電源IC直接驅(qū)動(dòng)是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式，應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)及這些參數(shù)的影響（森木磊石經(jīng)驗(yàn)之談）。
①查看電源IC手冊(cè)的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流，因?yàn)椴煌酒?qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。
②了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個(gè)寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅(qū)動(dòng)峰值電流，那么管子導(dǎo)通的速度就比較慢，就達(dá)不到想要的效果。
二、推挽驅(qū)動(dòng)
當(dāng)電源IC驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)，可用推挽驅(qū)動(dòng)（森木磊石經(jīng)驗(yàn)之談）。這種驅(qū)動(dòng)電路好處是提升電流提供能力，迅速完成對(duì)于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓?fù)湓黾恿藢?dǎo)通所需要的時(shí)間，但是減少了關(guān)斷時(shí)間，開關(guān)管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。
三、加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)
MOS管一般都是慢開快關(guān)（森木磊石經(jīng)驗(yàn)之談）。在關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅(qū)動(dòng)電阻上并聯(lián)一個(gè)電阻和一個(gè)二極管，如上圖所示，其中D1常用的是快恢復(fù)二極管。這使關(guān)斷時(shí)間減小，同時(shí)減小關(guān)斷時(shí)的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時(shí)電流過大，把電源IC給燒掉。
如上圖，是之前用的一個(gè)電路，量產(chǎn)至少上萬臺(tái)，推薦使用。
用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的（森木磊石經(jīng)驗(yàn)之談）。如果Q1的發(fā)射極沒有電阻，當(dāng)PNP三極管導(dǎo)通時(shí)，柵源極間電容短接，達(dá)到最短時(shí)間內(nèi)把電荷放完，最大限度減小關(guān)斷時(shí)的交叉損耗。還有一個(gè)好處，就是柵源極間電容上的電荷泄放時(shí)電流不經(jīng)過電源IC，提高了可靠性。
四、隔離驅(qū)動(dòng)
為了滿足高端MOS管的驅(qū)動(dòng)，通常會(huì)采用變壓器驅(qū)動(dòng)（森木磊石經(jīng)驗(yàn)之談）。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩，C1的目的是隔開直流，通過交流，同時(shí)也能防止磁芯飽和。
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