想仿真一個(gè)mos管的全橋電路,自己試了下,沒(méi)成功。特來(lái)請(qǐng)教各位大蝦們。
廢話少說(shuō),上圖。
原理圖。
我來(lái)說(shuō)說(shuō)可能存在的問(wèn)題:
1,PMOS是G極電平比S極低大約5V左右就會(huì)開(kāi)通。你圖中的這個(gè)接線,上下管有共通現(xiàn)象。例如,當(dāng)驅(qū)動(dòng)電平是7.5V的時(shí)候,上面的PMOS已經(jīng)開(kāi)通了,而下面的NMOS因?yàn)轵?qū)動(dòng)電壓是7.5V,所以這時(shí)候也是開(kāi)通的。
2,既然是仿真變壓器,那么變壓器次級(jí)的負(fù)載當(dāng)然要放進(jìn)去。要么你用變壓器模型,把次級(jí)負(fù)載放進(jìn)去。要么你只放變壓器初級(jí)電感,但要把次級(jí)負(fù)載折算到初級(jí)后,并聯(lián)在初級(jí)電感上。像你現(xiàn)在這個(gè)仿真的圖,那個(gè)1mH的是起著電感的作用,而不是變壓器。
是這樣的。
電容呢,必須在次級(jí)有負(fù)載的情況下,才會(huì)存在負(fù)值。
你這個(gè)驅(qū)動(dòng)電路,相當(dāng)于次級(jí)空載了,電容中只有驅(qū)動(dòng)脈沖對(duì)驅(qū)動(dòng)變壓器的原邊電感勵(lì)磁。電容上的電壓,當(dāng)然小了。
可以把電感換成變壓器,次級(jí)加個(gè)10歐姆的電阻,波形就出來(lái)了。
謝謝 bode
我把電感換成變壓器之后,取負(fù)載電阻為2K,波形果然出來(lái)了。
但我還是不明白是怎么回事,你能說(shuō)得再具體些嗎?謝謝了。
驅(qū)動(dòng)變壓器的原邊電流,其實(shí),是由兩個(gè)分量組成。
一個(gè)是空載電流(也就是我們常說(shuō)的勵(lì)磁電流)。
一個(gè)是負(fù)載電流(也就是負(fù)載電流按照安匝平衡的原則折算過(guò)來(lái)的電流)。
像你原電路,負(fù)載只接了一個(gè)電感,其實(shí)就相當(dāng)于接了一個(gè)變壓器,但這個(gè)變壓器次級(jí)空載,這時(shí)候原邊電流就只有空載電流了。這個(gè)空載電流很小,還不足以使電容上形成電壓。
這時(shí)候,如果換成變壓器,次級(jí)接負(fù)載的時(shí)候,就存在了負(fù)載折算電流。這樣,原邊電流就兩個(gè)分量都存在了,這時(shí)候電容兩端的電壓,自然就建立起來(lái)了。
這個(gè)問(wèn)題,其實(shí)也很好解決。
你在兩個(gè)地之間,接一個(gè)100M的大電阻即可。這個(gè)大電阻中的電流非常小,可以忽略,不影響變壓器初次級(jí)的絕緣。這點(diǎn)應(yīng)該沒(méi)有疑問(wèn)吧?
saber仿真的時(shí)候,電路中必須存在絕對(duì)零點(diǎn),也就是GND,而且電路中的任何一個(gè)結(jié)點(diǎn),到這個(gè)絕對(duì)零點(diǎn),必須存在絕對(duì)零點(diǎn)。
當(dāng)你次級(jí)采用模擬地時(shí),變壓器次級(jí)同相端,就相當(dāng)于浮地了。
saber中的地,有好多種,但最關(guān)鍵的還是 GND。
其他的什么 模擬地,數(shù)字地啦,這些都是網(wǎng)絡(luò)標(biāo)號(hào)。
哦 這樣啊 明白點(diǎn)了 嘿嘿
謝謝