自己頂一下

ICEPower D類功放

有.

是電源,不是功放,我沒說(shuō)清楚嗎?D類功放是SPWM.

請(qǐng)問你做過這樣的電源嗎?

我只見過次級(jí)整流后再穩(wěn)壓的．

我的圖有問題,加續(xù)流二極管,PMOSFET認(rèn)為是單向?qū)щ娖骷?沒有體二極管,把它看成三極管吧.

就是說(shuō)整流后,濾波電感前加個(gè)MOSFET嗎?

是整流濾波后再加一級(jí)穩(wěn)壓．

能用來(lái)做功放就能用來(lái)做電源,但是這個(gè)貌似有專利的.
google一下ICEPower試試

PMOS 真的沒有體二極管嗎?

我是假設(shè),一般MOS襯底都和源極相連,所以都存在體二極管.

那好像就行不通了啊

暈,用PNP三極管總可以了吧

如果要是在濾波前,整流后,應(yīng)該有軟開關(guān)的條件.

會(huì)熱壞掉的,退出飽和太慢了

那把PMOSFET換成二極管,然后后面接個(gè)PMOSFET,再后面續(xù)流二極管、電感等.關(guān)鍵是討論這種電路形式,我覺得這種形式存在原邊軟開關(guān)的條件.

呵呵,的確,二極管的開通并不占滿50%,前后都留出時(shí)間的話,就可以了,控制起來(lái)比較麻煩啊,

俺覺得對(duì)原邊來(lái)講用門就可以搭,用IR的自震蕩半橋驅(qū)動(dòng)片子也行,原邊副邊用小信號(hào)變壓器做偶合,所有信號(hào)處理都在副邊,都可以是直接偶合,對(duì)環(huán)路速度很有好處,原邊有軟開關(guān)條件,應(yīng)該是可靠性比較高,不知道你覺得如何?

的確如你所言
但是副邊的這個(gè)“開關(guān)”怎么做損耗都比較大啊,一般來(lái)說(shuō),副邊的電流都比較大

這種形式可以存在,采用低壓端占空比穩(wěn)壓也行,回授電壓控制同步MOS的導(dǎo)通時(shí)間.

如果PMOSFET封裝的時(shí)候,襯底和源極分離,成為沒有體二極管的器件,就象模擬開關(guān)內(nèi)部的MOSFET一樣,那么就可以用它做同步整流了兼脈寬控制了,怎么也比二極管損耗小啊,可惜就是沒有這樣的MOSFET啊