為提高大家的興趣,我先講一點(diǎn)變壓器.
大家都知道變壓器有兩種繞法:順序繞法和夾層繞法.這兩種繞法對(duì)EMI和漏感有不同的影響.
順序繞法一般漏感為電感量的5%左右,但由于初,次級(jí)只有一個(gè)接觸面,耦合電容較小,所以EMI比較好.
夾層繞法一般漏感為電感量的1-3%左右,但由于初,次級(jí)只有兩個(gè)接觸面,耦合電容較大,所以EMI比較難過(guò).一般30-40W以下,功率不大,漏感能量還可以接受,所以用順序繞法比較多,40W以上,漏感的能量較大,一般只能用夾層繞法.

變壓器的漏感主要與哪些因素有關(guān)呢?
我看到你的關(guān)于變壓器的繞法,覺(jué)得你的經(jīng)驗(yàn)很豐富.我想請(qǐng)教一個(gè)問(wèn)題:變壓器的漏感主要與哪些因素有關(guān)呢?

幾個(gè)因素,最重要的兩個(gè).
繞組順序:夾層繞法一般是先初級(jí),后次級(jí)的1/2-1/3.
變壓器形狀:長(zhǎng)寬比越大的變壓器漏感越小.

如何確定功率?
在反激式開(kāi)關(guān)電源中,變壓器相當(dāng)于電感的作用.在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí),變壓器儲(chǔ)能,開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),變壓器向次級(jí)釋放能量.那么功率由開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通電流確定還是電感量確定?
在反激開(kāi)關(guān)電源變壓器設(shè)計(jì)時(shí),如何計(jì)算變壓器的氣隙?
能否詳細(xì)介紹開(kāi)關(guān)電源的斜率補(bǔ)償?shù)淖饔?原理?

你這個(gè)問(wèn)題問(wèn)的不是很科學(xué).
功率既不是由電感量確定,也不是由開(kāi)關(guān)管確定,是由你的需要確定.
一般程序是這樣,由功率和經(jīng)驗(yàn)效率確定變壓器的型號(hào),也可以由“AP”等書(shū)上介紹的方法確定變壓器,我一般是根據(jù)經(jīng)驗(yàn)確定,要求比較嚴(yán)格時(shí)用允許溫升確定變壓器型號(hào).確定變壓器后其他參數(shù)可算出.包括開(kāi)關(guān)管的電流,這樣就可以選管子.
變壓器的氣隙有相關(guān)的公式計(jì)算,但注意氣息一般不要大于1毫米,否則可能引起邊緣磁通效應(yīng)使初級(jí)有過(guò)熱點(diǎn).
反激電壓方式不需要斜率補(bǔ)償.電流方式大于50%脈寬,或?yàn)榱朔乐乖胍粲绊懶枰?計(jì)算方法可參考3842應(yīng)用指南.

都有關(guān)
非連續(xù)狀態(tài)下: 初級(jí)電感中的單位時(shí)間儲(chǔ)存的能量:W=1/2*Lp*Ip^2*f
Lp:初級(jí)電感量
Ip:初級(jí)電流峰值
f:頻率

開(kāi)關(guān)管關(guān)閉時(shí),上述能量向次級(jí)傳送,一部分被損耗,剩下的為輸出功率.

GO ON:變壓器的兩種屏蔽層.
在小功率電源變壓器中,一般有兩種兩種屏蔽層,銅薄和繞組.銅薄的原理是切斷了初次級(jí)間雜散電容的路徑,讓其都對(duì)地形成電容,其屏蔽效果非常好,但工藝,成本都上升.繞組屏蔽有兩種原理都在起作用:切斷電容路徑和電場(chǎng)平衡.所以繞組的匝數(shù),繞向和位置對(duì)EMI的結(jié)果都有很大影響.可惜我不會(huì)在這里畫(huà)圖來(lái)講解,總之有一點(diǎn):屏蔽繞組感應(yīng)的電壓要和被屏蔽繞組工作時(shí)的電壓方向相反.
屏蔽繞組的位置對(duì)電源的待機(jī)功耗有較大的影響.下節(jié)講變壓器浸漆和屏蔽繞組位置對(duì)待機(jī)功耗的影響.

能否再詳細(xì)一些
最好還是能夠用例圖來(lái)說(shuō)明.變壓器是電源里非常非常重要的器件,有很多設(shè)計(jì)技巧在里面.你的選題都特別好,是我們特別想知道的,所以如果能象LEO那樣用圖和理論分析加以說(shuō)明,一定會(huì)對(duì)大家大有裨益的.最好能結(jié)合FLYBACK電路來(lái)講.

你都試過(guò)什么文件格式?

你說(shuō)的屏蔽層是不是這個(gè)意思
只是起隔離作用的一個(gè)隔離層?(對(duì)不起,我接觸的都是些通訊電源和儀表電源都是體積小的二次片式電源,所用的變壓器也都是采用體積小的表貼變壓器,沒(méi)有用什么屏蔽層,也沒(méi)有見(jiàn)過(guò)其它同類電源用屏蔽層),你所說(shuō)的用了屏蔽層的電源主要用在哪方面?這樣一來(lái)是不是體積就大了呢?還有你的“屏蔽繞組感應(yīng)的電壓要和被屏蔽繞組工作時(shí)的電壓方向相反”是什么意思?還有,你的屏蔽繞組輸出接哪兒?最好能圖文結(jié)合,這樣大家的興趣不是就來(lái)了嗎?

對(duì)啊,我也想知道
銅薄和繞組屏蔽分別用在什么場(chǎng)合?

對(duì),還是詳細(xì)些好 .
繞組屏蔽的匝數(shù),繞向和位置對(duì)EMI怎樣產(chǎn)生影響呢?

你的結(jié)論性的敘述確實(shí)很難討論的.

屏蔽的“接地”
屏蔽在初次級(jí)間時(shí),其接地可以不接,接原邊地,接次邊地,接大地幾種形式,一般接原邊的地的情況較多.不知道cmg兄是如何處理的.
變壓器的外部加屏蔽,特別在flyback中,由于要加氣隙,在批量小或簡(jiǎn)單起見(jiàn),不是只在中間加,而是磁心截面全有氣隙,為減小外部氣隙的磁場(chǎng)干擾,而加屏蔽的,此屏蔽一般接大地.

是EMI屏蔽,非安全屏蔽.
可以接原邊的地線,也可以接原邊的高壓端,EMI幾乎沒(méi)有分別,因?yàn)橛懈邏弘娙荽嬖?上下對(duì)共模信號(hào)(一般大于1M后以共模干擾為主)來(lái)說(shuō)是等電位的.
變壓器的外部屏蔽可以不接,也可以接初級(jí)地線,其對(duì)EMI的影響看繞組內(nèi)部的情況,但注意安規(guī)的問(wèn)題,接初級(jí)地線,磁芯就是初級(jí).

漏感很重要嗎?
設(shè)計(jì)出一個(gè)變壓器,你能說(shuō)說(shuō)一步一步該怎么走么,就是你設(shè)計(jì)的流程!

贊同!
建議:如果有相關(guān)的資料下載就好了!

你再詳細(xì)的看一下此BBS的所有帖子.
有很多人都說(shuō)過(guò)了,都差不多,我不在重復(fù)了.

可我才參加討論
我設(shè)計(jì)了個(gè)輔助電源,磁芯給定了,我就不會(huì)算匝數(shù),每本書(shū)上的公式都不一樣,我看了你們的討論,也沒(méi)有一個(gè)人詳細(xì)的說(shuō)說(shuō),其實(shí)討論這么多,還不如具體的舉一個(gè)例子,一步一步的教會(huì)大家做了,然后再展開(kāi)討論,你說(shuō)呢?

屏蔽繞組的位置對(duì)電源的待機(jī)功耗有較大的影響?不太明白
是不是這個(gè)意思:屏蔽繞組對(duì)變壓器的工作有影響,例如漏感,尖峰,離散電容等?

屏蔽繞組對(duì)變壓器的工作有影響
屏蔽繞組為了起到很好的作用,一般緊靠初級(jí),這樣它跟初級(jí)繞組之間形成一個(gè)電容,屏蔽繞組一般接初級(jí)地線或高壓端,這個(gè)電容就相當(dāng)于接在MOS的D-S端,很明顯造成很大的開(kāi)通損耗.影響了待機(jī)功耗,對(duì)3842控制來(lái)說(shuō)還可能引起空載不穩(wěn)定.當(dāng)然,加屏蔽也會(huì)使漏感增大,但此影響在空載時(shí)是次要的.

明白了.那是不是減小了關(guān)斷損耗呢?
如果關(guān)斷損耗比開(kāi)通損耗大呢?

理論上關(guān)斷損耗會(huì)小.
但由于關(guān)斷電路作用都很強(qiáng),MOS速度又快,所以對(duì)關(guān)斷的損耗影響很小.
另外屏蔽引起的損耗嚴(yán)格來(lái)說(shuō)不全算開(kāi)通損耗,有一部分是導(dǎo)通損耗,在開(kāi)通瞬間和導(dǎo)通后,電容放電.用電流探頭可以很明顯看到導(dǎo)通瞬間有一個(gè)很大的尖峰.

我所在的公司用的方法跟你的有一點(diǎn)不一樣.
我公司很多人都是先初級(jí)1/2-次級(jí)-初級(jí)1/2,大家叫這為三明治繞法

CMG,我很欣賞你的觀點(diǎn),
你說(shuō)的過(guò)熱點(diǎn)指的是鐵芯還是線包,我所做的變壓器都是中柱加氣隙,加氣隙是磨掉一點(diǎn),以實(shí)際調(diào)整為準(zhǔn).在CCM模式下,計(jì)算的電感量往往不夠,要大點(diǎn)才行,我這樣做行嗎?

加屏蔽銅箔增加不了多少成本
假如銅箔接在初級(jí)地上,問(wèn)題在于加了屏氣銅箔,對(duì)地的分布電容會(huì)增加,初次馺什么信號(hào)會(huì)落地?我有試過(guò)有加了銅箔,特別在低壓輸入滿載輸出效果會(huì)更差的情況,實(shí)在是想不出是什么原因.
   繞組屏蔽我有見(jiàn)過(guò)博儀的電源,基本上就相當(dāng)于銅箔,也接在初級(jí)的地上,經(jīng)測(cè)試EMI,二者沒(méi)有大的區(qū)別

再請(qǐng)教一下
\"屏蔽繞組一般接初級(jí)地線或高壓端,這個(gè)電容就相當(dāng)于接在MOS的D-S端\"說(shuō)得很對(duì),只是在開(kāi)通時(shí),MOSFET導(dǎo)通,此時(shí)這個(gè)電容應(yīng)該不起作用,相反在關(guān)斷時(shí),因此電容的存在,我覺(jué)得損耗會(huì)大,我理解得同你差別太大,能解釋一下嗎.你可是我的崇拜者喲!

接地點(diǎn)很重要
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屏蔽層的位置
屏蔽層,可能有幾種位置.我想問(wèn)一下,在最里層、初次級(jí)中間和最外層有什么區(qū)別?

問(wèn)個(gè)入門(mén)的問(wèn)題!
Ip:初級(jí)電流峰值,怎么確定?

夾層?
好象是先原邊的二分之一,再逼邊,再原邊的二分之一吧!

很大的電流尖峰?
我看到很大的電流尖峰,你說(shuō)的尖峰是不是在FLYBACK的MOSFET開(kāi)通時(shí)有一個(gè)很大的尖峰,我以前一直沒(méi)法理解這是怎么來(lái)的,但我的變壓器好象沒(méi)有什么屏蔽呀,只是中間加了絕緣膠帶