所有的MOS管驅(qū)動時都會有這個臺階.
所有的MOS管驅(qū)動時都會有這個臺階.這是MOS管D-G之間的MILLER電容放電造成的.提高驅(qū)動電路的驅(qū)動能力可以使其削弱.

個人觀點,僅供參考.

你好,版主
上升沿與下降沿,不是很陡,有沒有好的方法解決

建議
根據(jù)你以前發(fā)的帖子,我提出以下建議:
1,驅(qū)動電路三極管的基極電阻阻值減小.
2,不知道你的驅(qū)動變壓器的匝比為多少,若為1:1,則25V的電源電壓太高了.
3,MOS管G極電阻的阻值與MOS管的輸入電容有關(guān),一般10A以下的管子可以取22歐——47歐的G極電阻;10——20A的管子取10——22歐的電阻;20A以上的管子取2.2——10歐的電阻.
4,若要讓上升沿和下降沿變陡,在保證了驅(qū)動電路功率足夠的前提下,一般都是采用減小G極電阻的辦法.若只想讓下降沿變陡,而對上升沿沒有影響,可以用一個快速二極管先串聯(lián)一個小電阻,然后反并聯(lián)與G極電阻上.這樣,充電時是一個電阻起作用,放電時是兩個電阻并聯(lián)放電.

非常感謝你的指導!!
謝謝了版主,還有一個問題,如用EI22的磁心,初感選多少mH,比較適合呢?我現(xiàn)在參數(shù)是(8mH)
24V供電,頻率50K,是否有點大.由于半橋電路我是第一次搞,沒有經(jīng)驗,請多幫助!!!
致禮!
         阿飛

計算一下.
可以根據(jù)電磁感應定律的公式計算一下,B=D*V/4NAef
B是磁芯的磁感應增量,D是占空比,V是電壓,N是圈數(shù),Ae是磁芯的截面積,f是頻率.
對于驅(qū)動變壓器來說,關(guān)鍵是漏感要小.

有個疑問,雪后來怎么不當版主了呢?