這個波形正常嗎?

LV.5

2011-04-02 15:39

@firefox886

兄弟,你的圖掛了!重發吧!

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lanzzr

LV.3

2011-04-02 20:18

@天斌

[圖片]

關斷點太高了，振蕩毛刺也太嚴重了

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firefox886

LV.9

2011-04-02 23:36

@天斌

[圖片]

一是電感量大了，移相過多，二是沒有高頻退耦濾波！

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LV.5

2011-04-03 10:12

@lanzzr

關斷點太高了，振蕩毛刺也太嚴重了

毛刺是很嚴重哦!那怎么處理好呢,IGBT上增加吸收電容了也沒什么作用!

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LV.5

2011-04-03 10:14

@firefox886

一是電感量大了，移相過多，二是沒有高頻退耦濾波！

高頻退耦濾波,是指igbt上的吸收電路嗎?

還是>>>>?????

請指教!

謝謝!

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牛角先生

LV.5

2011-04-16 14:12

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LV.9

2011-04-16 18:09

@天斌

高頻退耦濾波,是指igbt上的吸收電路嗎?還是>>>>?????請指教!謝謝!

應該說的是直流母線吸收電容器，接在正負極之間。

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LV.5

2011-04-17 06:50

@my.mai

應該說的是直流母線吸收電容器，接在正負極之間。

如果是母線吸收電容，我加了，沒有什么用，從3UF加到15UF作用不大！波形上看不出來，我吸收電路是RCD吸收再加上母線電容的！

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LV.5

2011-04-17 08:13

@天斌

如果是母線吸收電容，我加了，沒有什么用，從3UF加到15UF作用不大！波形上看不出來，我吸收電路是RCD吸收再加上母線電容的！

高頻開關電路的毛刺很多是由于共模干擾造成的測量誤差。

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LV.9

2011-04-17 08:22

@my.mai

應該說的是直流母線吸收電容器，接在正負極之間。

<我吸收電路是RCD吸收再加上母線電容的！>按理這樣做波形應當是非常漂亮了。你先把電路工作在諧振點，再把波形貼上來，就可以進一步判斷問題在何處了。

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jakehusonic

LV.4

2011-04-17 10:28

@my.mai

應該說的是直流母線吸收電容器，接在正負極之間。

麥工，請問您的電話多少，我想用您的電容

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spt77

LV.5

2011-04-17 17:32

@天斌

如果是母線吸收電容，我加了，沒有什么用，從3UF加到15UF作用不大！波形上看不出來，我吸收電路是RCD吸收再加上母線電容的！

我認為可以從以下幾個方面入手：

1、移相太多了，減小移相再看看！

2、雖然有RCD吸收電路，但參數合適嗎？

3、電流是怎么測得的？有時候示波器探頭回路太大也會使波形顯示毛刺！

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LV.5

2011-04-17 18:37

@igbtsy

按理這樣做波形應當是非常漂亮了。你先把電路工作在諧振點，再把波形貼上來，就可以進一步判斷問題在何處了。

全橋串聯諧振是不需要RCD吸收回路的。

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LV.9

2011-04-17 19:10

@jakehusonic

麥工，請問您的電話多少，我想用您的電容

我QQ:824850939 最近在出差，最好QQ上留言。

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LV.5

2011-04-17 19:37

@wangjinchao

全橋串聯諧振是不需要RCD吸收回路的。

這個我可不同意，不需要，但是有只有好處，不知道您能否說出不需要的理由。

謝謝

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LV.5

2011-04-17 19:41

@igbtsy

按理這樣做波形應當是非常漂亮了。你先把電路工作在諧振點，再把波形貼上來，就可以進一步判斷問題在何處了。

在外面出差?；厝ズ笤囋嚕?/div>

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LV.9

2011-04-17 20:31

@igbtsy

按理這樣做波形應當是非常漂亮了。你先把電路工作在諧振點，再把波形貼上來，就可以進一步判斷問題在何處了。

全橋串聯諧振不用RCD吸收波形已經是非常漂亮了，但是用了RCD吸收波形更好，更主要的是R很熱，相當于把IGBT上的部分熱量轉移到了R上。有些產品是這樣做的。到底是用RCD吸收還是不用，只用C吸收？要進行可靠性計算后才能確定，主要是R的發熱增加了R的失效率，而IGBT的失效率則降低，總的失效率是增加還是降低要由計算值來確定，這是科學的方法。

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LV.9

2011-04-17 20:46

@igbtsy

我見過人家的機器，RC吸收，R是十幾個10W的電阻并聯的，看來發熱功率很高。

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LV.5

2011-04-17 20:51

@天斌

這個我可不同意，不需要，但是有只有好處，不知道您能否說出不需要的理由。謝謝

你看一看，在IGBT的C E兩極并聯有電容，但是那個電容可不是單純的“吸收”電容，容量還較大。

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http://bbs.dianyuan.com/topic/648199

LV.9

2011-04-17 22:25

@wangjinchao

你看一看，在IGBT的CE兩極并聯有電容，但是那個電容可不是單純的“吸收”電容，容量還較大。

CE端的吸收電容，容量多少？

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jakehusonic

LV.4

2011-04-18 10:41

@my.mai

我QQ:824850939最近在出差，最好QQ上留言。

已發QQ郵箱

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spt77

LV.5

2011-04-18 12:32

@igbtsy

這個東東應該就是解決“R”問題的!

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LV.5

2011-04-18 13:37

@my.mai

CE端的吸收電容，容量多少？

根據電流的大小而不同，設計的依據是：該電容的充放電時間大于IGBT的關斷時間，小于死區時間。既然有了這樣一個電容，還要什么RC吸收？

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LV.9

2011-04-18 14:01

@my.mai

CE端的吸收電容，容量多少？

模塊底板面積大，可以不用RCD吸收，這樣電路簡單些，非模塊組成的半橋或全橋，由于單管的集電極底板面積很小，單位時間內傳出的熱量有限，為了降低管芯溫度，大都是用RCD吸收，把管子中的熱量轉換到外部的R中，所以R功耗很大。

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LV.5

2011-04-18 14:31

@igbtsy

設計電路時是不可以將另外的外部能量轉移到管芯里去的，在單管電源電路中，電容的能量必將以熱量的形式消耗在放電回路中，阻值越高，熱量越大，因此，用外接電阻器的形式耗散熱量。但是，在全橋串聯調頻諧振感應加熱電路中，卻與此不同，在任何時候，回路中的電流都是可以流通的。理想狀態下，負載是唯一一個產生功率消耗的部件。

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LV.5

2011-04-18 19:25

@my.mai

我見過人家的機器，RC吸收，R是十幾個10W的電阻并聯的，看來發熱功率很高。

先說明下，1，此波形雖然不好，但是對同一負載可以正常工作

2，單在IGBT母線上加C試了也可以正常工作，

3，個人分析母線上加C吸收IGBT關斷產生的尖峰電壓，但是在IGBT導通時電容放電使IGBT開通電流增加，此電流會使IGBT發熱量增加，同時根據資料介紹還容易和母線電感產生共振。不太讓人放心所以加了RCD吸收！

4，只用RC吸收時當的取10R/200W，加了D后適當增加了R的阻值，現在R功率是50W，效果當然也不是太好！可能是參數沒調整好，買了高壓探頭打算看看UCE的波形。效果不好的意思并不是不能工作，而是波形不是很理想，

5，我的在IGBT輸出接到負載處加了電流互感器100：1的，在直流IGBT輸入處加了電壓傳感器，用了一個負載試驗，到過流或過壓值都能保護，但是換負載后（與試驗負載相差較大）當出現問題保護總是慢一拍！即本人的機子用固定負載沒有問題，但是當負載變化很大時就容易壞IGBT。求解！

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LV.9

2011-04-18 21:22

@wangjinchao

你可以做個試驗，在其它都不變的條件下，只更換C吸收及CRD吸收，看功率管在二種不同的吸收狀態下的發熱情況。就知道其中的差別了。當然為了對比的準確性，請把二種情況下的試驗都在諧振狀態下做，不然的話就沒有比較的基準了。

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