RC和RCD吸收哪個好???

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早安豬八戒

LV.6

2005-12-16 08:44

自己先頂一下!!!RCD吸收的電阻和電容的參數(shù)不對.呵呵!!!

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asslx

LV.4

2005-12-16 08:52

那不是RCD吸收,是鉗位,把R和D并聯(lián)就對了

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chunwong

LV.3

2005-12-16 08:56

原理分析是RCD更好,在不發(fā)生諧振的情況下MOS關(guān)閉后C會儲存電荷,電位等于VCC.
MOS再次開通時C儲存電荷對其放電,會有一尖峰電流,MOS會增加功耗,EMC也差.如果有D就可以避免此現(xiàn)象.

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早安豬八戒

LV.6

2005-12-16 08:58

@asslx

那不是RCD吸收,是鉗位,把R和D并聯(lián)就對了

你說的是G和S端的那個DIODE是嗎?

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asslx

LV.4

2005-12-16 09:03

@早安豬八戒

你說的是G和S端的那個DIODE是嗎?

R3和D1

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早安豬八戒

LV.6

2005-12-16 09:05

@chunwong

原理分析是RCD更好,在不發(fā)生諧振的情況下MOS關(guān)閉后C會儲存電荷,電位等于VCC.MOS再次開通時C儲存電荷對其放電,會有一尖峰電流,MOS會增加功耗,EMC也差.如果有D就可以避免此現(xiàn)象.

我仿真了,上面的RCD的電阻電容參數(shù)不對.昨天做了一下試驗,感覺還行.比用RC的會好.RC的吸收在電路工作的時候會有很大的功耗.而RCD就好多了.如果說工作在D=0.5的情況下,那么電阻的損耗也就只有D=0時的一半了.
不知道我這樣說對嗎?

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早安豬八戒

LV.6

2005-12-16 09:06

@asslx

R3和D1

那樣的話不還是RC吸收了嗎?C上面的能量不是還要加一部分到MOS管上了???

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早安豬八戒

LV.6

2005-12-16 10:15

@asslx

R3和D1

你說的這么并法,我也見過.不過這樣子R3又要取很小了.

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早安豬八戒

LV.6

2006-02-24 12:23

@早安豬八戒

請問各位,上圖中的RCD電路放在橋式電路中,要在變壓器上串一個隔直電容嗎?

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qf58

LV.3

2006-02-24 16:24

我覺的D1調(diào)一下MOS關(guān)斷時才起到吸收的作用!!!

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/38/1140769449.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

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早安豬八戒

LV.6

2006-02-24 16:56

@qf58

我覺的D1調(diào)一下MOS關(guān)斷時才起到吸收的作用!!![圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/38/1140769449.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">

你覺得是把RD并聯(lián)是嗎?

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qf58

LV.3

2006-02-25 08:14

@早安豬八戒

你覺得是把RD并聯(lián)是嗎?

no!是把D1正負(fù)調(diào)一下!
不過要看什么電路了.如反激式!
以上是我個人發(fā)表意見!!!

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早安豬八戒

LV.6

2006-02-25 10:57

@qf58

no!是把D1正負(fù)調(diào)一下!不過要看什么電路了.如反激式!以上是我個人發(fā)表意見!!!

MOS管內(nèi)有一個二極管
做為變壓器續(xù)流用的.這個RCD它是用來做關(guān)斷吸收的.

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xue007

LV.9

2006-02-25 11:07

@早安豬八戒

請問各位,上圖中的RCD電路放在橋式電路中,要在變壓器上串一個隔直電容嗎?

RCD不可以在橋式電路里做吸收的.那樣要炸管子的

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LV.1

2006-02-25 11:21

你的2圖里的D1和R3應(yīng)該并聯(lián)才是RCD吸收電路.當(dāng)Q1關(guān)斷時,通過D1對C1充電,從而減小Q1的DS兩端的電壓上升率,當(dāng)Q1開通時,C1通過R3和Q1放電.而RC吸收電路的話在開關(guān)開通和關(guān)斷時都需要在電阻上消耗能量,效率低.

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早安豬八戒

LV.6

2006-02-25 13:38

按我的圖,開關(guān)關(guān)斷時也是通過D1對C充電,而開關(guān)關(guān)斷時,則是通過R3放電呀!

這樣C上面的能量就不要通過開關(guān)來釋放了.
若把R3和D1并的話,C放電時還是會給開關(guān)帶來功耗的.

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LV.1

2006-02-26 11:53

@早安豬八戒

按我的圖,開關(guān)關(guān)斷時也是通過D1對C充電,而開關(guān)關(guān)斷時,則是通過R3放電呀!這樣C上面的能量就不要通過開關(guān)來釋放了.若把R3和D1并的話,C放電時還是會給開關(guān)帶來功耗的.

你這種RCD形式,在開關(guān)關(guān)斷一瞬間的時候,是通過D來對C充電的,但稍后就會有電流流過R,所以開關(guān)關(guān)斷過程中電阻會消耗能量,而開通時,C通過R放電,也消耗能量.
這只是我的看法,不一定正確.

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熟悉的陌生

LV.7

2006-02-26 17:28

樓主這種接法不同之外就是:在MOSFET開通時:C所存儲的能量是直接通過電阻R放電,沒有經(jīng)過MOSFET,不過這種方法是否比常規(guī)的通過MOSFET加上R放電效果要好:需要做一下測試作對比就知道哪種效果最佳．原理都是一樣!!

請指點!!

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早安豬八戒

LV.6

2006-02-27 08:41

@熟悉的陌生

我在調(diào)節(jié)開關(guān)頻率時如果用RC吸收的話,可以很明顯的看到頻率高時功耗就大了.而用RCD時就不會有這樣子的問題.

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qf58

LV.3

2006-02-27 17:17

@早安豬八戒

我在調(diào)節(jié)開關(guān)頻率時如果用RC吸收的話,可以很明顯的看到頻率高時功耗就大了.而用RCD時就不會有這樣子的問題.

你后面是什么電路?要看你什么是路了!
如果是開關(guān)電源你的D R 一定很燙!

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早安豬八戒

LV.6

2006-02-28 15:53

@qf58

你后面是什么電路?要看你什么是路了!如果是開關(guān)電源你的D R 一定很燙!

是一個全橋的開關(guān)電源.R是很燙.不過D不怎么燙.

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nk6108

LV.8

2006-02-28 19:37

@熟悉的陌生

我想, C上的電壓可大於Ecc, 若有D, 則除了C不經(jīng)開關(guān)放電外, 還減少在「死區(qū)」丞受過壓的時間.

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早安豬八戒

LV.6

2006-03-13 14:17

@xue007

RCD不可以在橋式電路里做吸收的.那樣要炸管子的

為什么說這樣的RCD不可以在橋式電路中做吸收呢?

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早安豬八戒

LV.6

2006-03-13 14:55

@早安豬八戒

為什么說這樣的RCD不可以在橋式電路中做吸收呢?

在書上看到一些正激的電路圖,用我上面那樣的RCD,都直接構(gòu)成直流通路了.那些作者應(yīng)該不會看不懂吧!真奇怪!

XUE007說的會炸管是為什么呀?你說的應(yīng)該是電路上沒有串隔直電容對嗎?
如果串了應(yīng)該不會吧!還請說一下理由.讓我這樣的電源新手學(xué)學(xué).謝謝!

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