最近我受托研制一個(gè)感覺(jué)難度較大的電源,聽(tīng)說(shuō)這里的乞兄和CMG大師很牛,能否給小弟一點(diǎn)建議,參數(shù)是這樣要求的:
輸入: 220VAC
輸出: 正負(fù)脈沖 幅值0-25KV可調(diào),最大輸出20mA
脈沖頻率: 1k-100K可調(diào);
脈沖占空比:0-45%可調(diào);
最大功率500W
功率因數(shù):大于90%.
我大概的拓?fù)湎胗肞FC+BUCK+半橋+諧振電感+高壓包
可是頻率要求太寬,很難解決這個(gè),正在協(xié)商中,各位熱仁兄給點(diǎn)建議,這個(gè)高壓包和廠家聯(lián)系,說(shuō)很難,不知還有什么辦法嗎?
等離子高壓電源,變壓,變頻,變占空比
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雖然過(guò)去很長(zhǎng)時(shí)間了，但還是說(shuō)兩句。其實(shí)也不難，要打開(kāi)思路，將整個(gè)電源分為兩個(gè)部分，一個(gè)是25kV/500W的高壓直流電源，這個(gè)很簡(jiǎn)單，并在電源前加APFC。后面串聯(lián)一個(gè)高壓開(kāi)關(guān)，再接負(fù)載，通過(guò)控制開(kāi)關(guān)的開(kāi)啟關(guān)斷實(shí)現(xiàn)脈沖輸出，高壓開(kāi)關(guān)可以采用40只1000V的MOS管串聯(lián)，由于電流很小，因此MOS管可以選擇電流較小的，像APT4M120K或IRFBG30等。唯一的難點(diǎn)是100kHz的頻率，會(huì)很熱，因此體積較大。這種高壓晶體管開(kāi)關(guān)在國(guó)內(nèi)做的非常少，老外做得很好，成本也不高。本人在08年時(shí)做過(guò)30kV/10kHz的高壓開(kāi)關(guān)，前后沿在500ns，抗打火能力也很強(qiáng)，使用在行波管陽(yáng)極調(diào)制上，電流也不大。現(xiàn)在可以做電流更大的高壓開(kāi)關(guān)，主要用在雷達(dá)發(fā)射機(jī)調(diào)制及等離子體脈沖放電等場(chǎng)合。有興趣可以聯(lián)系我，交流技術(shù)。
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@fyfandy520
雖然過(guò)去很長(zhǎng)時(shí)間了，但還是說(shuō)兩句。其實(shí)也不難，要打開(kāi)思路，將整個(gè)電源分為兩個(gè)部分，一個(gè)是25kV/500W的高壓直流電源，這個(gè)很簡(jiǎn)單，并在電源前加APFC。后面串聯(lián)一個(gè)高壓開(kāi)關(guān)，再接負(fù)載，通過(guò)控制開(kāi)關(guān)的開(kāi)啟關(guān)斷實(shí)現(xiàn)脈沖輸出，高壓開(kāi)關(guān)可以采用40只1000V的MOS管串聯(lián)，由于電流很小，因此MOS管可以選擇電流較小的，像APT4M120K或IRFBG30等。唯一的難點(diǎn)是100kHz的頻率，會(huì)很熱，因此體積較大。這種高壓晶體管開(kāi)關(guān)在國(guó)內(nèi)做的非常少，老外做得很好，成本也不高。本人在08年時(shí)做過(guò)30kV/10kHz的高壓開(kāi)關(guān)，前后沿在500ns，抗打火能力也很強(qiáng)，使用在行波管陽(yáng)極調(diào)制上，電流也不大。現(xiàn)在可以做電流更大的高壓開(kāi)關(guān)，主要用在雷達(dá)發(fā)射機(jī)調(diào)制及等離子體脈沖放電等場(chǎng)合。有興趣可以聯(lián)系我，交流技術(shù)。
你說(shuō)的很好。請(qǐng)問(wèn)一下高壓電子負(fù)載好做嗎？比如30KV/500W的負(fù)載，打算用MOSFET做，但沒(méi)有那么高的
耐壓，你可有高招？謝謝。
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