這段時間在學(xué)習(xí)反激，有兩個疑問，求教各位老師...
1.都知道反激變壓器為防止飽和開氣隙增加磁阻，我想弄明白的是這個磁阻和變壓器飽和之間理論上的關(guān)系是怎樣的？另開氣隙后的變壓器磁阻數(shù)據(jù)是怎樣得來？因為據(jù)我所知計算鐵損磁阻好像是一個必要參數(shù)，就以磁材的數(shù)據(jù)表上的嗎？但開氣隙的那一段空氣磁阻呢？
2.CCM和DCM兩種模式的磁滯曲線區(qū)別在哪里？
請各位老師在百忙中不吝賜教，謝謝！
反激電路的磁學(xué)疑問，求解！
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①外加的伏秒值、匝數(shù)、磁芯面積決定了交變磁通量；
VTon(n) + Np + Ae → △B
②直流平均電流值、匝數(shù)、磁路長度決定了直流磁場強度；
Idc + Np + Le（lg） → Hdc
③加氣隙和不加氣隙，磁芯飽和磁感應(yīng)強度是一樣的；但加氣隙的磁芯能顯著
減小剩磁Br，另外，加氣隙可以承受大的多的直流電流；
上述分析中（見開關(guān)電源手冊），居然沒有LP、IP，與LP等無關(guān)嗎？
電感量Lp可是決定了流過繞組中（交/直）電流的大小，經(jīng)典教材是不會出錯的。
換句話說，CCM模式反激變換，必須分別計算交流磁感應(yīng)強度和直流磁感應(yīng)強度。很抱歉，公式粘貼不上來。單純?nèi)パ芯看判局械哪骋粋€量，好像沒有太多的實際意義啊。
個人觀點：設(shè)計CCM模式反激變壓器時，一定要分別計算交、直流磁感應(yīng)強度的大小，也就是 “單獨" 去計算NP、LP
（影響直流B的量很復(fù)雜，LP決定IP、IDC的大?。↖P與交流B無關(guān)），IDC決定氣隙的大小，固定的NP、氣隙決定LP）
更嚴(yán)謹(jǐn)分析的話，VIN、匝數(shù)比N同樣決定IDC。所以計算之前我們必須首先確認(rèn)哪些是已知量（例如VIN、AE、LE），哪些是可變量（例如IDC、氣隙），否則一環(huán)扣一環(huán)，計算全亂套了。
（交流B很簡單，它只與VIN、TON、NP有關(guān)，先不考慮AE，由于DCM反激變壓器中沒有IDC，所以設(shè)計非常簡單）
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