不知道你說的是什么，

這里有關于MOS的使用注意

希望有更清楚一點的答案

我選擇的MOS管的最大電流一般是實際流過電流平均值的8倍，各有各的不同，有時候使用的只有5倍....不過倍數越小工作起來效率就越低而且越危險

也想知道……

反射電壓乘以1.5才乘以1.4就是你的鉗位電壓

這么算是不是偏高了啊

我一直在迷惑，到底怎么選擇MOS管的電流參數，看了一些MOS官的參數定義，電流應該是從25-175度溫升過程中，在一定的散熱條件下的持續(xù)電流的大少，那么比較的話應該是用有效值的同等散熱來計算，那么我們計算出初級的電流有效值后，*3應該就是MOS管的有效值電流，而MOS管的有效值電流=1.57*ID，所以，選取ID=2*I初有效值，應該就可以了，但是計算后總感覺少，每次都是按照大家說的3倍峰值電流來選取，

覺得問題出在管子給的參數是在25-175度有150度溫升，而我們實際上基本上只有60度溫升左右。但是具體的參數不好找。。。

正激？反激？直接升壓的BOOST？DCM還是CCM模式？

拓撲不一樣，同樣的輸入，輸出，電流也不一樣，差很多倍都有。

就是  不同的電路結構，你所計算的公式也是有差異的，最好是說你下你用的是什么電路結構

樓上的，好像很有經驗，具體的計算我不太清楚，但是經過大家這么一說我還是理解了一些。至于你提出的正激反激等實際情況，只有在后面的實際工作中去了解了。。謝謝！是否能加你QQ什么的，以后有什么問題，好向你請教。