,另外,PCB LAYOUT有兩個功率環路走線要注意,一個就是初級的功率環路,一個就是次級的功率環路,在我們PCB上的走線面積要盡量的小,總之,你能讓這兩個功率器件有適當的電壓余量,這個問題也就解決了,我想,你現在電源在正常工作的時候,根本已沒有什么電壓余量,所以,一個500V的浪涌就可以把電源給打失效了
蟲兄不但是高手還是個好人哪!謝謝了!
MOS的VDS在500V, MOS用的是4N60;次極峰值120V,現在用的是3A200V的管子.
另外想問一下:兩個功率環路走線要注意,一個就是初級的功率環路,一個就是次級的功率環路,在我們PCB上的走線面積要盡量的小,???
你所初級功率地說的是 MOS的S極到檢測電阻到接地的環路?次極功率環路是變壓器到 次極整流管之間的環路嗎??
請多多指點!!!!!