我見到的最高150V
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MBR20200CT
20A/200V

高壓肖特基的最新發展動態
電壓達300V,SiC肖特基二極管.反向漏電流小于0.1mA/mm,反向恢復時間幾乎為0.

Sic正向壓降太大
不適合用在低電壓輸出.

高壓的肖特基技術不成熟,價格貴,交貨周期長.
我用過MBR20200,比起超快管,更容易被擊穿.效率提升不明顯.

Schottky diode的確容易被擊穿
但是只要用的電壓留適當的余量,還是很可靠的;不同意你說的對效率提升不明顯的說法.

我可能用的電流較小
我可能用的電流較小5A吧.

哥們我手頭有一家公司,臺灣半導體的
質量和價位都比較適中,如果有興趣可以與我聯系:leon@mostyle.com.cn,
有200V的.

APT的肖特基都是200V的,
電流25-120A,
單管或者共陰的,
封裝有:
TO-220,D3PAK,TO-247,T-MAX,TO-264等.

stps20150
20a/150v

我有現貨MBR20150,MBR20200
TEL:021-39986248;13901984014

你好,8QT10(8A/100V)TO220封裝,有嗎?

2004年11月22日——全球領先的一家功率分立元件供應商安森美半導體(美國納斯達克上市代號:ONNN)推出了業內首個250伏 (V) 肖特基整流器,應用于等離子/LCD電視、電源、消費類和汽車電子,把原有的肖特基勢壘電壓超越至200V 以上.公司為了進一步擴展其高壓肖特基產品系列,還推出了兩款全新的200V SMC封裝肖特基整流器.

安森美半導體新推出的200V和250V肖特基的無噪聲運行和快速恢復時間特性,在反向恢復時間、正向電壓和軟度方面均優于超高速整流器.因此新款的高壓肖特基器件能簡化系統的設計,為日益增長的200-250V應用,如等離子電視驅動電路、汽車車體電子裝置和計算機電源等,提供了更高性價比的解決方案.

安森美半導體功率分立器件產品總監Keith Nootbaar說:“自90年代初首次將肖特基勢壘電壓提升至200V以來,安森美半導體一直在高壓肖特基硅器件領先.當我們的競爭對手還剛開始開發200V肖特基時,安森美半導體又在業內樹立起新的250V里程碑,并計劃在將來不斷地提升我們的技術.”

高壓肖特基整流器與超高速整流器的比較
傳統上,超高速整流器應用于能量恢復、反擊浪涌以及輸出整流上,在這些應用中反向電壓可超過200V.一個最典型的應用例子是等離子電視屏幕的能量恢復電路.在此應用中,開關頻率一般在250kHz左右,而峰-峰值電壓超過180V.這就要求整流器具有低的正向壓降和盡可能出色的開關性能.能量恢復整流器應該具有250V左右的最小擊穿電壓(以供降額使用和承受脈沖尖峰).此項應用通常使用超高速整流器,然而安森美半導體采用先進的硅肖特基技術,開發出了更佳的方案.

Nootbaar說:“以往250V擊穿電壓在商用的硅肖特基整流器的性能范圍之外,設計者的選擇只有標準超高速、軟恢復超高速或昂貴的碳化硅整流器.安森美半導體采用了先進的硅肖特基技術,成功地取得更低的正向電壓(Vf < 1.0),解決了200-250 kHz頻段中的開關損耗和電磁干擾(EMI)問題.”

安森美半導體推出了下列新器件,擴展了200V及以上的整流器產品系列:
- MBR40250:40 A, 250V肖特基整流器,T0-220封裝及裸片.
- MBRS4201:4 A, 200V肖特基整流器,SMC封裝.
- MBRS3201:3 A, 200V肖特基整流器,SMC封裝.

此等新款高壓肖特基器件能消除超高速整流器在任何溫度下都存在的反向恢復振蕩現象.由于振蕩(噪聲)是導致EMI的主要原因,全新的250V肖特基技術可省去EMI濾波,也就節省了EMI濾波的成本.與之相比較,在高溫下使用超高速整流器會出現較大的反向恢復振蕩,因而增大了EMI,并相應增加了整個系統設計中用于濾波的成本.

這些200V和250V的肖特基器件的軟度因子(tb/ta) 也大大優于超高速整流器.與具有類似電壓的超高速整流器相比,肖特基器件在高溫下優異的反向恢復時間(tRR)特性以及穩定性可以減少開關損耗,從而提高整個電路的效率.

新器件的10,000件批量單價在0.30美元至1美元之間.請訪問http://www.onsemi.com/tech以獲得更多信息.

也不知道你那里的,我可以提供
TO-220AC,TO-220AB,TO-3P封裝的

徐先生,我有啊……