在非連續導通模式（DCM）下，如何確保準諧振開關的正確工作？

有相關的電路架構分享嗎？

次級控制器具有約1 ms的消隱時間，以防止在正激引腳振蕩電壓低于接地電壓時誤檢測到初級導通周期。檢測速度是否足夠？

次級控制器檢測控制器何時進入非連續導通模式，并打開與初級功率開關的最小開關電壓對應的次級周期請求窗口。菲利阿須可以嗎

準諧振最好的是在第一個谷底，那時候才能接近零電壓開通的要求。

準諧振開關在DCM模式下的正確工作通過三重機制保障：① 次級側采用1ms消隱時間窗口（t_blank=RC=10kΩ×0.1μF），有效濾除振鈴電壓過零點的誤觸發；② 正激引腳設置2Vpp滯回比較閾值，當振蕩幅度超過1.2V時啟動谷底檢測；③ 采用數字頻率抖動技術（±5%開關周期），避免特定頻率下的諧振尖峰累積。建議在調試時用示波器監測CS引腳波形，確保谷底鎖定在Vds<50V時觸發。

典型應用為反激拓撲+同步整流架構：初級側采用650V CoolMOS（如IPD60R360P7），次級側使用100V OptiMOS（如BSC093N10NS5）。關鍵設計點：① 變壓器漏感控制在0.8-1.2μH（通過三明治繞法實現）；② RCD吸收電路選用4.7nF/1kV電容串聯47Ω/2W電阻；③ 反饋環路需加入2.2nF相位補償電容，確保在QR模式切換時的穩定性。

1ms消隱時間對應最大檢測頻率1kHz，實際應用中：當開關頻率fsw>66kHz時（周期T<15μs），振鈴振蕩頻率f_ring≈1/(2π√(Llk*Coss))，典型值2-5MHz。此時1ms窗口可覆蓋60-100個振蕩周期，配合峰值保持電路（如TSV991放大器+BAV99檢波二極管）可將檢測延時壓縮至<200ns，完全滿足QR模式切換需求。

該控制器可適配多種功率器件，關鍵參數匹配：① Vds耐壓需≥1.3倍輸入電壓（如230VAC應用選650V器件）；② Coss建議在150-300pF范圍（如CoolMOS C2M系列）；③ 驅動能力需滿足Qg<25nC（@Vgs=10V）。以英飛凌IPD60R360P7為例，其Coss=180pF，Qg=18nC，完全兼容該控制架構。

次級控制器具有約1 ms的消隱時間，以防止在正激引腳振蕩電壓低于接地電壓時誤檢測到初級導通周期，檢測是否準確？

如何選取合適的電路參數？功耗怎么樣？

這種工作模式如何確保系統穩定性和可靠性？