9910的MOSFET問題
我使用HV9910做了一個40V/270mA的LED驅(qū)動，MOSFET選用的4N60，測試一段時間之后MOSFET的D和S短路。換了之后正常，但是留了一個心眼，發(fā)現(xiàn)MOSFET比較熱，因此懷疑是熱擊穿，是不是熱擊穿之后D和S會短路？？？
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@kevin2010
會的`````怎么才10W就熱成這樣吖？我以前做20W```MOS才不到50度
輸入110V/220V，50Hz；輸出規(guī)格40V/300mA；系統(tǒng)頻率選用50kHz，變壓器選用EE13繞制，4.2mH；MOS選用2N60 TO-251封裝。最終測試效率110V—80％，220V－75％，效率感覺有點低，且MOS和變壓器發(fā)熱嚴(yán)重。
電感選用EC2510的繞制之后，效率可以提高5％，看來跟變壓器選用有很大關(guān)系，如果MOS選用4N60 TO－252封裝且在電路板上印制散熱銅皮，效果應(yīng)該會好些。
但是關(guān)鍵是模具腔體所限，只能使用EE13的磁心繞制電感，所以郁悶當(dāng)中，不知道有沒有大蝦給點好的建議。
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@picpk
輸入110V/220V，50Hz；輸出規(guī)格40V/300mA；系統(tǒng)頻率選用50kHz，變壓器選用EE13繞制，4.2mH；MOS選用2N60TO-251封裝。最終測試效率110V—80％，220V－75％，效率感覺有點低，且MOS和變壓器發(fā)熱嚴(yán)重。電感選用EC2510的繞制之后，效率可以提高5％，看來跟變壓器選用有很大關(guān)系，如果MOS選用4N60TO－252封裝且在電路板上印制散熱銅皮，效果應(yīng)該會好些。但是關(guān)鍵是模具腔體所限，只能使用EE13的磁心繞制電感，所以郁悶當(dāng)中，不知道有沒有大蝦給點好的建議。
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@picpk
輸入110V/220V，50Hz；輸出規(guī)格40V/300mA；系統(tǒng)頻率選用50kHz，變壓器選用EE13繞制，4.2mH；MOS選用2N60TO-251封裝。最終測試效率110V—80％，220V－75％，效率感覺有點低，且MOS和變壓器發(fā)熱嚴(yán)重。電感選用EC2510的繞制之后，效率可以提高5％，看來跟變壓器選用有很大關(guān)系，如果MOS選用4N60TO－252封裝且在電路板上印制散熱銅皮，效果應(yīng)該會好些。但是關(guān)鍵是模具腔體所限，只能使用EE13的磁心繞制電感，所以郁悶當(dāng)中，不知道有沒有大蝦給點好的建議。
D4改反向恢復(fù)時間快一點的二極體,最好能夠有35ns以下,例如byv26c
可以把電感改小,也能適量調(diào)高頻率 ,我試過參數(shù)66k時3.3mH,130K時1mH都還穩(wěn)定
mosfet如果質(zhì)量不好也會有影響,可以試看換個廠牌試
如果頻率高些,可以用工字電感,省空間,也能降低成本
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@kalar
D4改反向恢復(fù)時間快一點的二極體,最好能夠有35ns以下,例如byv26c可以把電感改小,也能適量調(diào)高頻率,我試過參數(shù)66k時3.3mH,130K時1mH都還穩(wěn)定mosfet如果質(zhì)量不好也會有影響,可以試看換個廠牌試如果頻率高些,可以用工字電感,省空間,也能降低成本
D4改反向恢復(fù)時間快一點的二極體,最好能夠有35ns以下,例如byv26c
可以把電感改小,也能適量調(diào)高頻率,我試過參數(shù)66k時3.3mH,130K時1mH都還穩(wěn)定
mosfet如果質(zhì)量不好也會有影響,可以試看換個廠牌試
如果頻率高些,可以用工字電感,省空間,也能降低成本
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