下面是PI經典的inno反激電源，應用比較廣泛。對于市電產品，如何通過傳導EMI測試呢，該如何改進呢，這里提供幾種方法可以嘗試下。
噪聲來自哪里？下面是反激開關器件的實際波形：
噪聲源頭:開關動點變化的電壓信號(等效電壓源)；
噪聲強度:頻率與幅值(包含開關和振鈴兩重信號)。
VDS波形，關斷時存在高頻振鈴，這里存在高次諧波影響RE測試。
增大MOS的開通電阻可以降低原邊VDS的dV/dt， 但是PI這款反激電源開關管是集成在了芯片內部，無法直接調整。因此在供電源VCC去耦電容和內部驅動器之間串入電阻也是可以調整開通速度的，可以降低VDS斜率。
另一種方法是開關管漏源之間并聯電容，在一定程度上可以降低VDS的dv/dt以及改變頻點，但效率會降低，尤其是硬開關電源。這里不建議使用。
再有一種方法是使用RCD緩沖電路，可以抑制VDS尖峰電壓。
最后是Layout調整，原邊副邊功率回路應保證最小環路面積。
