設(shè)計(jì)300W雙管正激電路,ETD39,初級(jí)側(cè)電感3mH,次級(jí)200uH,大電流輸出的時(shí)候,變壓器初級(jí)側(cè)的電流出現(xiàn)異常尖峰,導(dǎo)致芯片過流保護(hù),電流采樣電阻電壓如下圖(有尖峰和無尖峰)
求助:雙管正激電路,大功率輸出時(shí)電流采樣波形出現(xiàn)異常尖峰
可以的,C7下端連接到初級(jí)側(cè)的上端,開關(guān)閉合的時(shí)候初級(jí)側(cè)的上端被拉到地電位,驅(qū)動(dòng)芯片通過內(nèi)部二極管向C7充電到15V(就像R9,D4回路),開關(guān)再打開時(shí)HO輸出就會(huì)比初級(jí)側(cè)的上端即上管的源極高15V
你對(duì)自舉驅(qū)動(dòng)的理解是錯(cuò)誤的,雙管正激,雙開關(guān)閉合的時(shí)候你的自舉電容負(fù)極根本不是低電位,而是300V電位,懂了嗎?原因就是上管的S極和下管的D極之間是變壓器初級(jí)電感。
而半橋的上管S極和下管D極是接在一起,所以半橋適合自舉(下管導(dǎo)通的時(shí)候自舉電容充電)。
首先來分析半橋電路用自舉,半橋下管導(dǎo)通時(shí),自舉二極管對(duì)自舉電容充電,自舉電容儲(chǔ)存電荷;在半橋下管關(guān)斷時(shí),上管導(dǎo)通,自舉電容儲(chǔ)存的電荷對(duì)上管進(jìn)行放電驅(qū)動(dòng)。雙管正激下管導(dǎo)通,上管同時(shí)導(dǎo)通,自舉電容如何能儲(chǔ)存電荷??jī)?chǔ)存那么一點(diǎn)點(diǎn)電荷是不能驅(qū)動(dòng)上管的,現(xiàn)在問題是,要么你換變壓器驅(qū)動(dòng),要么把上管改成輔助供電,個(gè)人認(rèn)為變壓器驅(qū)動(dòng)更簡(jiǎn)單可靠穩(wěn)定。
雙開關(guān)關(guān)閉的時(shí)候自舉電容負(fù)極是低電位,因?yàn)榇判囊獜?fù)位,D6、D9存在的原因就是提供復(fù)位回路,同時(shí)把上管S鉗位于地電位,下管D級(jí)鉗位于Vbus,參考我在11樓回復(fù)的圖片,是實(shí)測(cè),磁心復(fù)位以后上管S和下管D才恢復(fù)到0.5倍Vbus,不過我的變壓器飽和可能確實(shí)與自舉驅(qū)動(dòng)有關(guān),我在考慮換變壓器驅(qū)動(dòng),您很有經(jīng)驗(yàn),可以給我分享個(gè)參考嗎
你輸出是多少功率?我用我的12V的換成了這個(gè)變壓器計(jì)算了一下,匝數(shù)完全沒問題,實(shí)際上40多匝就可以,不過我是計(jì)算的220V單電壓的,你這個(gè)輸出電壓是24V嗎?我根據(jù)24V可以計(jì)算出一個(gè)參數(shù)為65:16匝,初級(jí)勵(lì)磁電感2.5mH,你那個(gè)應(yīng)該是沒有問題的。下圖是我前段時(shí)間調(diào)試完成的,輸出為15V 20A,變壓器EC42 45:8匝,2.4mH,電感用的是36uH,測(cè)量的照片沒有拍照。
閉合就是開通,上面我已經(jīng)跟你指出雙管開通時(shí)自舉電容的負(fù)極是+300V電位。你到現(xiàn)在還要說雙管同時(shí)開通時(shí),自舉電容負(fù)極是低電位?
上管開通時(shí),上管的D和S是通的,上管的D是300V,自舉電容的負(fù)極是接在上管的S極,上管開通時(shí)自舉電容負(fù)極是不是+300V電位?
上管和下管之間有變壓器初級(jí)電感,上管永遠(yuǎn)不可能低電位,要想上管舉起來,要很多個(gè)周期之后。
口誤,已更正,我看成你說關(guān)斷的時(shí)候了,你可以再看看,導(dǎo)通的時(shí)候也是一樣的,因?yàn)樵陉P(guān)斷的時(shí)候已經(jīng)電容兩端已經(jīng)是15V了,驅(qū)動(dòng)芯片的高側(cè)浮動(dòng)地,連接著你說的300V,打開時(shí)HO輸出比VS高的電壓,從而打開MOS,從圖里可以看到,但是這都不是重點(diǎn),關(guān)鍵是我這變壓器飽和是不是由于自舉的關(guān)系