我來回答吧
1、反激適合于高壓小電流的,一般100瓦之內.正激一般在200瓦以內,推挽和半橋一般是200瓦到500瓦之間,全橋一般在300瓦以上及大功率變換器.傳輸功率的多少,要看變壓器勵磁曲線的,雙向勵磁的就多一些.

2、軟開關全橋可用于升壓,也可用于降壓,其實我們平時遇到的屬于 ZVS pwm或ZCS pwm,能否實現軟開關跟升降壓沒關系,因為有變壓器可以提供一個變比.

3、硬開關的工作頻率一般都是100K左右吧,120K也可以,再大的話,開關損耗會比較大,EMI比較難處理.事實上,現在的大功率變換器,已經很少采用硬開關了,大部分都采用了 ZVS或ZCS PWM技術.

4、互感器就相當于一個電流控制的電流源,對于電壓控制型的PWM控制器來說,采樣電壓一般都是接在控制器的輸出使能端.
你最后一問,可以看出你從沒做過電源.你問的這些問題,都是基礎理論,別人給你回答了,對你本人來講,起不到什么大作用.還是踏踏實實看兩年書吧.

你說的確實給我了些幫助,我當然也是剛剛開始,你判斷的很準,確實以上的問題都是在看書過程中,沒整明白的.

我在劉勝利的現代高頻開關電源-書上看到軟開關有個占空比丟失的概念,D=2Lr*Io/nEc*Ts
Io輸出電流, Ec直流電壓,Ts周期
升壓電路n<1
假設以下參數大致算一下,Lr=22uH,Io=10A,n=0.5,Ec=100V,f=100KHz
D=88/100
f=10K D=88/1000.....
如果這么計算的話,頻率<<100K了

既然剛剛開始,就不要看 劉勝利的書,不適合入門.
他的書,實踐性更強些.

那我該如何進行,40KHz的話ucc3895可以運行嗎?
樓上的朋友,您有做升壓的較大功率的DCDC經驗嗎?

Ucc3895 最低運行頻率是多少?誰能給個意見

40K 用TL494吧 價格便宜量又足

UCC3895用40K是拿戰斧導彈打帳篷. 不做到1M對不起這個芯片的.

為樓上補充一點: 低壓變換中硬開關應用還很普遍,因為低壓MOS的DS電容導致的損耗不大
如給顯卡/CPU供電的數百W,電流達到100A以上的的多相同步Buck就是硬開關的

樓上說得,推挽和半橋一般是200瓦到500瓦之間,全橋一般在300瓦以上
我計劃是做1KW以上的,
TL494 估計不行吧, 軟開關1KW升壓可以實現嗎?
我想最好先定個方向.免得做了半天發現走錯路了

TL494可以做40K移相全橋1000W以上,在外部加相移.
但是如果用IGBT或BJT,就只能用ZCS而不是ZVS,這個你自己考慮怎么做.
如果用MOS,只能用ZVS.而40K拿MOS做, 直接做硬開關全橋不就是了.效率和軟開關的沒什么區別.頻率高了軟開關優勢才明顯.

你是初學者,應該從500K以上的高頻機做起,TL494之類的就別做了,留給那些老家伙琢磨去

我仔細想想,你說的Tl494在外部加相移,如何加得.有相應得芯片,還是電路,能給我看看嗎?
chnjiaty@sina.com.cn

http://ieeexplore.ieee.org/Xplore/login.jsp?url=/iel5/7049/19039/00879960.pdf?arnumber=879960

http://scholar.ilib.cn/A-dldzjs200603012.html

別人的論文.考慮考慮.另外,推薦做一塊Ti的3895示例板,熟悉波形,理解移相全橋實現ZCS\ZVS的原理再想怎么用TL494做.

http://ieeexplore.ieee.org/Xplore/login.jsp?url=/iel5/7049/19039/00879960.pdf?arnumber=879960
這篇文章看了,800V-16KV 我還得仔細看看

但是如果用IGBT或BJT,就只能用ZCS而不是ZVS,這個你自己考慮怎么做.

這句話我一直不明白,為什么只能用ZCS而不是ZVS?

The converters with ZCS operation will be more attractive than the converter wit11 ZVS. In addition, the rectifier diodes usually suffer from scvere rcvcrse recovery problems undcr high DC output voltagc situation. Thcrefore, the Operation of the rectifier diodes with ZVS is desired.
你說的那篇論文上也提到這句話,只是沒有解釋.

我來試著翻譯下吧,里面不少錯誤的單詞啊.

這種變換器,采用ZCS比采用ZVS更有吸引力,另外,在高壓輸出的情況下,整流二極管存在反向恢復的問題,因此期望整流管的ZVS.

因為IGBT或BJT有拖尾電流問題,就是剛關斷的時候,會承受高壓而漏出一些電流波形尾巴,開關損耗主要在這個尾巴上.所以IGBT或BJT要降低損耗,就要零電流關斷.

MOS的開關損耗主要在DS電容上,關斷的時候DS電容被充電到高壓,開通的時候電容放電損耗.所以MOS要降低損耗就要零電壓開通.

推薦用MOS的
除非你做》3000W的,或者對成本特別敏感

您知道為什么 iGBT一般工作在20K
而MOSFET工作頻率更高.是跟起開關損耗有關嗎?
還要謝謝樓上得翻譯,論文中得那段話直接由PDF復制過來得,所以有許多錯誤.