原因分析如下:

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/79/380471247583616.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
上圖是MOS的寄生電容圖:
假設t0時刻是驅動波形上升的時刻
t1時刻是你的驅動波形上突后走平的那個臺階.
當t0-t1時刻: Ciss=Cgs ,I2給Cgs充電,Vgs上升
t1時刻:Vgs上升到MOS的開通電壓,此時的MOS已開通,與此同時Cgd通過D-S極放電,當Vds<=Vgs時,Cgd開始反向充電,Vgs會突然變小,此時對于MOS的輸入電容Ciss=Cgs+Cgd..
Cgd容量的大小直接影響了驅動波形上突點尖峰的大小和那個平臺停留的時間.
1,去換個Cgd小的MOS,
2,去調整你的電感,看是不是工作在臨界模式??看你的過零檢測有沒有問題.
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