很納悶，不知道到底能不能并，這個值會提高嗎？

可以用！

是這樣子，就從電容本身來說，電壓上升速度沒有變。但容量大了，你實際電路的電壓上升速度降低了，所以可以用。但并不是提高了電容的du/dt。

這樣子的啊，那么我防止IGBT 被尖峰擊穿，多用幾個電容并聯就可以了，對嗎？

要看你的吸收電路具體怎么做。并的電容太多了，開通損耗大，開通電流尖峰也大。

我是用在半橋2端的吸收電容，起到橋電路在翻轉的時候由于布局產生的尖峰脈沖。這個是不是理論弄大一些好，還是必須采購性能好的CDE 電容呢？