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Mos管及其體二極管電流問題的探討

有哪位大俠知道“為什么Mos管能承受的電流和它自身的體二極管能承受的電流是一樣的?”如:一個Mos管能流過10A電流,則它的體二極管同樣能流過10A電流.

   請大俠指點.

   我個人認為:Mos管的體二極管是在制造時自然形成的.在理論上可以把它和Mos管的另一部分區分一下,但從結構形式來說它們是一個整體,所以它們能承受的電流自然就相同.

    各位有不同意見請指點.不怕被拍磚!
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2005-06-07 23:24
沒人回,我自己頂.
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2005-06-07 23:53
MOS管導通時,溝道在表面,電流從表面流走;而做二極管用時,電流經過的是內部的PN結;所以在做MOS管導電時,和該管的寬長比有關;而體二極管承受電流的能力不但和寬長比有關,而且和該MOS管源漏的結深及外延層厚度或則阱的深度有關,而且,采用不同的MOS管結構(例如梳狀、#形狀)
也有關系!
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2005-06-08 08:13
@flysky1979
MOS管導通時,溝道在表面,電流從表面流走;而做二極管用時,電流經過的是內部的PN結;所以在做MOS管導電時,和該管的寬長比有關;而體二極管承受電流的能力不但和寬長比有關,而且和該MOS管源漏的結深及外延層厚度或則阱的深度有關,而且,采用不同的MOS管結構(例如梳狀、#形狀)也有關系!
兩種不同的導電方式,怎么會有必然的承受電流能力呢...暈...
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andyxm
LV.5
5
2005-06-08 09:06
@古道中人
兩種不同的導電方式,怎么會有必然的承受電流能力呢...暈...
兄臺,你知道MOS管兩端在高壓情況下(四五百伏),它的輸出電容大概為多大啊?在五十伏時,差不多有500pF,但我不知道高壓情況下的容值啊,望高手指教!
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2005-06-08 09:19
@andyxm
兄臺,你知道MOS管兩端在高壓情況下(四五百伏),它的輸出電容大概為多大啊?在五十伏時,差不多有500pF,但我不知道高壓情況下的容值啊,望高手指教!
正常情況下,如果你需要MOS管耐壓,它應該工作在放大區,輸出電容主要是MOS管漏端和襯底形成的反向PN結電容,所以加大反偏電壓,耗盡層擴展,你的電容應該減小!
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2005-06-08 15:01
@flysky1979
正常情況下,如果你需要MOS管耐壓,它應該工作在放大區,輸出電容主要是MOS管漏端和襯底形成的反向PN結電容,所以加大反偏電壓,耗盡層擴展,你的電容應該減小!
你這個說法不對了,你的說法只表現在PN結上.

對于場效應管,他的輸入等效電容隨著VDS增加而增加
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andyxm
LV.5
8
2005-06-08 15:46
@古道中人
你這個說法不對了,你的說法只表現在PN結上.對于場效應管,他的輸入等效電容隨著VDS增加而增加
根據廠家提供的數據應該是DS間電壓增加時,其輸出電容是減小的,但它只提供到了DS間電壓為五十伏的情況,再高時就不知道了,還望大家多提建議啊!小弟不勝感激啊!
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2005-06-08 17:41
@古道中人
你這個說法不對了,你的說法只表現在PN結上.對于場效應管,他的輸入等效電容隨著VDS增加而增加
MOS管的電容分為:柵和溝道之間的氧化層電容C1=WLCox,襯底和溝道
之間的耗盡層電容C2、多晶硅柵與源漏交迭的電容、源漏和襯底的節電容;
而輸出電容主要就是DS電容,也就是PN結電容
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ck-hao
LV.4
10
2005-06-08 18:16
簡單的說,MOSFET的壓降Vds也就0.5V,MOSFET體二極管的壓降Vsd有1.5V,在同樣散熱條件下,你說能流過同樣大小的電流嗎???
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zjqjl
LV.6
11
2005-06-08 19:29
我想不會吧!
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2005-06-08 20:24
@flysky1979
MOS管的電容分為:柵和溝道之間的氧化層電容C1=WLCox,襯底和溝道之間的耗盡層電容C2、多晶硅柵與源漏交迭的電容、源漏和襯底的節電容;而輸出電容主要就是DS電容,也就是PN結電容
不好意思,我以為談的是輸入電容...
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flysky1979
LV.4
13
2005-06-08 21:32
@andyxm
根據廠家提供的數據應該是DS間電壓增加時,其輸出電容是減小的,但它只提供到了DS間電壓為五十伏的情況,再高時就不知道了,還望大家多提建議啊!小弟不勝感激啊!
可以這樣估算一下,PN結的耗盡層擴展正比于反向電壓的1/2次方,而耗盡層電容可以看成平板電容,所以按照50V,500p計算,500V時,電容為500p/3=170p,由于GD電容基本不變,所以500V時,電容可能在200p~300p之間!不知道這樣說問題大不大!
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2005-06-09 00:04
@zjqjl
我想不會吧!
我知道我的分析不一定是對的,但是能承受同樣的電流卻是沒錯的.我向幾位高人請教過,也找過Mos管的資料看過.不會錯的.
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劍心
LV.8
15
2005-06-09 12:34
@絕地蒼狼
我知道我的分析不一定是對的,但是能承受同樣的電流卻是沒錯的.我向幾位高人請教過,也找過Mos管的資料看過.不會錯的.
大電流MOS管的管芯只要散熱良好,能承受非常大的電流的.管子承受電流能力的限制主要在于內部引線熔斷.
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2005-06-09 23:10
@劍心
大電流MOS管的管芯只要散熱良好,能承受非常大的電流的.管子承受電流能力的限制主要在于內部引線熔斷.
各位好像談偏題了吧
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ck-hao
LV.4
17
2005-06-10 18:14
@絕地蒼狼
我知道我的分析不一定是對的,但是能承受同樣的電流卻是沒錯的.我向幾位高人請教過,也找過Mos管的資料看過.不會錯的.
一般用MOSFET時,電流由D流向S,用MOSFET同步整流時,電流由S流向D,電流大小當然一樣,但這可不是寄生二極管的電流.
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2005-06-13 21:52
@ck-hao
一般用MOSFET時,電流由D流向S,用MOSFET同步整流時,電流由S流向D,電流大小當然一樣,但這可不是寄生二極管的電流.
你找一份Mos管的資料先仔細看看吧.
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hl-xie
LV.4
19
2005-06-13 23:16
@ck-hao
一般用MOSFET時,電流由D流向S,用MOSFET同步整流時,電流由S流向D,電流大小當然一樣,但這可不是寄生二極管的電流.
1118675800.xls
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2005-06-16 00:10
@ck-hao
一般用MOSFET時,電流由D流向S,用MOSFET同步整流時,電流由S流向D,電流大小當然一樣,但這可不是寄生二極管的電流.
1118851839.pdf
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帝國夢
LV.5
21
2010-01-15 10:45
@flysky1979
MOS管的電容分為:柵和溝道之間的氧化層電容C1=WLCox,襯底和溝道之間的耗盡層電容C2、多晶硅柵與源漏交迭的電容、源漏和襯底的節電容;而輸出電容主要就是DS電容,也就是PN結電容
學習了


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