MOS管的D漏極和S源極之間連個電容是起什么作用啊?

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b6541232000

LV.4

2009-03-03 14:59

壓EMI 的

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LV.1

2009-03-03 15:17

要看你那MOS用在那里呀．用的地方不一樣所起的作用也不會一樣的．

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power1952

LV.2

2009-03-03 15:19

要看你那MOS用在那里呀．用的地方不一樣所起的作用也不會一樣的．

是單端反激電源的開關MOS,3843+20N60

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power1952

LV.2

2009-03-03 15:20

這個電容對MOS會有什么影響!

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LV.1

2009-03-03 15:28

@power1952

這個電容對MOS會有什么影響!

變壓器原邊串個電容.原邊的波形會有振蕩現(xiàn)象.

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zhong721123

LV.5

2009-03-03 15:54

變壓器原邊串個電容.原邊的波形會有振蕩現(xiàn)象.

改善EMI,但效率會降低

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晶熔鐵

LV.7

2009-03-03 19:30

@zhong721123

改善EMI,但效率會降低

不同場合不同作用.主要還是吸收尖峰,改善EMI,限制作用于MOS FET上的du/dt,提高MOS FET工作可靠性.

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ytdfwangwei

LV.8

2009-03-04 12:55

@晶熔鐵

不同場合不同作用.主要還是吸收尖峰,改善EMI,限制作用于MOSFET上的du/dt,提高MOSFET工作可靠性.

一般沒有直接這樣用的,除非是為了實現(xiàn)零電壓,否則容易造成MOS管開通的時候大電流的損壞.即使加容量也會很小.

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zkybuaa

LV.5

2009-03-04 18:37

@晶熔鐵

不同場合不同作用.主要還是吸收尖峰,改善EMI,限制作用于MOSFET上的du/dt,提高MOSFET工作可靠性.

有這樣用的嗎?
開通前如果C上電壓不為零,儲能會完全消耗在管子內部.
ZVS倒是常常這樣用.

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hqyzh

LV.6

2009-03-04 19:32

@ytdfwangwei

一般沒有直接這樣用的,除非是為了實現(xiàn)零電壓,否則容易造成MOS管開通的時候大電流的損壞.即使加容量也會很小.

電容要是還大點呢

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晶熔鐵

LV.7

2009-03-04 21:27

@zkybuaa

有這樣用的嗎?開通前如果C上電壓不為零,儲能會完全消耗在管子內部.ZVS倒是常常這樣用.

一般此電容不會大于200P-300P(對于ID為5A-9A的MOS管,諧振式除外),并多見于S極對地有限流電阻的反激式場合.此電容是否會在MOS管導通時產(chǎn)生較大的短路電流,一方面取決于容量大小及電容自身的等效串聯(lián)電阻,同時也取決于該MOS管G極的上升速率.實測此電容有無的區(qū)別是副邊二極管導通或關斷毛刺明顯減低,EMI空間輻射亦有所降低.

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