請問單端反激RCC電路設計在DCM模式時,B值該怎么選定?

單端反激RCC電路,設計在DCM模式時,B值究竟該選用B值怎么選定,是選ΔB還是選Bmax,看了論壇上很多單端反激或都是RCC的文章,眾說紛紜.我們在實際小功率(5W以下)設計時,算出來的匝數總是很大,就是跟這個B的有關系;另外還有一個問題,RCC是不是一定要設計在DCM模式,能否設計到CCM模式,這時的B值又該怎么選.請名位大俠進來討論一下.

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power-pp

LV.7

2005-10-18 14:50

RCC的電源工作在臨界模式下,B值你可以取到0.3,還有就是在調試的時候可以看看你的變壓器是否會進入飽和.
樣機做好了之后用示波器測試低端時開關管電流波形,再根據⊿Bs=Ip*Lp/Np*Ae,算出來的值不大于3500即可,因為PC40材質的磁芯在120度時的Bs是3500.

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xx3310

LV.3

2005-10-18 18:21

@power-pp

RCC的電源工作在臨界模式下,B值你可以取到0.3,還有就是在調試的時候可以看看你的變壓器是否會進入飽和.樣機做好了之后用示波器測試低端時開關管電流波形,再根據⊿Bs=Ip*Lp/Np*Ae,算出來的值不大于3500即可,因為PC40材質的磁芯在120度時的Bs是3500.

謝謝POWER PP,我求NP的時候就是用的NP＝LP*IP/AE*ΔB,或者是用NP＝Vindcmim*TON/AE*ΔB這二個公式求出的NP,但是每次都會出現小功率時(5W以下)初級匝數過多的情況,什么原因.另外,驗證ΔB是不是用低壓滿載時實測的電流值代入ΔB＝LP*IP/NP*AE這個公式,看ΔB是否會超過3500GS.請再次解答一次.

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xx3310

LV.3

2005-10-19 08:34

@xx3310

謝謝POWERPP,我求NP的時候就是用的NP＝LP*IP/AE*ΔB,或者是用NP＝Vindcmim*TON/AE*ΔB這二個公式求出的NP,但是每次都會出現小功率時(5W以下)初級匝數過多的情況,什么原因.另外,驗證ΔB是不是用低壓滿載時實測的電流值代入ΔB＝LP*IP/NP*AE這個公式,看ΔB是否會超過3500GS.請再次解答一次.

RCC的單端反激電路在設計時,有沒有設計成CCM模式的?

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