InnoSwitch3-TN IC采用符合安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的薄型MinSOP-16A封裝，并且內(nèi)部集成725V初級MOSFET、初次級間隔離的反饋機制、同步整流和次級側(cè)控制，可簡化電源設(shè)計，非常適合高達(dá)21W的家電和工業(yè)輔助電源應(yīng)用。
InnoSwitch3-TN的工作示意
首先我們看一下反激電源的典型示意圖如下：
反激電路需要包括控制、隔離、采樣反饋、整流濾波、開關(guān)等多種要素。
InnoSwitch 3-TN（白框）內(nèi)部包括725V初級側(cè)MOSFET，初級側(cè)控制，初級次級之間的FluxLink磁感耦合隔離（4000 VAC），次級側(cè)采樣與控制，同步整流控制，可極大簡化反激式電路的設(shè)計。
InnoSwitch 3-TN可以在整個負(fù)載范圍內(nèi)實現(xiàn)高效電源轉(zhuǎn)換，比如在150mW輸出時，依然保持80%的效率，可以輕松滿足各項法規(guī)要求，比如根據(jù)歐盟EC1275規(guī)定，在歐盟銷售的家電在關(guān)斷或待機模式下的最大功耗不得超過500mW。
越來越多的家電開始采用5V單軌電壓供電，負(fù)載電流會變大，這時BUCK電路則無法滿足大電流、高精度、低成本的要求。其主要原因包括需要更大的電感，而更高額定電流電感的成本則遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于反激電路當(dāng)中使用的變壓器，因此不具備成本效益；其次是需要高成本大電流的600V快速二極管，而其反向恢復(fù)特性也會對主開關(guān)管的開關(guān)損耗產(chǎn)生影響；第三則是在高開關(guān)電流情況下，二極管整流的效率變低；第四則是精度不高。而采用反激電路后，同步整流MOSFET成本低，負(fù)載效率高，并且可以改善交叉調(diào)整率，無需后置穩(wěn)壓器或負(fù)載電阻，從而實現(xiàn)更加簡單的設(shè)計。
InnoSwitch 3-TN實現(xiàn)了高精度的恒壓與恒流輸出，在5V恒壓輸出時，精度為±3%，12V恒壓輸出時，精度為±7%。而電源的恒流輸出可控制在±10%的范圍以內(nèi)。
