一直以來，對于雷達發射機等地方使用的開關，多為各種觸發管，如真空管、閘流管等。用此來做成的開關，有電路復雜、體積大、壽命短、使用條件苛刻等缺點。而近年來，隨著功率半導體器件的發展，尤其是MOSFET和IGBT技術的逐步成熟，性能的不斷提高，以及其應用技術的突破與發展，這兩種晶體管的直接串、并聯技術得以實現，也就是說在比單個元件高得多的電壓和電流等級實現快速的開關通、斷控制。這種固態開關完全解決了原有開關電路復雜、體積大、壽命短、使用條件苛刻等缺點，可以通過簡單的電路，將MOS管或IGBT串聯，通過低感且較小的布局，實現任意頻率任意脈寬的開關，且壽命長，易維修，可以完全取代原有的開關。目前該技術成功應用于民用、軍事等領域，并引導了在其它應用領域的擴展。

本開關具有以下幾個優點：1由大量的MOSFET或IGBT通過串聯、并聯，并通過緊湊、低感的布局組成的，體積小，性能好。2自身包含驅動電路，是一個小體積的組件，具有極高的可靠性和優異的開關性能（包括低的導通阻抗，高的截止阻抗，納秒量級的控制傳輸延時和百納秒量級的開啟和關斷時間）。3同時控制驅動電路和開關電路的全隔離，保證了開關即可以用于高端開關，也可以用于低端開關，還可以用于兩個高壓開關組成的推挽電路。4開關的使用也是極其簡單的，只要提供一個5V的供電和TTL的開關控制信號，開關即可以工作在固定的脈寬下，也可以工作在可變的脈寬下。5所選用器件均為常用器件，成本低。高壓開關可以通過系列化的生產，具有極寬的負載電壓和電流范圍。

由于晶體管的驅動信號是來源于輸入的TTL信號，因此開關管導通關斷與輸入信號基本保持一致，輸出脈沖電壓的頻率與脈寬與輸入TTL信號同樣基本保持一致（有納秒量級的控制傳輸延時），由此實現開關的工作脈寬從200ns到連續，而且即可以工作在固定的脈寬下，也可以工作在可變的脈寬下。

由于晶體管快速開關的特點與良好的導通關斷一致性，使輸出電壓的前后沿達到百納秒量級。 每個晶體管組均接有保護電路部分，以防電路在打火等情況下對晶體管起到保護作用，所以很強的抗負載打火能力。

圖傳了半天也沒傳上去，真是郁悶

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