2004年4月15日 --高效電源轉換控制器及最佳整流器和MOSFET的領先供應商之一的安森美半導體(美國納斯達克上市代號:ONNN),宣布推出新的高壓MOSFET產品線.推出這些新的600伏(V)MOSFET,擴展了公司的簡化電源設計方案,用于包括開關模式電源、PWM馬達控制、轉換器和橋電路應用中.增加高壓MOSFET后,現在安森美半導體可單獨提供所有的電源設計重要有源元件.

高壓MOSFET
新的NTD4N60、NTP6N60 和 NTP10N60器件特點為高至10安倍(A)的電流額定和10V時RDS(on)低至0.75歐姆.這些器件采用了安森美半導體的優秀平面TMOS7HV技術,可在要求最苛刻的應用中工作.門控充電極低,從而降低了驅動器損耗,取得比傳統技術更高的效率.這些器件的雪崩能量額定使其在電源應用中可靠運行.

安森美半導體集成產品器件部副總裁兼總經理Ramesh Ramchandani說:“推出此產品只是安森美半導體涉足高壓MOSFET市場的第一步,到今年末,我們將推出500-800 V HVMOS器件,具引以為傲的最佳RDS(on) 和開關性能.”

這要看你具體的條件和要求了,去各大供應商網站上看看有沒有適合你要求的

12N06

SSP12N60

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APT5020BVFR

IRFP20N60k.

用應非林的20N60COOIMOS

20N60       20A 600V 0.19歐                        1000PCS    2.50
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美國IXYS功率器件.以上幾款管子請參考:IXFH9N60P 600V,9A.  導通電阻:0.6歐姆.IXFH14N60P  600V,14A.  導通電阻:0.55歐姆IXFH18N60P  600V,18A .導通電阻:0.4歐姆