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半橋電磁爐燒IGBT

假如線圈電流在IGBT的允許范圍內的話,半橋電路燒IGBT是不是只在兩管同時導通時才有可能會發生。提鍋、檢鍋都不可能使其出現擊穿?

假如這樣的話,那提鍋、檢鍋的話就可以按照正常條件下驅動IGBT。在這種情況下就可以進行檢鍋啦?

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2010-09-07 07:15
igbt超溫也會損壞
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igbtsy
LV.9
3
2010-09-07 08:18

半橋、全橋一般不存在電壓擊穿,損壞IGBT只有三種情況;

1.溫控動作值設置過高,熱擊穿;2.過流保護動作慢,過流造成瞬間過熱而損壞;3.驅動不足,使管子經過放大區時間過長,管芯迅速過熱而損壞。

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2010-09-07 12:35
@igbtsy
半橋、全橋一般不存在電壓擊穿,損壞IGBT只有三種情況;1.溫控動作值設置過高,熱擊穿;2.過流保護動作慢,過流造成瞬間過熱而損壞;3.驅動不足,使管子經過放大區時間過長,管芯迅速過熱而損壞。

曾經有過兩次半橋電路裝的H20T120管子,就是1200V單管電磁爐用的IGBT,最后都爆機了,現在還不知道什么原因,換600V的就都好了。

感覺也不是因為管子電流規格小,因為當時功率加的不大,我的電路是用2110驅動的,剛加熱一下,2110輸出波幅度就降到10 V了,所以分析可能是驅動不夠。

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2010-09-17 12:58
@igbtsy
半橋、全橋一般不存在電壓擊穿,損壞IGBT只有三種情況;1.溫控動作值設置過高,熱擊穿;2.過流保護動作慢,過流造成瞬間過熱而損壞;3.驅動不足,使管子經過放大區時間過長,管芯迅速過熱而損壞。

有道理,我也出現類似現象

 

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2010-09-17 13:03
@igbtsy
半橋、全橋一般不存在電壓擊穿,損壞IGBT只有三種情況;1.溫控動作值設置過高,熱擊穿;2.過流保護動作慢,過流造成瞬間過熱而損壞;3.驅動不足,使管子經過放大區時間過長,管芯迅速過熱而損壞。

在半橋工作模式,是否可能由于干擾造成兩個管子同時導通,而將IGBT燒壞?

 

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2010-09-17 13:43
@19841122051001
在半橋工作模式,是否可能由于干擾造成兩個管子同時導通,而將IGBT燒壞? 

不是干擾的原因,同等條件用600VIGBT就不壞

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songxium
LV.7
8
2010-09-17 14:00
整體在一起的溫度是不是也很高。
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igbtsy
LV.9
9
2010-09-17 15:54
@19841122051001
在半橋工作模式,是否可能由于干擾造成兩個管子同時導通,而將IGBT燒壞? 

假設有干擾,上下管同時導通,也不應當燒IGBT,你的過流保護沒動作嗎?

我經歷過這樣的情況,門極驅動工人插線時有一只管子極性接反,變成上下管子同時導通,一開機過流保護就動作,開機多次均是這樣,經過查找才發現這種可笑的低級錯誤。插線腳換正過來一切就正常了。你的過流保護既要考慮每個橋臂中的過流,又要考慮上下管直通的過流。

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my.mai
LV.9
10
2010-09-21 14:22
@igbtsy
假設有干擾,上下管同時導通,也不應當燒IGBT,你的過流保護沒動作嗎?我經歷過這樣的情況,門極驅動工人插線時有一只管子極性接反,變成上下管子同時導通,一開機過流保護就動作,開機多次均是這樣,經過查找才發現這種可笑的低級錯誤。插線腳換正過來一切就正常了。你的過流保護既要考慮每個橋臂中的過流,又要考慮上下管直通的過流。

假如機子沒母線互感器,如何檢測上下管直通呢?

業內的感應加熱機子,互感器一般加在三個地方.

一個是交流輸入的線上,一個是直流母線,一個是高頻輸出.

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rtg_17
LV.3
11
2010-09-21 16:47
@my.mai
假如機子沒母線互感器,如何檢測上下管直通呢?業內的感應加熱機子,互感器一般加在三個地方.一個是交流輸入的線上,一個是直流母線,一個是高頻輸出.

做單相3.5KW半橋電磁爐,遇到最難的問題是:1、結構沒做好,導致IGBT經常過熱 ,整流橋橋采用800V 25A扁橋兩兩并聯,為解決單管IGBT(600V/75A)上下橋散熱問題,上下橋IGBT的散熱器分開(如放一塊散熱器上,IGBT底板則要加絕緣材料影響散熱),上橋散熱器上面還有兩整流橋。  2、單相電壓低,理論上整流濾波后直流DC為310V左右,但在實際應用中,不可能使用大容量電解電容,在3500W滿載的時候直流電壓為200V左右。IGBT基本工作在半負荷狀態。電流大,管壓降高是IGBT發熱的主要原因。3、IGBT共通的問題,硬件電路中結構選擇好,是可以避免的。

4、實際使用中,在絕大多數炸毀IGBT一般是在開機的瞬間損壞為最多。采用CE檢測電路進行檢測,雖然能報警停機,但IGBT損壞還是不能幸免,最后項目終止。

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my.mai
LV.9
12
2010-09-21 18:07
@rtg_17
做單相3.5KW半橋電磁爐,遇到最難的問題是:1、結構沒做好,導致IGBT經常過熱 ,整流橋橋采用800V25A扁橋兩兩并聯,為解決單管IGBT(600V/75A)上下橋散熱問題,上下橋IGBT的散熱器分開(如放一塊散熱器上,IGBT底板則要加絕緣材料影響散熱),上橋散熱器上面還有兩整流橋。 2、單相電壓低,理論上整流濾波后直流DC為310V左右,但在實際應用中,不可能使用大容量電解電容,在3500W滿載的時候直流電壓為200V左右。IGBT基本工作在半負荷狀態。電流大,管壓降高是IGBT發熱的主要原因。3、IGBT共通的問題,硬件電路中結構選擇好,是可以避免的。4、實際使用中,在絕大多數炸毀IGBT一般是在開機的瞬間損壞為最多。采用CE檢測電路進行檢測,雖然能報警停機,但IGBT損壞還是不能幸免,最后項目終止。

要想把感應加熱產品做好,軟件工程師,硬件工程師,結構工程師,缺一不可.

1 散熱,本身就是一個課程.要做好,真的不容易,需要大量的理論知識,再加上實驗數據.風冷,水冷,熱管...... IGBT掂絕緣片,散熱效果當然打折扣了.風量,風速,風道,散熱片高度,厚度,鱗片密度,間距,IGBT及整流橋的安裝位置等等,都有很大的關系.

2 教科書的220V橋式整流后電容濾波,電壓311V.空載的時候是的,滿負載,只有210V左右.

3 共通問題,可以通過適當延長死區時間來避免,還有其它的方法.

4 檢測過流,有幾種方式,都有各自的優缺點.電流互感器,錳銅絲,霍爾,CE壓降,串聯電阻讀壓降等.最好就能幾個檢測手段互補.

我不是做電磁加熱的,我不懂多少,各位見諒.

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igbtsy
LV.9
13
2010-09-24 08:33
@rtg_17
做單相3.5KW半橋電磁爐,遇到最難的問題是:1、結構沒做好,導致IGBT經常過熱 ,整流橋橋采用800V25A扁橋兩兩并聯,為解決單管IGBT(600V/75A)上下橋散熱問題,上下橋IGBT的散熱器分開(如放一塊散熱器上,IGBT底板則要加絕緣材料影響散熱),上橋散熱器上面還有兩整流橋。 2、單相電壓低,理論上整流濾波后直流DC為310V左右,但在實際應用中,不可能使用大容量電解電容,在3500W滿載的時候直流電壓為200V左右。IGBT基本工作在半負荷狀態。電流大,管壓降高是IGBT發熱的主要原因。3、IGBT共通的問題,硬件電路中結構選擇好,是可以避免的。4、實際使用中,在絕大多數炸毀IGBT一般是在開機的瞬間損壞為最多。采用CE檢測電路進行檢測,雖然能報警停機,但IGBT損壞還是不能幸免,最后項目終止。
分析認識到位了!所以低電壓不能用半橋,應當用全橋,即使用了全橋,220V/3.5KW的工作狀態遠遠沒有380V/8KW的工作狀態好。有的做半橋上下管用雙管并聯的方式,用了四只管子為何不改成全橋?比半橋好做多了,穩定性也比半橋好多了,特別適合于沒有做過半橋的人去做。
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rtg_17
LV.3
14
2010-09-24 11:44
@igbtsy
分析認識到位了!所以低電壓不能用半橋,應當用全橋,即使用了全橋,220V/3.5KW的工作狀態遠遠沒有380V/8KW的工作狀態好。有的做半橋上下管用雙管并聯的方式,用了四只管子為何不改成全橋?比半橋好做多了,穩定性也比半橋好多了,特別適合于沒有做過半橋的人去做。
單相要想把電磁爐功率做大,首當其沖的應該電在主電路下功夫的。單相整流(100HZ脈動電壓)不加電解做直流母線電壓支撐的話,很難做好。當然也有人把單相整流后做一級PFC,無疑成本高。其二大功率的PFC我相信能做好的企業還是不多吧?
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my.mai
LV.9
15
2010-09-26 13:48
@rtg_17
單相要想把電磁爐功率做大,首當其沖的應該電在主電路下功夫的。單相整流(100HZ脈動電壓)不加電解做直流母線電壓支撐的話,很難做好。當然也有人把單相整流后做一級PFC,無疑成本高。其二大功率的PFC我相信能做好的企業還是不多吧?
直流母線加電解電容,容易損壞,這是通病.
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my.mai
LV.9
16
2010-09-26 13:49
@igbtsy
分析認識到位了!所以低電壓不能用半橋,應當用全橋,即使用了全橋,220V/3.5KW的工作狀態遠遠沒有380V/8KW的工作狀態好。有的做半橋上下管用雙管并聯的方式,用了四只管子為何不改成全橋?比半橋好做多了,穩定性也比半橋好多了,特別適合于沒有做過半橋的人去做。
半橋只需要兩組驅動,全橋需要四組驅動.
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liningustb
LV.3
17
2011-04-25 10:05
@my.mai
直流母線加電解電容,容易損壞,這是通病.
請問是容易損壞電容器還是容易損壞IGBT?為什不能加大的電解電容呢
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liningustb
LV.3
18
2011-04-25 10:09
@igbtsy
半橋、全橋一般不存在電壓擊穿,損壞IGBT只有三種情況;1.溫控動作值設置過高,熱擊穿;2.過流保護動作慢,過流造成瞬間過熱而損壞;3.驅動不足,使管子經過放大區時間過長,管芯迅速過熱而損壞。

IGBT驅動電壓在13V可以嗎,我的半橋IGBT總是有一只上電一會兒后燒毀,另一只完好,60N100的管子,在220V單相,4KW,不會過壓吧?還是驅動能力不足導致呢?


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liningustb
LV.3
19
2011-04-25 10:24
@changshenhu
曾經有過兩次半橋電路裝的H20T120管子,就是1200V單管電磁爐用的IGBT,最后都爆機了,現在還不知道什么原因,換600V的就都好了。感覺也不是因為管子電流規格小,因為當時功率加的不大,我的電路是用2110驅動的,剛加熱一下,2110輸出波幅度就降到10V了,所以分析可能是驅動不夠。
2110輸出波幅度就降到10 V了,之前正常的驅動電壓你用多少伏
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spt77
LV.5
20
2011-04-25 22:42
@liningustb
IGBT驅動電壓在13V可以嗎,我的半橋IGBT總是有一只上電一會兒后燒毀,另一只完好,60N100的管子,在220V單相,4KW,不會過壓吧?還是驅動能力不足導致呢?

看看這個帖子,或許有些啟發!

http://bbs.dianyuan.com/topic/632222

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my.mai
LV.9
21
2011-04-25 23:26
@liningustb
請問是容易損壞電容器還是容易損壞IGBT?為什不能加大的電解電容呢
電解電容器耐紋波電流能力很差,高溫情況下容量衰減非常快。
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spt77
LV.5
22
2011-04-27 17:55
@igbtsy
分析認識到位了!所以低電壓不能用半橋,應當用全橋,即使用了全橋,220V/3.5KW的工作狀態遠遠沒有380V/8KW的工作狀態好。有的做半橋上下管用雙管并聯的方式,用了四只管子為何不改成全橋?比半橋好做多了,穩定性也比半橋好多了,特別適合于沒有做過半橋的人去做。

呵呵,沈工作全橋做順了!我覺得還是半橋簡單些,簡單的東東理論上講更容易做的可靠!

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igbtsy
LV.9
23
2011-04-27 20:36
@spt77
呵呵,沈工作全橋做順了!我覺得還是半橋簡單些,簡單的東東理論上講更容易做的可靠!

如果是高電壓小功率,半橋的優點就突出了,我就做半橋。如果是低電壓或者是較大的功率,就應當是全橋。全橋與半橋都是用同一塊驅動控制電路板板,均有二個脈沖變壓器完成驅動,沒有全橋比半橋復雜之說。半橋的缺點是為了防止上下管子的直通,過流保護的互感器中有直流分量。全橋不管是管子的上下直通還是橋臂中的過流,互感器中都不會有直流分量流過,這是全橋的優點之一。

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左明
LV.8
24
2011-04-28 07:55
@liningustb
IGBT驅動電壓在13V可以嗎,我的半橋IGBT總是有一只上電一會兒后燒毀,另一只完好,60N100的管子,在220V單相,4KW,不會過壓吧?還是驅動能力不足導致呢?
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handyson
LV.2
25
2011-12-20 14:06
@songxium
整體在一起的溫度是不是也很高。
我們這邊的從來沒有燒過IGBT及模塊的現象。QQ:2501270558
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2012-01-17 11:42
@liningustb
IGBT驅動電壓在13V可以嗎,我的半橋IGBT總是有一只上電一會兒后燒毀,另一只完好,60N100的管子,在220V單相,4KW,不會過壓吧?還是驅動能力不足導致呢?
驅動電壓不夠肯定不行,那樣會造成管子發熱大,自然會燒壞管子
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2012-02-10 11:17
@handyson
我們這邊的從來沒有燒過IGBT及模塊的現象。QQ:2501270558
牛,真牛。
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2012-02-10 11:18
@liningustb
2110輸出波幅度就降到10V了,之前正常的驅動電壓你用多少伏

 

 

 

 

 

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小礦石
LV.10
29
2012-08-05 21:00
@liningustb
請問是容易損壞電容器還是容易損壞IGBT?為什不能加大的電解電容呢
紋波電流大,電解電容扛不住,一般是熱損壞
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小礦石
LV.10
30
2012-08-05 21:02
@liningustb
IGBT驅動電壓在13V可以嗎,我的半橋IGBT總是有一只上電一會兒后燒毀,另一只完好,60N100的管子,在220V單相,4KW,不會過壓吧?還是驅動能力不足導致呢?
一般上管驅動容易出問題
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