什么是寬禁帶呢，初次聽到這個詞感覺比較繞，查閱了相關資料后豁然開朗，原來離我們專業并不遠，先來普及下寬禁帶半導體。

固體的能帶結構主要分為導帶、價帶和禁帶三部分，原子中最外層電子稱為價電子，價電子所占據的能帶稱為價帶；比價帶能量更高的允許帶稱為導帶；在價帶和導帶之間的范圍是電子無法占據的，這一范圍稱為禁帶。

材料想要導電，就需要價帶中的電子躍遷到導帶中，形成可以自由移動的電子。電子需要躍遷的距離就是禁帶寬度。物體要導電，就必須在導帶中存在可以移動的自由電子。禁帶寬度越窄的物體，電子就越容易發生躍遷，因此就越容易導電。相反，禁帶寬度越寬的物體，電子躍遷所需要的能量就越高，因此就越不容易發生電子躍遷而導電。

寬禁帶半導體就是禁帶寬度大于傳統半導體的一種半導體材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。如果禁帶寬度再寬一點，就被稱為超寬禁帶半導體，如氮化鋁鎵（AlGaN）、氧化鎵（Ga2O3）等。

目前碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）管子已經在我們產品里應用了，未來技術會越來越成熟，性能越來越高。

PI在GaN領域還是比較有技術地位的，深耕多年，有很多積累，可靠性提高了很多，做了很多優化，比如無需負壓驅動，外圍電路極大簡化，方便用戶使用。GaN優勢不言而喻，相信隨著材料科學及工藝的不斷突破，未來成本降低，一定會極大普及的。