首先想到的，便是變壓器的漏感！似乎不盡然。先回去找找資料再來！

開機時，一次側電流峰值是比較大的，此時漏感儲存的能量也是相當大，當然疊加在ds上的電壓尖峰也大了。

比如正常工作mos反壓570v，開機瞬間可達到680v。好象IC有軟啟動功能可解決這個問題。

關鍵詞：mos

為什么說剛開始工作時，RCD吸收不起作用呢？？？

這只是我的個人理解，不一定正確，或者起的作用比較小，不如工作一段時間后那么有效果。

這也反映在我的測試上。沖擊時是比較大的，待其工作一會后，會降下來的。沒有開機瞬間那么大。

的確。IC的緩啟動是可以解決的。這個可以從它的發生機理上看出。

啟機瞬間，反饋尚未建立，IC急于輸出電壓，驅動脈寬大，造成。不知理解準確否？

1  對電路增加緩啟動電路，顆抑制開機過沖

2  在不影響過流點的前提下，盡量將初級電流檢測電阻放大，也可抑制過沖

這個是不是也和MOS的雪崩量有關呢？

有的朋友說：這個反峰MOS的雪崩可以自己吸收，不會壞管。這樣是否靠譜？

確實，一直以來做沖擊測試也好，開機也好，都沒有壞管。不過感覺還是不好！

關鍵詞：MOS

你說，我把IC的啟動電阻增大，讓IC的啟動不那么快！

您說可行嗎？

這個跟工作狀態DCM,CCM有關系嗎？

有什么關系？

那自然是滿載?？蛰d，貌似沒有意義吧！

找到了你之前的帖子http://bbs.dianyuan.com/topic/607565。呵呵！

我這顆IC本身具有軟啟動這個功能。

不是啟動電阻，是將初級限流電阻增大

你現在沒有壞，只能說明你現在的這顆MOS可以承受620V的尖峰電壓。但是不等于顆顆都可以。不信，你就看批量生產中有沒有開機炸機的。

另外:600V的MOS，廠家晶圓在做的時候基本上都是按680V的承受指標來做的。但是，由于差異性，有的可能可以承受680V，有的可能只能承受600多一點，而廠家的測試標準是按600V來測試的，這就是廠家為了批量生產的良品率而放的余量，所以，我們在使用的過程中，也應該放置余量，不建議超負荷使用。

還有就是，MOS管的規格書中，確實有關于雪崩能量的數據，問題在于，他所給出的這個雪崩能量的數據是廠家在特定的溫度下，特定的頻率下，特定的占空比下測試給出的，那么，針對于我們實際使用中所超出的這部分尖峰電壓，

有誰能計算出這部分能量肯定沒有超出MOS規格書中所定義的雪崩能量，所以，MOS管在使用過程中的反峰電壓一定不能超過MOS管所規定的電壓，并應該適當放些余量。

關鍵詞：MOS管

的確如此！我也有這方面考慮。單個并不能代表所有！

限流電阻？是和MOS串聯的那個設置過流點的那個電阻吧？不能動了，以前調試反復很多次才確定下來比較合適的值。

很多東西回過頭來看，才發現有些細節做的不好！看來路還很長??！

關鍵詞：MOS

我理解你的意思！

你指的是：和MOS串聯的、設置過流點的那個電阻。對吧？

我說啟動電阻，是想延遲IC工作時間。這是我自己考慮的。今天試了下，感覺沒有效果·。

關鍵詞：MOS

 請高手來幫我看看這個問題！

藍色是Vds，綠色是驅動。

在264V輸入，開機瞬間，過沖電壓，但此時，IC還沒有啟動，尚未工作，此能量是否會造成MOS損壞？能否解決？不可再加大電容！

關鍵詞：MOS

遇到過這樣的問題.

1.減少輸出電容的容量有效減少MOS的反峰

2.增加了瞬變抑制二極管,參數選擇正常工作時不導通.

關鍵詞：MOS  二極管

這是反激的 單級PFC，由于沒有大電容。造成的。 此時離IC啟動還遠著呢，跟任何IC沒有關系。是AC電壓在峰值90度或270度的時候產生。

我想他說的應該是NTC。