實(shí)際的電路中，MOS功率管存在結(jié)電容，線路存在寄生電感，并不是理想的開(kāi)關(guān)。
下圖是實(shí)際的不同驅(qū)動(dòng)電阻下的驅(qū)動(dòng)波形。
可以看出，RG外部驅(qū)動(dòng)電阻越小，由事件(I)引起的VGS下降就越大。此外，由于開(kāi)關(guān)速度非?？?，因此事件(III)在(a)中很突出；但由于RG為0Ω，因此幾乎沒(méi)有觀察到事件(II)的波形。另一方面，在(b)中，事件(II)和RG引起的VGS升程明顯。
從該結(jié)果可以清楚地看出，要想降低引起LS導(dǎo)通時(shí)HS誤啟動(dòng)的(II)的VGS升程，就需要減小HS關(guān)斷時(shí)的外置柵極電阻RG。然而，多數(shù)情況下，HS和LS的RG是相同的，因此，當(dāng)減小RG時(shí)，LS的dVDS/dt將增加，HS的ICGD會(huì)增加。結(jié)果會(huì)導(dǎo)致HS浪涌升高。
解決上述矛盾有一種方法是，使導(dǎo)通時(shí)和關(guān)斷時(shí)的RG分離，并且僅減小關(guān)斷時(shí)的RG，常規(guī)方法是使用二極管的方法。
使用這種方法，在導(dǎo)通狀態(tài)下工作的電阻只有RG_ON，而在關(guān)斷狀態(tài)下，二極管導(dǎo)通并成為RG_ON和RG_OFF的并聯(lián)電阻。因此，相對(duì)于導(dǎo)通時(shí)的電阻值，關(guān)斷時(shí)的電阻值變小。
