目前網(wǎng)上討論得最多機種就屬這幾種,拋磚引玉,先談?wù)勛约簩@幾種機子的看法:
單硅:結(jié)構(gòu)簡單、可靠性高、成本低、可控硅的耐壓需求比較低(可低到等于輸入電壓),輸出電壓峰值最高可以到二倍輸入電壓,應(yīng)該是目前的主流,性價比最高;
雙硅:比單硅多了一個可調(diào)節(jié)輸出脈寬的功能,其他電氣特性差不多,實踐證明,在低輸出電壓(1KV以下)的情況下,比單硅的效果要好一點,耗電量比單硅大(同等輸入電壓,同等輸出頻率),但如在輸出高壓的情況(1KV以上),與單硅相比,效果方面并無明顯優(yōu)勢,但耗電卻大增;
四硅:結(jié)構(gòu)復(fù)雜,成本較高,且有存在共通風(fēng)險,對控制要求比較高,與單硅相比,在同等驅(qū)動頻率下,輸出電壓頻率是單硅的兩倍,在同等直流輸入情況下,輸出電壓峰值最高可以到兩倍輸入電壓,與單硅相比,輸出波形小了一個諧振產(chǎn)生的平臺,比較光滑,省一點電,但性價比不高.
以上是個人對這幾種機子的看法,歡迎大家拍磚.
關(guān)于單硅、雙硅、四硅機的對比討論
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@isotop
共通風(fēng)險,在這里并不是指你驅(qū)動的部分造成的共通問題,而是你長時間、高低溫狀態(tài)下使用,因元器件特性參數(shù)產(chǎn)生差異,而導(dǎo)致的全橋上下對管的導(dǎo)通不同步情況,在這個情況下會造成慢一點開通的管子的承受過壓而特性變壞,最后擊穿,從而造成共通!
如果是驅(qū)動部分的共通,那好解決,只要驅(qū)動脈寬占空比在50%以下(不要太靠近)、留有足夠的死區(qū)時間、驅(qū)動的最高頻率低于LC的諧振頻率就不會有問題,最好是用TL494這樣專用的可以調(diào)節(jié)死區(qū)時間的驅(qū)動芯片,如果巧妙地利用變壓器,也可以串上電容,用555這樣的芯片做驅(qū)動!
如果是驅(qū)動部分的共通,那好解決,只要驅(qū)動脈寬占空比在50%以下(不要太靠近)、留有足夠的死區(qū)時間、驅(qū)動的最高頻率低于LC的諧振頻率就不會有問題,最好是用TL494這樣專用的可以調(diào)節(jié)死區(qū)時間的驅(qū)動芯片,如果巧妙地利用變壓器,也可以串上電容,用555這樣的芯片做驅(qū)動!
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@haibin
共通風(fēng)險,在這里并不是指你驅(qū)動的部分造成的共通問題,而是你長時間、高低溫狀態(tài)下使用,因元器件特性參數(shù)產(chǎn)生差異,而導(dǎo)致的全橋上下對管的導(dǎo)通不同步情況,在這個情況下會造成慢一點開通的管子的承受過壓而特性變壞,最后擊穿,從而造成共通!如果是驅(qū)動部分的共通,那好解決,只要驅(qū)動脈寬占空比在50%以下(不要太靠近)、留有足夠的死區(qū)時間、驅(qū)動的最高頻率低于LC的諧振頻率就不會有問題,最好是用TL494這樣專用的可以調(diào)節(jié)死區(qū)時間的驅(qū)動芯片,如果巧妙地利用變壓器,也可以串上電容,用555這樣的芯片做驅(qū)動!
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暈，你結(jié)論第一個就錯了。四硅機理論最簡單，直接就是一個RC的二階放電電路，關(guān)斷原理也很簡單。單硅機是RLC串聯(lián)諧振電路，是個二階電路，解偏微分方程估計沒有大專的數(shù)學(xué)搞不定。所以單硅直通和關(guān)斷那些人基本搞不清楚，電路是簡單，原理單硅可復(fù)雜了。其實單硅展開就是某種雙硅了。單硅的直通電阻臨界值是串聯(lián)諧振Q值=1的臨界狀態(tài)，低于這個的就會直通。Q=1=（√L/C）/R ，一個kcl節(jié)點展開了就是一個RLC串聯(lián)諧振求Q值問題。其實應(yīng)該先出現(xiàn)的是雙硅，大部分的雙硅是單硅的分解，橋四硅是某種串雙硅的變種。是一種最簡答的一階電路。比單硅少了直通這個問題（理想元件下橋四硅不存在直通的問題）
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