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多層片式陶瓷電容器基礎再學習

A.電容量
電容器的基本特性是能夠儲存電荷(Q),而Q值與電容量(C)和外加電壓(V)成正比。
Q = CV
因此充電電流被定義為:
= dQ/dt = CdV/dt
當外加在電容器上的電壓為1伏特,充電電流為1安培,充電時間為1秒時,我們將電容量定義為1法拉。
C = Q/V = 庫侖/伏特 = 法拉
由于法拉是一個很大的測量單位,在實際使用中很難達到,因此通常采用的是法拉的分數,即:
皮法(pF) = 10-12F
納法(nF) = 10-9F
微法(mF)= 10-6F
B.電容量影響因素
對于任何給定的電壓,單層電容器的電容量正比于器件的幾何尺寸和介電常數:
C = KA/f(t)
K = 介電常數
A = 電極面積
t = 介質層厚度
f = 換算因子
在英制單位體系中,f = 4.452,尺寸A和t的單位用英寸,電容量用皮法表示。單層電容器為例,電極面積1.0×1.0″,介質層厚度0.56″,介電常數2500,
C = 2500(1.0)(1.0)/4.452(0.56)= 10027 pF
如果采用公制體系,換算因子f = 11.31,尺寸單位改為cm,
C = 2500(2.54)(2.54)/11.31(0.1422)= 10028 pF
正如前面討論的電容量與幾何尺寸關系,增大電極面積和減小介質層厚度均可獲得更大的電容量。然而,對于單層電容器來說,無休止地增大電極面積或減小介質層厚度是不切實際的。因此,平行列陣迭片電容器的概念被提出,用以制造具有更大比體積電容的完整器件,如下圖所示。
在這種“多層”結構中,由于多層電極的平行排列以及在相對電極間的介質層非常薄,電極面積A得以大大增加,因此電容量C會隨著因子N(介質層數)的增加和介質層厚度t’的減小而增大。這里A’指的是交迭電極的重合面積。
C = KA’N/4.452(t’)
以前在1.0×1.0×0.56″的單片電容器上所獲得的容量,現在如果采用相同的介質材料,以厚度為0.001″的30層介質相迭加成尺寸僅為0.050×0.040×0.040″的多層元件即可獲得(這里重合電極面積A’為0.030×0.020″)。
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hk2007
LV.8
2
2011-04-08 14:46

請教一下:我有兩顆smd電容,

一個規格為:1nF,50V,0603 ,X7R ;   

另一個規格為:1nF,50V,0805,X7R

請問這兩種貼片電容有啥區別(除了尺寸)?

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jmsanjv
LV.3
3
2011-04-08 16:02
@hk2007
請教一下:我有兩顆smd電容,一個規格為:1nF,50V,0603,X7R;   另一個規格為:1nF,50V,0805,X7R請問這兩種貼片電容有啥區別(除了尺寸)?

 如是同一廠家,同一材料技術體系設計制造,在電性能上,一 般地0805的ESR要低一些,發熱要小一些,散熱性較好一些,SMT焊接上立碑不良要少很多。當然成本上,0805要高一些。

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hk2007
LV.8
4
2011-04-08 16:09
@jmsanjv
 如是同一廠家,同一材料技術體系設計制造,在電性能上,一般地0805的ESR要低一些,發熱要小一些,散熱性較好一些,SMT焊接上立碑不良要少很多。當然成本上,0805要高一些。
謝謝您的解答
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jmsanjv
LV.3
5
2011-04-08 16:17
@hk2007
謝謝您的解答
團長客氣了!
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hlp330
LV.9
6
2011-04-08 17:47
@jmsanjv
團長客氣了!
最近用瓷片電容發現一個問題,就是過爐后,有一定的概率斷裂,不知道為什么?
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jmsanjv
LV.3
7
2011-04-09 01:06
@hlp330
最近用瓷片電容發現一個問題,就是過爐后,有一定的概率斷裂,不知道為什么?

是回流焊爐,還是波峰焊爐?如是波峰焊爐,要注意一下預熱溫度足夠高時間足夠長.大規格1206及以上尺寸產品,用波峰焊極易出現開裂,只推薦回流焊. 當然,MLCC設計制造不良,尤其材料不匹配,即使加強預熱,亦難以避免芯片開裂,這點通過耐焊接熱試驗鑒別出來.

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cheng111
LV.11
8
2011-04-09 14:24
@jmsanjv
是回流焊爐,還是波峰焊爐?如是波峰焊爐,要注意一下預熱溫度足夠高時間足夠長.大規格1206及以上尺寸產品,用波峰焊極易出現開裂,只推薦回流焊. 當然,MLCC設計制造不良,尤其材料不匹配,即使加強預熱,亦難以避免芯片開裂,這點通過耐焊接熱試驗鑒別出來.

0603封裝的電容,在手工焊接時溫度一般多少合適?

我前面遇到這么一個現象,0603的電容,用了一段時間后發現已經裂開了。不知道是什么原因?

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jmsanjv
LV.3
9
2011-04-10 16:01
@cheng111
0603封裝的電容,在手工焊接時溫度一般多少合適?我前面遇到這么一個現象,0603的電容,用了一段時間后發現已經裂開了。不知道是什么原因?

樣品試用階段難免要使用手工焊接,手工焊接時注意溫度不能太高,盡量低于280deg.c,且焊頭不能接觸到瓷體.否則,易出現焊接裂紋,嚴重的焊接裂紋肉眼可見,微小焊接裂紋在電應力下會擴大致芯片失效.

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jmsanjv
LV.3
10
2011-05-05 10:16
@hk2007
請教一下:我有兩顆smd電容,一個規格為:1nF,50V,0603,X7R;   另一個規格為:1nF,50V,0805,X7R請問這兩種貼片電容有啥區別(除了尺寸)?
鐵電體陶瓷電容器的容量和介質損耗會展現出隨時間延長而衰減的趨勢。這種被稱為老化的現象是可逆的,其產生的原因在于鐵電體晶體結構隨溫度而變化。
鐵電介質以鈦酸鋇(BaTiO3)為主要成分,加入一定的氧化物以改變材料晶體慣態和對稱性,產生出鐵電疇。在居里點(120℃)附近,BaTiO3晶體結構由四方相轉變為立方相,自發極化不再發生。而當冷卻通過居里點時,材料晶體結構又重新由立方相轉變為四方相,其點陣結構中不存在對稱中心。Ti4+離子可以占據兩個非對稱位置中的一個,從而導致永久性電偶極。由于相鄰晶胞相互作用的影響足以建立起極化疇,因此這些電偶極是自發產生和略微有序的。平行極化疇是隨機取向的(在沒有外加電場作用的情況下),給系統提供應變能。而應變能的松弛正是材料介電常數老化的原因,具有下列時間關系:
K = K0 -m log t
這里 K = 任意時間t處的介電常數
K0 = 時間t0(t0 < t)處的介電常數
m = 衰減速率
上面公式是對數關系,如果采用半對數圖處理所得數據,其結果將會近似于一條直線。每十倍時內K(或電容量)變化的百分數可以通過計算得出,用做衡量瓷料優劣的一個指標。
與微觀結構有關,進而對極化產生影響的的因素(材料純度、晶粒尺寸、燒結情況、晶界、空隙率,內應力)同樣也決定了疇壁移動和重新取向的自由程度。
例 (a) 老化速率 = -5% / 5 十倍時 = 1.0% / 十倍時(小時)
例 (b) 老化速率 = -15% / 6 十倍時 = 2.5% / 十倍時(小時)
由此可知,材料老化的速率與材料組分和工藝過程密切相關,同時對那些影響材料介電常
數的因素也非常敏感。
鐵電體容量的時間損耗是不可避免的,盡管通過把介質加熱到居里點以上,使材料晶體結構變回“順電”立方態的方法可以得到恢復。但一旦冷卻下來,材料晶體結構再次轉變為四方相,自發極化再次出現,產生的新極化疇使得老化過程重新開始。
順電體,例如NPO,中由于不存在自發極化的機制,因此觀察不到老化現象。老化速率受電容器“電壓狀態”的影響。元件在高溫(低于居里溫度)直流偏壓負荷試驗中表現出了容量損耗,但老化速率很低。從理論上講,高溫下的電壓負荷會促進極化疇的的弛豫。當然,如果實際溫度超過了居里點,電壓效應則會消失。
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jmsanjv
LV.3
11
2011-11-24 16:13
@jmsanjv
鐵電體陶瓷電容器的容量和介質損耗會展現出隨時間延長而衰減的趨勢。這種被稱為老化的現象是可逆的,其產生的原因在于鐵電體晶體結構隨溫度而變化。鐵電介質以鈦酸鋇(BaTiO3)為主要成分,加入一定的氧化物以改變材料晶體慣態和對稱性,產生出鐵電疇。在居里點(120℃)附近,BaTiO3晶體結構由四方相轉變為立方相,自發極化不再發生。而當冷卻通過居里點時,材料晶體結構又重新由立方相轉變為四方相,其點陣結構中不存在對稱中心。Ti4+離子可以占據兩個非對稱位置中的一個,從而導致永久性電偶極。由于相鄰晶胞相互作用的影響足以建立起極化疇,因此這些電偶極是自發產生和略微有序的。平行極化疇是隨機取向的(在沒有外加電場作用的情況下),給系統提供應變能。而應變能的松弛正是材料介電常數老化的原因,具有下列時間關系:K=K0-mlogt這里K=任意時間t處的介電常數K0=時間t0(t0

關于貼片電容裂紋原因分析,已發新貼。請查閱“陰魂不散的貼片電容裂紋”

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cheng111
LV.11
12
2011-11-24 20:44
@jmsanjv
樣品試用階段難免要使用手工焊接,手工焊接時注意溫度不能太高,盡量低于280deg.c,且焊頭不能接觸到瓷體.否則,易出現焊接裂紋,嚴重的焊接裂紋肉眼可見,微小焊接裂紋在電應力下會擴大致芯片失效.
啊,我一般都是350度,要速度,就這樣了。
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jmsanjv
LV.3
13
2011-11-26 08:52
@cheng111
啊,我一般都是350度,要速度,就這樣了。[圖片]
這樣的焊接條件確是容易產生電容熱裂紋的,尤其是X7R類多層片式陶瓷電容。
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cheng111
LV.11
14
2011-11-26 13:09
@jmsanjv
這樣的焊接條件確是容易產生電容熱裂紋的,尤其是X7R類多層片式陶瓷電容。
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2011-11-26 16:57
@jmsanjv
關于貼片電容裂紋原因分析,已發新貼。請查閱“陰魂不散的貼片電容裂紋”
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cheng111
LV.11
16
2011-11-27 08:04
@jmsanjv
關于貼片電容裂紋原因分析,已發新貼。請查閱“陰魂不散的貼片電容裂紋”
期待LZ繼續更新。
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xy_k8299
LV.6
17
2012-04-13 21:08
@jmsanjv
是回流焊爐,還是波峰焊爐?如是波峰焊爐,要注意一下預熱溫度足夠高時間足夠長.大規格1206及以上尺寸產品,用波峰焊極易出現開裂,只推薦回流焊. 當然,MLCC設計制造不良,尤其材料不匹配,即使加強預熱,亦難以避免芯片開裂,這點通過耐焊接熱試驗鑒別出來.
被貼片電容困擾過的飄過。
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jmsanjv
LV.3
18
2012-04-22 11:51
@xy_k8299
被貼片電容困擾過的飄過。

不知曾被貼片電容那類問題困擾過,現在是否已解決了?

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