由于設(shè)備問題,暫時(shí)不能上傳波形圖,我作一說明看能不能解決,芯片使用TL494,494放二次側(cè)驅(qū)動(dòng)兩同步整流MOS,通過小驅(qū)動(dòng)變壓器耦合至一次側(cè)驅(qū)動(dòng)兩主MOS,期望在死區(qū)時(shí)兩主MOS關(guān)閉,兩同步整流MOS同時(shí)導(dǎo)通,但是現(xiàn)在在死區(qū)時(shí)會(huì)有一個(gè)主MOS的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生一個(gè)較高電平(比完全導(dǎo)通時(shí)低)使主MOS誤動(dòng)作而導(dǎo)通,另一個(gè)主MOS也是這種情況,也就是說在死區(qū)時(shí)總有一個(gè)MOS是導(dǎo)通的,這時(shí)損耗很大.
驅(qū)動(dòng)均為494出來圖騰柱驅(qū)動(dòng),高電平控制主MOS導(dǎo)通,低電平控制同步整流MOS導(dǎo)通.
大家看得懂我的敘述嗎?幫我看看,指點(diǎn)一下,謝謝!