看來好心人還是少..

MOSFET是電壓性驅動元件, 不需要大電流驅動,但由于存在結電容, 每個開關周期都需要對結電容Ciss,Cgd充放電, 串聯在柵極的電阻大小, 就決定了對結電容充和放電速度. 電阻小的話,就充放電峰值電流大, 開關速度快. MOSFET的開關損耗小. 但是EMI一般會變差. 同時要注意驅動電路元件的電流使用率會高. 反之亦然.

所以這個串聯電阻跟驅動電壓, 結電容, 驅動電路元件載流能力是相關的, 一般取4.7-100ohm.

至于, G和S間的并聯電阻, 是針對MOSFET的G和S間的高輸入阻抗而加的, 因為高阻抗相對于空間寄生電容來說, 也可能藕合到足夠高的NOISE信號在G和S上.這個NOISE信號有可能異常開通MOSFET. 假如驅動電路在關斷的時候不能保證把G用低阻抗拉到S, 就需要這個電阻了. 另外, 這個電阻也可以防止靜態不通電時的ESD損壞. 這個電阻一般取10K-100Kohm.

其實,這些是基礎的知識, 你可以再看下<<模擬電子技術基礎>>這本書.

1：“緩沖”電阻，2個作用，減緩驅動器的電流上升速率和減慢MOS的開通時間，這2件事都是為了減低EMI（對于硬開關而言）,但代價是減低了效率，顯然電阻也越大該環節的EMC越好，損耗也越大，掂量著用就是了，一般在數Ω到數十歐姆選用（很多情況下在電阻2端并一個反向二極管以加速MOS的關斷）。選用低Qg的MOS可以減少這個電阻的困擾。

2：放電電阻，保證MOS在工作之前柵極的靜電被泄放，以避免上電時MOS因靜電處于導通（非控制的）狀態而帶來災禍（炸機），這個電阻萬萬不可忽視，一般在10k-100k選用。

其他樓下補充

學習了.謝謝

謝謝了，，以前只知道選用，不知道作用是什么。現在知道了。謝謝

謝謝，

以前只知道選用多大的。而不知道作用，謝謝！

其實,這些是基礎的知識, 你可以再看下<<模擬電子技術基礎>>這本書.

這本書上沒有這些吧。。。。。。。。。。

給你參考下。

關于MOSFET驅動電阻的選擇

等效驅動電路：

L為PCB走線電感，根據他人經驗其值為直走線1nH/mm，考慮其他走線因素，取L=Length+10（nH），其中Length單位取mm。

Rg為柵極驅動電阻，設驅動信號為12V峰值的方波。

Cgs為MOSFET柵源極電容，不同的管子及不同的驅動電壓時會不一樣，這兒取1nF。

VL+VRg+VCgs=12V

令驅動電流

得到關于Cgs上的驅動電壓微分方程：

用拉普拉斯變換得到變換函數：

這是個3階系統，當其極點為3個不同實根時是個過阻尼震蕩，有兩個相同實根時是臨界阻尼震蕩，當有虛根時是欠阻尼震蕩，此時會在MOSFET柵極產生上下震蕩的波形，這是我們不希望看到的，因此柵極電阻Rg阻值的選擇要使其工作在臨界阻尼和過阻尼狀態，考慮到參數誤差實際上都是工作在過阻尼狀態。

根據以上得到 ，因此根據走線長度可以得到Rg最小取值范圍。

分別考慮20m長m和70mm長的走線： L20=30nH，L70=80nH， 則Rg20=8.94Ω，Rg70=17.89Ω，

以下分別是電壓電流波形：

驅動電壓：

驅動電流：

可以看到當Rg比較小時驅動電壓上沖會比較高，震蕩比較多，L越大越明顯，此時會對MOSFET及其他器件性能產生影響。但是阻值過大時驅動波形上升比較慢，當MOSFET有較大電流通過時會有不利影響。

此外也要看到，當L比較小時，此時驅動電流的峰值比較大，而一般IC的驅動電流輸出能力都是有一定限制的，當實際驅動電流達到IC輸出的最大值時，此時IC輸出相當于一個恒流源，對Cgs線性充電，驅動電壓波形的上升率會變慢。電流曲線就可能如左圖所示（此時由于電流不變，電感不起作用）。這樣可能會對IC的可靠性產生影響，電壓波形上升段可能會產生一個小的臺階或毛刺。

       一般IC的PWM OUT輸出如左圖所示，內部集成了限流電阻Rsource和Rsink，通常Rsource>Rsink，具體數值大小同IC的峰值驅動輸出能力有關，可以近似認為R=Vcc/Ipeak。一般IC的驅動輸出能力在0.5A左右，因此Rsource在20Ω左右。

       由前面的電壓電流曲線可以看到一般的應用中IC的驅動可以直接驅動MOSFET，但是考慮到通常驅動走線不是直線，感量可能會更大，并且為了防止外部干擾，還是要使用Rg驅動電阻進行抑制。考慮到走線分布電容的影響，這個電阻要盡量靠近MOSFET的柵極。

關于Rg、L對于上升時間的影響：(Cgs=1nF，VCgs=0.9*Vdrive)

可以看到L對上升時間的影響比較小，主要還是Rg影響比較大。上升時間可以用2*Rg*Cgs來近似估算，通常上升時間小于導通時間的二十分之一時，MOSFET開關導通時的損耗不致于會太大造成發熱問題，因此當MOSFET的最小導通時間確定后Rg最大值也就確定了 ，一般Rg在取值范圍內越小越好，但是考慮EMI的話可以適當取大。

       以上討論的是MOSFET ON狀態時電阻的選擇，在MOSFET OFF狀態時為了保證柵極電荷快速瀉放，此時阻值要盡量小，這也是Rsink的原因。通常為了保證快速瀉放，在Rg上可以并聯一個二極管。當瀉放電阻過小，由于走線電感的原因也會引起諧振（因此有些應用中也會在這個二極管上串一個小電阻），但是由于二極管的反向電流不導通，此時Rg又參與反向諧振回路，因此可以抑制反向諧振的尖峰。這個二極管通常使用高頻小信號管1N4148。

實際使用中還要考慮MOSFET柵漏極還有個電容Cgd的影響，MOSFET ON時Rg還要對Cgd充電，會改變電壓上升斜率，OFF時VCC會通過Cgd向Cgs充電，此時必須保證Cgs上的電荷快速放掉，否則會導致MOSFET的異常導通。

說的不錯，學習了。

驅動信號到G之間有個引線電感，和GS之間的電容之間形成LC震蕩，所以要加R來阻尼這個震蕩

謝謝分享。