用柵極驅動器驅動MOS,MOS發熱嚴重，表面測量溫度達到90℃以上。這種情況可以從哪些角度去改善？

RF+需要輸出1.7M 峰峰值200V的正弦波信號驅動壓電陶瓷換能器

1.從硬件的角度，MOS的驅動要考慮MOS的驅動電平、內阻、柵極電容、驅動波形是否陡峭？還可以從哪些角度進行改善？內阻和柵極電容是選型的問題。那驅動電平和驅動波形是電路設計的問題。這個MOS用5V方波驅動是沒有問題的吧！怎么使得驅動波形更接近方波而不會發生波形的失真呢？以上這些是否可以改善溫升的問題？

2.從嵌入式角度，柵極驅動器是經過DDS給信號的，DDS是經過MCU控制的，因此嵌入式可以從哪些角度進行溫升的改善？

3.從結構的角度，進行通風孔對流、散熱片導熱到外殼、加微型高速的風扇，或者加銅管、液冷？除了這些還可以進行怎樣的處理？MOS規格書：chrome-extension://ibllepbpahcoppkjjllbabhnigcbffpi/https://atta.szlcsc.com/upload/public/pdf/source/20171123/C114889_15114107965411137412.pdf