建議你參考下“15年不壞JJ”那個(gè)電路的后級保護(hù)，比較有建設(shè)性，后級分流取樣反饋保護(hù)雖然有一定效果，但是：短路的瞬間，雖然3525停止輸出了，但電容的余電還在對IGBT（MOS）施加強(qiáng)大的電流，導(dǎo)致IGBT擊穿的可能性還是很大，這個(gè)時(shí)候，時(shí)間就是IGBT的生命。最好跟那電路一樣，在IGBT還能杠的住的時(shí)間內(nèi)，迅速短路IGBT的驅(qū)動。仔細(xì)分析了下，這個(gè)保護(hù)是有名堂的：

一個(gè)我做的圖，做個(gè)參考。

我有修理時(shí)換下來壞了一個(gè)管的IGBT工業(yè)模塊，所以用它做。

空載不開機(jī)   電網(wǎng)下水自動開

開機(jī)延時(shí)

短路保護(hù)鎖定

離開自動解鎖

正負(fù)15V濾波電容1000UF-2200UF。《整流串3-5R限流電阻》

手動省電功能

多謝幾位大師的指導(dǎo),如果用15年不壞JJ的電路,細(xì)份析了一下這電路是可行的,他是后級保護(hù)在幾MS之內(nèi)把IGBT驅(qū)動信號下地,說一下他的缺點(diǎn),1他沒有用到IGBT驅(qū)動IC,這樣IGBT的功率是做不出來的,2還要看他的可控硅的性能,我現(xiàn)在用的是光偶控制TLP250的信號下地,TLP250沒有信號了他可以在10US下關(guān)閉IGBT管,不知道這樣份析得對不對,如果不對還請大師諒解!