單端正激能否不使用復位繞組?
當開關管關閉時,讓變壓器初級電感里面的電流流入MOS的DS電容(或并聯一個小電容),直到磁芯復位并且承受反向伏秒數,等MOS的DS電壓又降下來,再打開開關管,像QR反激一樣?
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@tanknet
NCP1205,OB2203?還有一種想法,就是復位繞組放在次級,用反激的接法接次級輸出電容,復位的時候磁芯能量不是返回輸入電容,而是進入輸出電容
NCP1205的Demag腳內部電路不知道,故此對于它是如何判斷電感電流過零的機理不能確知.估計是通過檢測輔助繞組的耦合電壓,當這個電壓為零時,就認為電感電流完全斷續.如果這樣,初步看來恐怕不能很好的應用在正激電路中.
因為正激拓撲復位的目的是使得激磁電流所引起的磁芯磁化消退,以便下一周期重復磁化.而反激電路卻并不需要單獨的復位過程.因為在副邊二極管導通的時候實際上就是在是磁芯復位.
就源邊來看,正激電路要處理的問題有二,一是磁芯復位,二是漏感能量泄放.而反激拓撲則主要處理漏感能量就可以了.磁芯復位過程實際上就是能量傳遞的過程.反射電壓其實就是正激電路里邊的磁芯復位電壓.
至于復位繞組能量釋放到副邊,這樣做可能會面臨一點點不變.那就是對于確定的輸出電壓會將復位電壓鉗位.這樣會進一步限制占空比,尤其是輸入電壓變化比較大的時候.如果輸出電壓變化也比較大,那問題還會惡化.
實際上,某些ZVT電路就是利用一個小的反激變壓器來將并聯在開關管兩端的電容里邊的能量(漏感能量,可能還有激磁能量)傳遞出去.這里邊既可以是源邊,也可以是副邊,或者輔助電源.
據說,(網上檢索到的資料,可能為同一出處)第三代有源鉗位的專利就包括這樣的改進,將復位能量耦合到副邊,提高效率.
不過我并沒有見到專利的原文.也沒有見到確切的電路圖,甚至第二三代有源鉗位的具體描述也沒有.這個代的劃分依據也不清楚.
因為正激拓撲復位的目的是使得激磁電流所引起的磁芯磁化消退,以便下一周期重復磁化.而反激電路卻并不需要單獨的復位過程.因為在副邊二極管導通的時候實際上就是在是磁芯復位.
就源邊來看,正激電路要處理的問題有二,一是磁芯復位,二是漏感能量泄放.而反激拓撲則主要處理漏感能量就可以了.磁芯復位過程實際上就是能量傳遞的過程.反射電壓其實就是正激電路里邊的磁芯復位電壓.
至于復位繞組能量釋放到副邊,這樣做可能會面臨一點點不變.那就是對于確定的輸出電壓會將復位電壓鉗位.這樣會進一步限制占空比,尤其是輸入電壓變化比較大的時候.如果輸出電壓變化也比較大,那問題還會惡化.
實際上,某些ZVT電路就是利用一個小的反激變壓器來將并聯在開關管兩端的電容里邊的能量(漏感能量,可能還有激磁能量)傳遞出去.這里邊既可以是源邊,也可以是副邊,或者輔助電源.
據說,(網上檢索到的資料,可能為同一出處)第三代有源鉗位的專利就包括這樣的改進,將復位能量耦合到副邊,提高效率.
不過我并沒有見到專利的原文.也沒有見到確切的電路圖,甚至第二三代有源鉗位的具體描述也沒有.這個代的劃分依據也不清楚.
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@楚天?
NCP1205的Demag腳內部電路不知道,故此對于它是如何判斷電感電流過零的機理不能確知.估計是通過檢測輔助繞組的耦合電壓,當這個電壓為零時,就認為電感電流完全斷續.如果這樣,初步看來恐怕不能很好的應用在正激電路中.因為正激拓撲復位的目的是使得激磁電流所引起的磁芯磁化消退,以便下一周期重復磁化.而反激電路卻并不需要單獨的復位過程.因為在副邊二極管導通的時候實際上就是在是磁芯復位.就源邊來看,正激電路要處理的問題有二,一是磁芯復位,二是漏感能量泄放.而反激拓撲則主要處理漏感能量就可以了.磁芯復位過程實際上就是能量傳遞的過程.反射電壓其實就是正激電路里邊的磁芯復位電壓.至于復位繞組能量釋放到副邊,這樣做可能會面臨一點點不變.那就是對于確定的輸出電壓會將復位電壓鉗位.這樣會進一步限制占空比,尤其是輸入電壓變化比較大的時候.如果輸出電壓變化也比較大,那問題還會惡化.實際上,某些ZVT電路就是利用一個小的反激變壓器來將并聯在開關管兩端的電容里邊的能量(漏感能量,可能還有激磁能量)傳遞出去.這里邊既可以是源邊,也可以是副邊,或者輔助電源.據說,(網上檢索到的資料,可能為同一出處)第三代有源鉗位的專利就包括這樣的改進,將復位能量耦合到副邊,提高效率.不過我并沒有見到專利的原文.也沒有見到確切的電路圖,甚至第二三代有源鉗位的具體描述也沒有.這個代的劃分依據也不清楚.
OB的東西我對他沒有好印象.起因是我之前在論壇看到有人談論某OB芯片,比較意動,興致勃勃的去找datasheet,卻發現那里都找不到.好像廠家不提供,或者只提供給大客戶.所以對于你上面提及的芯片我就不說什么了.
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@楚天?
正激ZVS軟開關就是醬紫滴……電壓應力比較大,變頻控制.輕載軟布下來,重載電壓嚴重飆升.諧振時間隨負載變化較大(ds間并聯較大電容時能有所改善).你可以自己搭一個玩玩.用3845就可以.在3845的利用drive腳額外驅動一個小MOS來鉗位住震蕩器,調整DS電容或震蕩器周期,使之相互匹配.效率不錯,就是電壓太高.折騰不起.反激也可以試試.
沒錯用變頻來做,電容應并在繞組兩端,諧震復位,DS DG電容也參加了這個過程,輕載可以軟下來,只是要犧牲功率因素,做一下拉氏變換看得很清楚,管子關斷后繞組回路電流使電容充到高負壓然后諧震回到電源電壓,這里有一個回路最小初始電流條件,這個條件必須保證,否則軟不下來,重載時初始電流變的較大,電容負壓變大,管子的耐壓3倍以上電源電壓可以,2倍電壓復磁,快!B也可取的較大.空載和重載的頻率從交流阻抗的角度理解會無窮大,但實際上是可以控制的,5/1 3/1 都可以做到,當然比值越小越難做,這些都不是關鍵性的問題.關鍵問題是控制電路,電路要自己搭,麻煩!IC業是滯后的!
還有一類做法是C并的較小,快速復磁后管子上保持一平臺殘余電壓,半軟半硬,撿占空比的便宜.
還有一類做法是C并的較小,快速復磁后管子上保持一平臺殘余電壓,半軟半硬,撿占空比的便宜.
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@楚天?
NCP1205的Demag腳內部電路不知道,故此對于它是如何判斷電感電流過零的機理不能確知.估計是通過檢測輔助繞組的耦合電壓,當這個電壓為零時,就認為電感電流完全斷續.如果這樣,初步看來恐怕不能很好的應用在正激電路中.因為正激拓撲復位的目的是使得激磁電流所引起的磁芯磁化消退,以便下一周期重復磁化.而反激電路卻并不需要單獨的復位過程.因為在副邊二極管導通的時候實際上就是在是磁芯復位.就源邊來看,正激電路要處理的問題有二,一是磁芯復位,二是漏感能量泄放.而反激拓撲則主要處理漏感能量就可以了.磁芯復位過程實際上就是能量傳遞的過程.反射電壓其實就是正激電路里邊的磁芯復位電壓.至于復位繞組能量釋放到副邊,這樣做可能會面臨一點點不變.那就是對于確定的輸出電壓會將復位電壓鉗位.這樣會進一步限制占空比,尤其是輸入電壓變化比較大的時候.如果輸出電壓變化也比較大,那問題還會惡化.實際上,某些ZVT電路就是利用一個小的反激變壓器來將并聯在開關管兩端的電容里邊的能量(漏感能量,可能還有激磁能量)傳遞出去.這里邊既可以是源邊,也可以是副邊,或者輔助電源.據說,(網上檢索到的資料,可能為同一出處)第三代有源鉗位的專利就包括這樣的改進,將復位能量耦合到副邊,提高效率.不過我并沒有見到專利的原文.也沒有見到確切的電路圖,甚至第二三代有源鉗位的具體描述也沒有.這個代的劃分依據也不清楚.
在正激電路中直接在MOS端加電容是不可取的,小了沒用,大了有害.如果能將復位能量引到次級而提高效率倒是不錯的選擇.
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