大家都知道mosfet有3個工作區,恒流區(放大區)此時漏源電流Ids只與Ugs有關,可變電阻區(Ids與Uds有關)
及截止區,在非隔離開關電源的設計中,大家基本只考慮Rdson(此時應該Rds很小),可是你怎么能保證讓MOSFET工作在可變電阻區呢?對于著幾個工作區,請搞手指交
mosfet你可能一直這樣用,可是你知道為什么嗎?請高手指交!
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mosfet在導通的時候有4個工作去,在關閉的時候有4個工作區首先是電壓上升到門限電壓,這時候mosfet不到通然后是門限電壓上升到miller電壓,此時mosfet上電壓不變,電流開始增加,第三階段是柵極電壓保持不變,mosfet上電壓開始下降,電流保持不變第四階段是柵極電壓上升到驅動電壓,mosfet電壓降到0,電流保持不變
我最近在翻譯一片英文資料,詳細介紹了mosfet的特性和應用的注意事項,《desing and application guild for high speed mosfet gate drive circuits》
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@data
我來傳吧DesignAndApplicationGuideforHighSpeedMOSFETGateDriveCircuits.pdf
謝謝您的熱心幫助.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/31/1122690802.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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@brain789
謝謝Phonepim
功率MOSFET的基本特性
2.3.1靜態特性MOSFET的轉移特性和輸出特性如圖2所示.
漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關系稱為MOSFET的轉移特性,ID較大時,ID與UGS的關系近似線性,曲線的斜率定義為跨導Gfs
MOSFET的漏極伏安特性(輸出特性):截止區(對應于GTR的截止區);飽和區(對應于GTR的放大區);非飽和區(對應于GTR的飽和區).電力MOSFET工作在開關狀態,即在截止區和非飽和區之間來回轉換.電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管,漏源極間加反向電壓時器件導通.電力MOSFET的通態電阻具有正溫度系數,對器件并聯時的均流有利.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/31/1122736451.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
當Uds>Ugs-Ugs(th),工作在飽和區(恒流區),Uds
2.3.1靜態特性MOSFET的轉移特性和輸出特性如圖2所示.
漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關系稱為MOSFET的轉移特性,ID較大時,ID與UGS的關系近似線性,曲線的斜率定義為跨導Gfs
MOSFET的漏極伏安特性(輸出特性):截止區(對應于GTR的截止區);飽和區(對應于GTR的放大區);非飽和區(對應于GTR的飽和區).電力MOSFET工作在開關狀態,即在截止區和非飽和區之間來回轉換.電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管,漏源極間加反向電壓時器件導通.電力MOSFET的通態電阻具有正溫度系數,對器件并聯時的均流有利.
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當Uds>Ugs-Ugs(th),工作在飽和區(恒流區),Uds
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