60V--320V如果是這種 最好選擇外掛MOS 選擇高壓的MOS去做 整體方案相對簡單很多 推薦隔離方案

我要驅(qū)動可控硅，所以用非隔離。 用隔離的話加光耦增加成本，還占用PCB面積。PCB很擠了已經(jīng)。

我看BP85221內(nèi)置MOS   550V,   BP8523內(nèi)置650V。320VAC峰值450V承受不了嗎？

電源一般情況是工作在110V/220V 。   過壓閾值275V 。能在過壓時MCU能動作 。 

你自己試試吧

BP8523這種做固定電壓輸出的，后期電壓調(diào)整起來很麻煩，最好選用采樣分壓電阻外置的，實際電壓調(diào)整方便一些.內(nèi)置650V耐壓MOS理論上非隔離輸入320VAC耐壓是沒有問題的，最大的問題是在320VAC輸入時候芯片的占空比非常小，此時芯片的Ton時間也非常小，會導(dǎo)致芯片無法正常退磁檢測.  簡單計算一下，輸入320VAC時候的占空比D=Vout/Vinmax=5/1.414*320=1.1% , 芯片的最高頻率是45KHZ，就按照320VAC輸入時候開關(guān)頻率30K計算Ton時間，Ton=T*D=(1/30K)*1.1%=367nS.  一般為了能保證芯片正常退磁這個Ton時間要大于2-3倍的前沿消隱時間，而規(guī)格書中前沿消隱時間為240nS，在這時候芯片有極大可能出現(xiàn)無法正常退磁檢測不能正常工作的情況. 想要用這顆芯片在320VAC輸入時候能夠正常工作，此時的開關(guān)頻率低于20Khz才有可能保證芯片工作不會異常. 而輸入電壓低的時候開關(guān)頻率更低一個會出現(xiàn)噪聲問題，第二個在輸入低壓時候必然導(dǎo)致Ton時間達到芯片的最大開通時間限制，導(dǎo)致功率出不來不能正常帶載.  

所以據(jù)以上分析BP8523這顆芯片根本不能滿足你的應(yīng)用.  你問原廠他們沒有回復(fù)的原因也很簡單:

問的人不對，原廠很多FAE都是搗糨糊的他們也不知能不做，如果是核心大客戶量非常大，他們會去找人確認能不做. 如果是中小客戶不屬于他們負責(zé)的客戶（負責(zé)的客戶業(yè)績會影響他們的績效和獎金），大部分人可能就懶得搭理了，自然也不會回復(fù)的. 除非遇到一個不太勢利而又有責(zé)任心的人才可能確認給你回復(fù). 

分析的真到位，厲害

這么寬，欠壓，過壓就不好做，一般欠壓與過壓有一個倍數(shù)關(guān)系的，比如4.5倍，欠壓70V，過壓就是70X4.5=315V，你要300V就不行，你要60VX4.5=270V，也達不到320V

至于300V 320V，這個MOS Vds和大電解耐壓夠就行

謝謝回復(fù)。能推薦個芯片嗎？  我看了下一些別人的產(chǎn)品，用的明微的SM7055，固定60KHz。

另外隔離反激的拓撲，寬范圍輸入好做點嗎？

考慮一下帶抽頭的扼流圈的BUCK電路。電源網(wǎng) 胡守約 “應(yīng)用抽頭扼流圈擴展基本 DC-DC開關(guān)變換器的變換功能”，講解的比較細致。

用反激吧，功率這么小，增益變化范圍又大。300交流輸入，峰值在400V了，輸出5V，如果用BUCK，占空比太小，只有1%多一點點，明顯不靠譜。