能傳圖上來看嗎?

變壓器設計有問題吧,加大磁隙試一下.

文件如圖所示
1221011244706124.doc

我已經上傳的電路圖,沒有用到變壓器

電感用過3mH,10mH,還是沒有解決問題.

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MOS管:(仙童 英飛凌原裝正品)
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橋堆:(SEP臺灣江虹)
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肖特基二極管:(光寶、安森美)  
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快恢復二極管:(飛利浦 仙童 安森美)
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我怎么看不到上面有圖呢,只是空白頁.

看你電路結構應該是BUCK降壓型,頻率應該在80K左右,我不清楚你驅動功率是多大,但是,不過輸入電流峰值應該不會超過1A,雖然4N60的RDS只有2.5Ω,但是Qg很高,超過15nC,在超過60K的頻率下,MOSFET損耗很厲害,所以發熱嚴重,1N60雖然RDS有11Ω,但是Qg很小,只有5nC,開關損耗會小很多,建議你試試,2N60也可以,Qg有9nC,Rds 3.5Ω.如果不想換MOSFET那就把頻率降到45K左右吧.

很多人使用MOSFET都只關心Rds,其實對于高頻,Qg是個很重要的參數,Qg越大高頻損耗越大
快恢復管發熱也是因為MOSFET損耗太大,開關波形畸變的原因,先把MOSFET換了再說.160的恢復時間足夠了

謝謝大師的解答.現在還有一個問題,我把頻率降到58K,同時MOS管也換成了2N60,結果負載只有微弱地向征性的一點光,請問又是什么問題呢?我的上標輸出是400毫安30V.

我看了圖紙,你那個LED是從電源直接下來的,MOS管的功耗與LED不發生關系,還不如把LED接到MOS管的源極.

樓上的意思是不用光耦嗎?

這種IC本身就有恒流,不必用光耦了,另外LED要從電感串接過來,再到MOS管的漏極,這樣電路就形成了,續流二極管要選正向電阻在440以下的,內阻高的時間恢復也長,不好用的.

不用光耦的電路之前也試過,同樣出現了溫度高的問題,不知論壇里面有沒有成功的案例,MOS管的溫度會在多少?

請問RDS和QG,哪個對熱量及損耗的影響更大呢?

你的電路是接錯了,LED沒有經過MOS管,是直接從電源上取的,所以MOS管是空載,肯定會發熱的,時間長了會燒壞的,正常情況下MOS管的溫度很低,不會超過40度.

降壓電路,你可以看MOS的漏極上的波形,RDS帶來的損耗主要是P=RDS*IRMS^2*占空比D,因為MOS截止時,RDS不會帶來損耗.假設RDS是10Ω,平均電流IRMS就是LED電流0.35A,220V輸入,50V輸出,占空比也就23%不到.RDS帶來的損耗10*0.35^2*0.23=0.28W.
開關損耗的算法我知道的有2種,一種是P=總電荷Qg*門極電壓Vg*頻率Fs*系數K(記不得有沒有這么個系數了);一種P=反向傳輸電容C*門極電壓Vg*頻率Fs/處于臨界導通時的門極電流I.
高頻開關下通常是剛上電時開關損耗太大,導致MOS結溫迅速上升,RDS也隨溫度上升而變大,有時因為占空比太高,導致溫升到一定程度RDS的導通損耗超過了開關損耗.

謝謝!只是如果是這樣的話,我的LED上三百多毫安的電流是哪里來的呢?

電路沒錯,接光藕的作用是為了LED電流更平滑

那么大的光耦,通過300MA的電流,不是飽合了吧,旁邊并聯的1.5K的電阻,控制相位對嗎.

哪有1.5K電阻?你看哪去了?

http://www.sddz-ic.com/upload/200892295073540755938A.pdf
他的電路參考的是這個

是的,就是這個電路

試試我們的COOLMOS:SPP04N60C3&SPD04N60C3,RDS(ON)只有其它MOS的一半大,更好地降低整機損耗.



如果您對我們的MOS感興趣,請直接聯系我:15013851891 吳生
深圳市銘城光華科技有限公司
http:www.mamsung.com

518961245397984.pdf

Qg大成馬了

Qg太大了.

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