近日發現有些兄弟在為IGBT發熱問題所困擾,本人試歸納了以下幾點體會供參考,有不足的地方請各位指出。
一、IGBT的損耗主要包括通態損耗和開關損耗。
二、通態損耗主要取決于IGBT的導通飽和壓隆Vce(sat),開關損耗主要取決于開通時間ton和關斷時間toff,不同的頻率及不同的電路方式,這兩種損耗所占的總損耗的比例是不同的。
三、當工作頻率較低時,通態損耗是主要的,建議選取低飽和壓隆的IGBT;當工作頻率較高時,開關損耗是主要的,建議選取短拖尾電流的快速IGBT。
四、選用更大電流的模塊則可把開關速度提高并減小開關損耗。
五、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗,在串聯諧振電路中,IGBT開通時做到零電壓開通是較易做到的,這時的開通損耗極小;IGBT關斷時做到接近零電流關斷是可以做到的,這時的關斷損耗也較小。
六、柵極電阻RG減小可縮短開通時間ton和關斷時間toff,并減小了開通損耗和關斷損耗,但卻增加了浪涌電壓和電磁干擾。RG的選取是應在各個矛盾中選取一個平衡點。